| Author |
Title  |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
| Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Гершензон, Е. М.; Птицина, Н. Г.; Смирнов, К. В.; Чулкова, Г. М. |
Исследования процессов неупругой релаксации и примесная спектроскопия-релаксометрия в двумерном электронном газе в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами |
1995 |
|
|
|
| Ларионов, П.А.; Рябчун, С.А.; Финкель, М.И.; Гольцман, Г.Н. |
Вывешенный сверхпроводящий детектор терагерцового диапазона |
2011 |
Труды Московского физико-технического института |
3 |
29-30 |
| Кардакова, А. И.; Финкель, М. И.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Ан, П. П.; Гольцман, Г. Н. |
Время электрон-фононного взаимодействия в сверхпроводниковых пленках нитрида титана |
2014 |
Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» |
1 |
47-48 |
| Проходцов, А. И.; Голиков, А. Д.; Ан, П. П.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н. |
Влияние покрытия из оксида кремния на эффективность фокусирующего решеточного элемента связи из нитрида кремния |
2019 |
Proc. IWQO |
|
201-203 |
| Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
1881-1883 |
