Records |
Author |
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Title |
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах |
Type |
Journal Article |
Year |
1990 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
24 |
Issue |
1 |
Pages |
3-24 |
Keywords |
compensated n-InSb, impurities |
Abstract |
Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1756 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Корнеев, Александр Александрович |
Title |
Квантовая эффективность и темновой счет NbN сверхпроводникового инфракрасного однофотонного детектора |
Type |
Manuscript |
Year |
2006 |
Publication |
М. МПГУ |
Abbreviated Journal |
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
Keywords |
|
Abstract |
|
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
Ph.D. thesis |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
480 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Масленников, С. Н.; Смирнов, К. В.; Поляков, С. Л.; Чжан, В.; Свечников, С. И.; Каурова, Н. С.; Гришина, Е. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
Title |
Квазиоптические смесители терагерцового диапазона на основе эффекта разогрева электронов в тонких пленках NbN |
Type |
Conference Article |
Year |
2006 |
Publication |
Proc. 16th Int. Crimean Microwave and Telecommunication Technology |
Abbreviated Journal |
|
Volume |
2 |
Issue |
|
Pages |
688-689 |
Keywords |
NbN HEB mixers |
Abstract |
Представлены результаты измерения рактеристик смесителей на эффекте разогрева электронов в тонких сверхпроводниковых пленках NbN. Смесители были изготовлены на основе пленок NbN толщиной 2-3.5 нм осажденных на кремниевую подложку с буферным подсло- ем MgO. Смесительный элемент согласовывался с планар- ной логопериодической спиральной антенной. Лучшее зна- чение шумовой температуры приемника на основе NbN смесителя составило 1300 К и 3100 К на частотах гетеро- дина 2.5 TГц и 3.8 ТГц, соответственно. Максимальное зна- чение полосы преобразования, измеренной на частоте 900 |Ц, достигло значения 5.2 ГГц для смесителя изготовлен- ного из NbN пленки толщиной 2 нм. Оптимальная мощность Представлены результаты измерения ха- гетеродинного источника составила 1-3 мкВт для смесите- лей с различным объемом смесительного элемента. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
Duplicated as 1445 |
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1446 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Гершензон, Е. М.; Птицина, Н. Г.; Смирнов, К. В.; Чулкова, Г. М. |
Title |
Исследования процессов неупругой релаксации и примесная спектроскопия-релаксометрия в двумерном электронном газе в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами |
Type |
Report |
Year |
1995 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
Keywords |
|
Abstract |
В гетероструктурах GaAs/AlGaAs впервые прямым методом измерена температурная зависимость вpемени энеpгетической pелаксации двумерного электронного газа te(T) в широком диапазоне температур Т=1,5 – 50 К в квазиравновесных условиях. Для измерений использовался высокочувствительный спектрометр миллиметрового диапазона волн с высоким временным разрешением, который позволял измерять релаксационные времена до 150 пс с погрешностью не более 20%. Верхний предел температуры определялся временным разрешением спектрометра. Исследования проводились на высококачественных образцах с поверхностной концентрацией носителей ns = 4,2 1011 см-2 и подвижностью m = 7 105 см2В-1с-1 (при Т = 4,2К). В квазиравновесных условиях из температурной зависимости tе определен предел подвижности при низких температурах (T<4.2 K), связанный с рассеянием на пьезоакустическом потенциале, получено время неупругой релаксации, связанное с рассеянием на деформационном потенциале (15 K25 K), получено характерное время испускания оптического фонона (tLO>4,5пс), которое существенно превышает время сронтанного излучения оптического фонона (примерно в 30 раз), что связано с большой ролью процессов перепоглащения фононов электронами.При низких температурах проведены измерения tе в условиях сильного разогрева. Полученные значения tе и зависимость tе от температуры электронов Те совпадают с tе(Т) в квазиравновесных условиях при Т=Те. Из полученных значений tе(Те) построена зависимость мощности энергетических потерь от Те, которая хорошо согласуется с литературными данными.Начаты измерения в магнитном поле, которые показывают переспективность использованного нами метода измерений как в области слабых магнитных полей при факторе заполнения >10, так и в области сильных магнитных полей при факторе заполнения >1-2. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
Отчет о НИР/НИОКР; РФФИ: 95-02-06409-а; |
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1831 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Мошкова, М. А.; Дивочий, А. В.; Морозов, П. В.; Золотов, Ф. И.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В. |
Title |
Высокоэффективные NBN однофотонные детекторы с разрешением числа фотонов |
Type |
Conference Article |
Year |
2018 |
Publication |
Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. |
Abbreviated Journal |
Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
400-401 |
Keywords |
SSPD, SNSPD |
Abstract |
Разработаны и исследованы сверхпроводниковые однофотонные детекторы, способные к разрешению до 3-х фотонов в коротком импульсе излучения и имеющие квантовую эффективность детектирования одиночных фотонов ~60% на длине волны lambda=1.55 мкм. Проведенная модернизация технологии изготовления детекторов, позволила получить приемные устройства с мультифотонной квантовой эффективностью, приближающейся к расчетным значениям. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
978-5-7262-2445-9 |
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
УДК 535(06)+004(06) |
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1250 |
Permanent link to this record |