|   | 
Details
   web
Records
Author Симонов, Н. О.; Флоря, И. Н.; Корнеева, Ю. П.; Корнеев, А. А.; Гольцман, Г. Н.
Title (down) Однофотонный отклик в тонких сверхпроводящих MoNx пленках Type Conference Article
Year 2018 Publication Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. Abbreviated Journal Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт.
Volume Issue Pages 408-409
Keywords SSPD, SNSPD
Abstract Продемонстрирован однофотонный отклик, при токе близком к критическому, в MoNx сверхпроводящих полосках шириной 70-104 нм. MoNx детекторы, имеющие коэффициент диффузии D≈0.32 см2/с и время электрон-фононного взаимодействия ηe-ph≈300 пс, достигают квантовой эффективности QE≈20% на длине волны λ=1550 нм. Возможность реализации однофотонного детектора в данном материале, подтверждает существующую теорию вихревого механизма возникновения фотоотклика в узких сверхпроводящих полосках.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN 978-5-7262-2445-9 Medium
Area Expedition Conference
Notes УДК 535(06)+004(06) Approved no
Call Number Serial 1251
Permanent link to this record
 

 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.
Title (down) Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии Type Journal Article
Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 17 Issue 10 Pages 1896-1898
Keywords Ge, deep impurities
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1762
Permanent link to this record
 

 
Author Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З.
Title (down) Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ Type Journal Article
Year 1986 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 20 Issue 1 Pages 99-103
Keywords n-Ge, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance
Abstract В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1759
Permanent link to this record
 

 
Author Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Люлькин, А. М.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В.
Title (down) О предельных характеристиках быстродействующих серхпроводниковых болометров Type Journal Article
Year 1989 Publication Журнал технической физики Abbreviated Journal Журнал технической физики
Volume 59 Issue 2 Pages 111-120
Keywords HEB
Abstract Теоретически и экспериментально исследовано физическое ограничение быстродействия сверхпроводящего болометра. Показано, что минимальная постоянная времени реализуется в условиях электронного разогрева и определяется процессом неупругого электрон-фонон- ного взаимодействия. Сформулированы требования кконструкции «электронного болометра» для достижения предельной чувствительности. Проведено сравнение характеристик электронного болометра и обычных болометров различных типов.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 237 Approved no
Call Number Serial 238
Permanent link to this record
 

 
Author Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С.
Title (down) О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии Type Journal Article
Year 1984 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 18 Issue 3 Pages 421-425
Keywords Si, phosphorus donors, EPR
Abstract Температурная зависимость ширины линии ЭПР доноров Р в Si исследована в интервале концентрации ND=2.5⋅1017−9⋅1017см−3 и температур T=1.7−45 K на образцах с различной степенью компенсации основной примеси. Результаты согласуются с моделью обменного сужения линии при учете температурной зависимости обменного интеграла и тем самым исключают предлагавшийся ранее механизм сужения линии вследствие прыжкового движения электронов по примесным центрам.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1761
Permanent link to this record