| Author |
Title  |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
| Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. |
Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1873-1876 |
| Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках |
1989 |
Физика и техника полупроводников |
23 |
338-345 |
| Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1896-1898 |
| Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. |
Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ |
1986 |
Физика и техника полупроводников |
20 |
99-103 |
| Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Люлькин, А. М.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. |
О предельных характеристиках быстродействующих серхпроводниковых болометров |
1989 |
Журнал технической физики |
59 |
111-120 |
