| Author |
Title  |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
| Проходцов, А. И.; Голиков, А. Д.; Ан, П. П.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н. |
Влияние покрытия из оксида кремния на эффективность фокусирующего решеточного элемента связи из нитрида кремния |
2019 |
Proc. IWQO |
|
201-203 |
| Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
1881-1883 |
| Пентин, И. В.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, А. В.; Ожегов, Р. В.; Дивочий, А. В.; Гольцман, Г. Н. |
Быстродействующий терагерцевый приемник и инфракрасный счетчик одиночных фотонов на эффекте разогрева электронов в сверхпроводниковых тонкопленочных наноструктурах |
2011 |
Труды МФТИ |
3 |
38-42 |
| Gershenzon, E. M.; Goltsman, G. N. |
Zeeman effect in excited-states of donors in germanium |
1972 |
Sov. Phys. Semicond. |
6 |
509 |
| Cherednichenko, S.; Ronnung, F.; Gol'tsman, G.; Gershenzon, E.; Winkler, D. |
YBa2Cu3O7-δ hot-electron bolometer with submicron dimensions |
1999 |
Proc. 10th Int. Symp. Space Terahertz Technol. |
|
181-189 |
