|   | 
Details
   web
Records
Author Ожегов, Р. В.; Окунев, О. В.; Гольцман, Г. Н.; Филиппенко, Л. В.; Кошелец, В. П.
Title Флуктуационная чувствительность сверхпроводящего интегрального приемника терагерцового диапазона частот Type (down) Journal Article
Year 2009 Publication Радиотехника и электроника Abbreviated Journal Радиотех. электроник.
Volume 54 Issue 6 Pages 750-755
Keywords
Abstract Исследована зависимость флуктуационной чувствительности сверхпроводящего интегрального приемника (СИП) от шумовой температуры приемника и величины входного сигнала. Измерена рекордная флуктуационная чувствительность приемника (13 ± 2 мК), полученная при шумовой температуре приемника 200 К, ширине полосы промежуточных частот 4 ГГц и постоянной времени 1 с. При уменьшении входного сигнала наблюдалось улучшение флуктуационной чувствительности; предложено обÑŠяснение полученного эффекта: причиной является уменьшение влияния нестабильностей источников питания приемника и усилительного тракта при снижении входного сигнала.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 710
Permanent link to this record
 

 
Author Гольцман, Г. Н.; Разумовская, И. В.; Окунев, О. В; Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Финкель, М. И.; Масленников, С. Н.; Семенов, А. В.; Александров, В. Н.
Title Сборник программ учебных дисциплин профессионального цикла подготовки магистров и бакалавров по направлению «Физика» Type (down) Journal Article
Year 2011 Publication Прометей Abbreviated Journal Прометей
Volume Issue Pages 67
Keywords
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Учебное пособие Approved no
Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 717
Permanent link to this record
 

 
Author Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Карасик, Б. С.; Потоскуев, С. Э.
Title Разогрев электронов в резистивном состоянии сверхпроводника электромагнитным излучением значительной интенсивности Type (down) Journal Article
Year 1988 Publication Физика низких температур Abbreviated Journal Физика низких температур
Volume 14 Issue 7 Pages 753-763
Keywords HEB
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1697 Approved no
Call Number Serial 883
Permanent link to this record
 

 
Author Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.; Ригер, Е. Р.
Title Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии Type (down) Journal Article
Year 1984 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 18 Issue 9 Pages 1684-1686
Keywords Ge, free carrier recombination
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1710
Permanent link to this record
 

 
Author Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.
Title Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge Type (down) Journal Article
Year 1989 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 23 Issue 8 Pages 1356-1361
Keywords Ge, crystallography
Abstract Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1692 Approved no
Call Number Serial 1691
Permanent link to this record