| |
Records |
Links  |
|
Author |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
|
| |
Title |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
1990 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
| |
Volume |
24 |
Issue |
10 |
Pages |
1881-1883 |
|
| |
Keywords |
impurities, photoconductivity, Ge, capture of free carriers, magnetic field |
|
| |
Abstract |
Цель настоящей работы — измерение кинетики примесной фотопроводимости в квантующих магнитных полях. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1755 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. |
|
| |
Title |
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
1990 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
| |
Volume |
24 |
Issue |
12 |
Pages |
2145-2150 |
|
| |
Keywords |
Hall constant, concentration of impurities, p-Si |
|
| |
Abstract |
На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1754 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. |
|
| |
Title |
Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
1991 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
| |
Volume |
25 |
Issue |
11 |
Pages |
1986-1998 |
|
| |
Keywords |
n-InSb mixer |
|
| |
Abstract |
Проведено комплексное исследование n-InSb смесителя на λ=2.6 мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при E=0−2 В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне T=1.6−20 K, высокочастотной проводимости при f=0.5−10 МГц и магнитосопротивления при H=0−5 кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном n-InSb (K≥0.8), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам n-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1753 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Годунова, Е. К.; Левин, В. И. |
|
| |
Title |
Некоторые качественные вопросы теплопроводности |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
1966 |
Publication |
Ж. вычисл. матем. и матем. физ. |
Abbreviated Journal |
Ж. вычисл. матем. и матем. физ. |
|
| |
Volume |
6 |
Issue |
6 |
Pages |
1097-1103 |
|
| |
Keywords |
mathematics, temperature distribution, rod |
|
| |
Abstract |
|
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
Одногорбое распределение останется одногорбым; Duplicated as 1701 |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1700 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Matyushkin, Yakov; Fedorov, Georgy; Moskotin, Maksim; Danilov, Sergey; Ganichev, Sergey; Goltsman, Gregory |
|
| |
Title |
Gate-mediated helicity sensitive detectors of terahertz radiation with graphene-based field effect transistors |
Type |
Abstract |
| |
Year |
2020 |
Publication |
Graphene and 2dm Virt. Conf. |
Abbreviated Journal |
Graphene and 2DM Virt. Conf. |
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
|
| |
Keywords |
single layer graphene, SLG, CVD, plasmons, FET |
|
| |
Abstract |
Closing of the so-called terahertz gap results in an increased demand for optoelectronic devices operating in the frequency range from 0.1 to 10 THz. Active plasmonic in field effect devices based on high-mobility two-dimensional electron gas (2DEG) opens up opportunities for creation of on-chip spectrum [1] and polarization [2] analysers. Here we show that single layer graphene (SLG) grown using CVD method can be used for an all-electric helicity sensitive polarization broad analyser of THz radiation. Allourresults show plasmonic nature of response. Devices are made in a configuration ofa field-effect transistor (FET) with a graphene channel that has a length of 2 mkm and a width of 5.5 mkm. Response of opposite polarity to clockwise and anticlockwise polarized radiation is due to special antenna design (see Fig.1c) as follow works [2,3]. Our approaches can be extrapolated to other 2D materials and used as a tool to characterize plasmonic excitations in them. [1]Bandurin, D. A., etal.,Nature Communications, 9(1),(2018),1-8.[2]Drexler, C.,etal.,Journal of Applied Physics, 111(12),(2012),124504.[3]Gorbenko, I. V.,et al.,physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters, 13(3),(2019),1800464. |
|
| |
Address |
Grenoble, France |
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
Graphene and 2dm Virtual Conference & Expo |
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1743 |
|
| Permanent link to this record |
