| Home | [11–20] << 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 >> [31–40] |
|
| Records | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Author | Hübers, H.-W.; Semenov, A.; Richter, H.; Birk, M.; Krocka, M.; Mair, U.; Smirnov, K.; Gol’tsman, G.; Voronov, B. | ||||
| Title | Terahertz Heterodyn Receiver with a hot-electron bolometer mixer | Type | Conference Article | ||
| Year | 2002 | Publication | Far-IR, Sub-mm & MM Detector Technology Workshop | Abbreviated Journal | Far-IR, Sub-mm & MM Detector Technology Workshop |
| Volume | Issue | Pages | 3-24 | ||
| Keywords | NbN HEB mixers | ||||
| Abstract | During the past decade major advances have been made regarding low noise mixers for terahertz (THz) heterodyne receivers. State of the art hot-electron-bolometer (HEB) mixers have noise temperatures close to the quantum limit and require less than a µW power from the local oscillator (LO). The technology is now at a point where the performance of a practical receiver employing such mixer, rather than the figures of merit of the mixer itself, are of major concern. We have incorporated a phonon-cooled NbN HEB mixer in a 2.5 THz heterodyne receiver and investigated the performance of the receiver. This yields important information for the development of heterodyne receivers such as GREAT (German receiver for astronomy at THz frequencies aboard SOFIA) [1] and TELIS (Terahertz limb sounder), a balloon borne heterodyne receiver for atmospheric research [2]. Both are currently under development at DLR. | ||||
| Address | |||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | NASA | Place of Publication | Editor | Wolf, U.; Farhoomand, J.; McCreight, C.R. | |
| Language | Summary Language | Original Title | |||
| Series Editor | Series Title | NASA CP | Abbreviated Series Title | ||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | Volume: 211408 | Approved | no | ||
| Call Number | Serial | 1537 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Смирнов, Константин Владимирович | ||||
| Title | Создание приборов на сверхпроводниковых счетчиках фотонов и методов диагностики КМОП микросхем, гетероструктур и лазеров на квантовых точках | Type | Report | ||
| Year | 2009 | Publication | Abbreviated Journal | ||
| Volume | Issue | Pages | |||
| Keywords | NbN SSPD | ||||
| Abstract | Этап №1 (дата окончания: 30.09.2009) Разработана методика изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов (SSPD) с монокристаллической структурой пленки сверхмалой толщины. Изготовлены экспериментальные образцы сверхпроводниковых однофотонных детекторов (SSPD). Разработана методика пакетирования сверхпроводникового однофотонного детектора в оптический узел с одномодовым оптоволокном. Изготовлены экспериментальные образцы приемных модулей на основе однофотонных сверхпроводниковых детекторов из NbN-нанопленок. Этап №2 (дата окончания: 28.10.2009) Разработаны методы диагностики КМОП микросхем, гетероструктур и лазеров на квантовых точках и методика измерения мощности излучения полупроводниковых лазеров на квантовых точках с использованием сверхпроводниковых однофотонных детекторов (SSPD). Проведена технико-экономическая оценка рыночного потенциала полученных результатов. |
||||
| Address | |||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Министерство образования и науки РФ | Place of Publication | Editor | ||
| Language | Russian | Summary Language | Original Title | ||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | Отчет о НИР/НИОКР; Министерство образования и науки РФ; Номер гранта (контракта): 02.513.11.3446; Дата гранта (контракта): 03.06.2009 | Approved | no | ||
| Call Number | Serial | 1828 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В. | ||||
| Title | Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе | Type | Book Whole | ||
| Year | 2012 | Publication | Abbreviated Journal | ||
| Volume | Issue | Pages | |||
| Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors | ||||
| Abstract | Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники. | ||||
| Address | Москва | ||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Прометей, МПГУ | Place of Publication | Editor | ||
| Language | Summary Language | Original Title | |||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | 978-5-4263-0118-4 | Medium | ||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | УДК: 537.311 | Approved | no | ||
| Call Number | Serial | 1818 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Гершензон, Е. М.; Птицина, Н. Г.; Смирнов, К. В.; Чулкова, Г. М. | ||||
| Title | Исследования процессов неупругой релаксации и примесная спектроскопия-релаксометрия в двумерном электронном газе в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами | Type | Report | ||
| Year | 1995 | Publication | Abbreviated Journal | ||
| Volume | Issue | Pages | |||
| Keywords | |||||
| Abstract | В гетероструктурах GaAs/AlGaAs впервые прямым методом измерена температурная зависимость вpемени энеpгетической pелаксации двумерного электронного газа te(T) в широком диапазоне температур Т=1,5 – 50 К в квазиравновесных условиях. Для измерений использовался высокочувствительный спектрометр миллиметрового диапазона волн с высоким временным разрешением, который позволял измерять релаксационные времена до 150 пс с погрешностью не более 20%. Верхний предел температуры определялся временным разрешением спектрометра. Исследования проводились на высококачественных образцах с поверхностной концентрацией носителей ns = 4,2 1011 см-2 и подвижностью m = 7 105 см2В-1с-1 (при Т = 4,2К). В квазиравновесных условиях из температурной зависимости tе определен предел подвижности при низких температурах (T<4.2 K), связанный с рассеянием на пьезоакустическом потенциале, получено время неупругой релаксации, связанное с рассеянием на деформационном потенциале (15 K25 K), получено характерное время испускания оптического фонона (tLO>4,5пс), которое существенно превышает время сронтанного излучения оптического фонона (примерно в 30 раз), что связано с большой ролью процессов перепоглащения фононов электронами.При низких температурах проведены измерения tе в условиях сильного разогрева. Полученные значения tе и зависимость tе от температуры электронов Те совпадают с tе(Т) в квазиравновесных условиях при Т=Те. Из полученных значений tе(Те) построена зависимость мощности энергетических потерь от Те, которая хорошо согласуется с литературными данными.Начаты измерения в магнитном поле, которые показывают переспективность использованного нами метода измерений как в области слабых магнитных полей при факторе заполнения >10, так и в области сильных магнитных полей при факторе заполнения >1-2. | ||||
| Address | |||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Place of Publication | Editor | |||
| Language | Summary Language | Original Title | |||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | Отчет о НИР/НИОКР; РФФИ: 95-02-06409-а; | Approved | no | ||
| Call Number | Serial | 1831 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Райтович, А. А.; Пентин, И. В.; Золотов, Ф. И.; Селезнев, В. А.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В. | ||||
| Title | Время энергетической релаксации электронов в сверхпроводниковых VN наноструктурах | Type | Conference Article | ||
| Year | 2018 | Publication | Сборник трудов 13 Всероссийской конференции молодых ученых | Abbreviated Journal | |
| Volume | Issue | Pages | 236-238 | ||
| Keywords | VN films | ||||
| Abstract | |||||
| Address | Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН | ||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Техно-Декор | Place of Publication | Editor | ||
| Language | Russian | Summary Language | Original Title | ||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика | ||
| Notes | http://nnnph.ru/data/documents/Sborni-trudov-NNNF-2018.pdf | Approved | no | ||
| Call Number | Serial | 1807 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Смирнов, Константин Владимирович; Чулкова, Галина Меркурьевна; Вахтомин, Юрий Борисович; Корнеев, Александр Александрович; Окунев, Олег Валерьевич; Дивочий, Александр Валерьевич; Семенов, Александр Владимирович; Гольцман, Григорий Наумович | ||||
| Title | Особенности разогрева и релаксации горячих электронов О-754 в тонкопленочных cверхпроводниковых наноструктурах и 2D полупроводниковых гетероструктурах при поглощении излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов | Type | Book Whole | ||
| Year | 2014 | Publication | Abbreviated Journal | ||
| Volume | Issue | Pages | |||
| Keywords | 2DEG | ||||
| Abstract | В монографии рассмотрены основные особенности эффекта электронного разогрева в тонких сверхпроводниковых пленках и полупроводниковых гетеропереходах, возникающего при поглощении носителями заряда излучений терагерцового и инфракрасного диапазонов. Значительная часть монографии посвящена представлению современных достижений при использовании указанного эффекта для создания приемных устройств с рекордными характеристиками: терагерцовых гетеродинных и болометрических приемников на основе сверхпроводниковых и полупроводниковых структур; сверхпроводниковых приемников одиночных ИК фотонов. В работе также подробно рассмотрены основы современной сверхпроводниковой тонкопленочной технологии. Монография может быть полезна студентам старших курсов, аспирантам и начинающим исследователям, работающим в области физики твердого тела, оптики, радиофизики. |
||||
| Address | Москва | ||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | МПГУ | Place of Publication | Editor | ||
| Language | Russian | Summary Language | Original Title | ||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | 978-5-4263-0145-0 | Medium | ||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | 240 страниц | Approved | no | ||
| Call Number | Serial | 1814 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Мошкова, М. А.; Дивочий, А. В.; Морозов, П. В.; Антипов, А. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В. | ||||
| Title | Оценка статистики распределения фотонов с использованием многоэлементного сверхпроводникового однофотонного детектора | Type | Conference Article | ||
| Year | 2019 | Publication | Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского | Abbreviated Journal | |
| Volume | Issue | Pages | 201-202 | ||
| Keywords | SSPD | ||||
| Abstract | Проведен сравнительный анализ топологий сверхпроводниковых однофотонных детекторов с способностью к разрешению до четырёх фотонов в коротком импульсе ИК излучения. Получен детектор, с системной квантовой эффективностью ~85% на λ=1550 нм. Продемонстрирована возможность его использования для распределения числа фотонов импульсного источника излучения. | ||||
| Address | Москва | ||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | МИЭМ НИУ ВШЭ | Place of Publication | Editor | ||
| Language | Russian | Summary Language | Original Title | ||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | Approved | no | |||
| Call Number | Serial | 1804 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Золотов, Ф. И.; Смирнов, К. В. | ||||
| Title | Особенности осаждения разупорядоченных сверхтонких плёнок нитрида ванадия | Type | Conference Article | ||
| Year | 2019 | Publication | Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского | Abbreviated Journal | |
| Volume | Issue | Pages | 204-205 | ||
| Keywords | VN films | ||||
| Abstract | В работе изучены особенности роста сверхтонких плёнок нитрида ванадия толщиной ~10 нм. Обнаружено, что при изменении температуры подложки и общего давления газов в процессе осаждения плёнок меняется значение их поверхностного сопротивления вблизи перехода к сверхпроводящему состоянию. | ||||
| Address | Москва | ||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | МИЭМ НИУ ВШЭ | Place of Publication | Editor | ||
| Language | Russian | Summary Language | Original Title | ||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | Approved | no | |||
| Call Number | Serial | 1805 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Smirnov, K. V.; Vakhtomin, Yu. B.; Divochiy, A. V.; Ozhegov, R. V.; Pentin, I. V.; Gol'tsman, G. N. | ||||
| Title | Infrared and terahertz detectors on basis of superconducting nanostructures | Type | Conference Article | ||
| Year | 2010 | Publication | Microwave and Telecom. Technol. (CriMiCo), 20th Int. Crimean Conf. | Abbreviated Journal | |
| Volume | Issue | Pages | 823-824 | ||
| Keywords | SSPD, SNSPD, HEB | ||||
| Abstract | Results of development of single-photon receiving systems of visible, infrared and terahertz range based on thin-film superconducting nanostructures are presented. The receiving systems are produced on the basis of superconducting nanostructures, which function by means of hot-electron phenomena. | ||||
| Address | |||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Place of Publication | Editor | IEEE | ||
| Language | Summary Language | Original Title | |||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | Approved | no | |||
| Call Number | RPLAB @ sasha @ smirnov2010infrared | Serial | 1025 | ||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Sáysz, Wojciech; Guziewicz, Marek; Bar, Jan; Wegrzecki, Maciej; Grabiec, Piotr; Grodecki, Remigiusz; Wegrzecka, Iwona; Zwiller, Val; Milosnaya, Irina; Voronov, Boris; Gol’tsman, Gregory; Kitaygorsky, Jen; Sobolewski, Roman | ||||
| Title | Superconducting NbN nanostructures for single photon quantum detectors | Type | Abstract | ||
| Year | 2008 | Publication | Proc. 7-th Int. Conf. Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons | Abbreviated Journal | Proc. 7-th Int. Conf. Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons |
| Volume | Issue | Pages | 160 | ||
| Keywords | SSPD, SNSPD | ||||
| Abstract | Practical quantum systems such as quantum communication (QC) or quantum measurement systems require detectors with high speed, high sensitivity, high quantum efficiency (QE), and short deadtimes along with precise timing characteristics and low dark counts. Superconducting single photon detectors (SSPDs) based on ultrathin meander type NbN nanostripes (operated at T=2-5K) are a new and highly promising type of devices fulfilling above requirements. In this paper we present results of the SSPDs nanostructure technological optimization. The base for our detector is thin-film (4nm) NbN layer deposited on 350- P m-thick sapphire substrate The active element of the detector is a meander- nanostructure made of 4-nm-thick and 100-nm-wide NbN stripe, covering 10 u 10 P m 2 area with the filling factor ~0,5. The NbN superconducting films were deposited on sapphire substrates by DC reactive magnetron sputtering whereas the meander element of the detector was patterned by the direct electron-beam lithography followed by reactive-ion etching. To enhance the SSPD efficiency at Ȝ = 1.55 P m, we have performed an approach to increase the absorption of the detector by integrating it with optical resonant cavity. An optical microcavity optimized for absorption of 1.55 P m photons was designed as an one-mirror resonator consisting of a Ȝ/4 dielectric layer and a metallic mirror. The microcavity was deposited on the top of the NbN SSPD meander. The resonator was formed by the dielectric SiO 2 layer and metal mirror made of gold or palladium. Microcavity layers were deposited using a magnetron sputtering system. | ||||
| Address | |||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Place of Publication | Editor | |||
| Language | Summary Language | Original Title | |||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | Approved | no | |||
| Call Number | Serial | 1409 | |||
| Permanent link to this record | |||||