| Records |
| Author |
Семенов, А. В.; Корнеев, А. А.; Лобанов, Ю. В.; Корнеева, Ю. П.; Рябчун, С. А.; Лаврова, О. С.; Третьяков, И. В.; Флоря, И. Н.; Силаев, М. А.; Кинев, Н. В.; Ковалюк, В. В.; Смирнов, К. В.; Гольцман, Г. Н. |
| Title |
Поляризация электромагнитной волны вблизи фокуса зеркала и системы зеркал в субтерагерцовом диапазоне частот |
Type |
Journal Article |
| Year |
2012 |
Publication |
Современные проблемы науки и образования |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
2 |
Pages |
|
| Keywords |
sub-terahertz radio telescope |
| Abstract |
Рассмотрено влияние оптической системы телескопа на поляризацию принимаемого электромагнитного сигнала. Описано изменение поляризации луча при отражении от произвольно ориентированной поверхности зеркала. Учтены искажения поляризации, обусловленные как отклонением лучей от первоначального направления, так и различием в коэффициентах отражения для разных поляризаций в случае неидеального отражения. В рамках метода Френеля получены оценочные формулы, дающие отношение амплитуд поля с исходной поляризацией и с поляризацией, перпендикулярной исходной, вблизи фокальной точки оптической системы. Формулы выведены для нескольких практически важных случаев, в том числе для параболического зеркала и системы двух зеркал. Оценена верхняя граница поляризационных искажений в пределах кружка Эйри. Полученные оценки согласуются с результатами численного расчёта для двухзеркального радиотелескопа субтерагерцового диапазона. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
9 страниц; УДК 535-47 |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1819 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Смирнов, К. В. |
| Title |
AlGaAs/GaAs смеситель на эффекте разогрева двумерных электронов для тепловизора субмиллиметрового диапазона |
Type |
Abstract |
| Year |
2003 |
Publication |
Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
181 |
| Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, mixer |
| Abstract |
|
| Address |
ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санк-Петербург |
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
VI Российской конференции по физике полупроводников (27-31 октября) |
| Notes |
Unconfirmed; Сама конференция, однако, была -- её упоминают: [http://www.nsc.ru/HBC/article.phtml?nid=271&id=17], [https://www.isp.nsc.ru/institut/nauchnye-podrazdeleniya/lab-20/publikatsii/2003], [http://www.ioffe.ru/sem_tech/sem%5Fteh%5Fmovpe%5Fpublications%5Fru.htm#R2003], [https://istina.ips.ac.ru/collections/828771/] |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1837 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Селиверстов, С. В.; Финкель, М. И.; Рябчун, С. А.; Воронов, Б. М.; Каурова, Н. С.; Селезнев, В. А.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Пентин, И. В.; Гольцман, Г. Н. |
| Title |
Терагерцевый сверхпроводниковый детектор с аттоджоулевым энергетическим разрешением и постоянной времени 25 пс |
Type |
Conference Article |
| Year |
2014 |
Publication |
Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
1 |
Issue |
|
Pages |
91-92 |
| Keywords |
NbN HEB |
| Abstract |
Представлены результаты измерения энергетического разрешения терагерцевого сверхпроводникового NbN-детектора на эффектеэлектронного разогрева, работающего при температуре около 10 К. Использование инновационной in situ технологии производства привело к существенному улучшению чувствительности детектора. Увеличение быстродействия детектора было достигнуто за счет реализации дополнительного диффузионного канала охла-ждения электронной подсистемы. Измеренное значение эквивалентной мощности шума на частоте 2.5 ТГц составило 2.0×10-13Вт•Гц-0.5, постоянной времени 25 пс. Соответствующее расчетное значение энергетического разрешения составило 2.5 аДж. |
| Address |
Нижний Новгород, Россия |
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1833 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
| Title |
Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов |
Type |
Journal Article |
| Year |
2010 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
44 |
Issue |
11 |
Pages |
1475-1478 |
| Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers |
| Abstract |
Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
Duplicated as 1216 |
Approved |
no |
| Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
702 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Смирнов, А. В.; Карманцов, М. С.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Мастеров, Д. В.; Тархов, М. А.; Павлов, С. А.; Парафин, А. Е. |
| Title |
Терагерцовый отклик болометров на основе тонких пленок YBCO |
Type |
Journal Article |
| Year |
2012 |
Publication |
ЖТФ |
Abbreviated Journal |
ЖТФ |
| Volume |
82 |
Issue |
12 |
Pages |
108-111 |
| Keywords |
YBCO HEB NEP |
| Abstract |
Представлены первые результаты измерения болометрического отклика высокотемпературных сверхпроводниковых детекторов на основе тонких пленок YBCO на электромагнитное излучение с частотой 2.5 THz. Минимальное значение оптической мощности, эквивалентной шуму созданных детекторов, составило 3.5· 10-9 W/sqrt(Hz)sqrt. Обсуждена возможность дальнейшего увеличения чувствительности исследуемых детекторов. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1825 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Золотов, Ф. И.; Смирнов, К. В. |
| Title |
Особенности осаждения разупорядоченных сверхтонких плёнок нитрида ванадия |
Type |
Conference Article |
| Year |
2019 |
Publication |
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
204-205 |
| Keywords |
VN films |
| Abstract |
В работе изучены особенности роста сверхтонких плёнок нитрида ванадия толщиной ~10 нм. Обнаружено, что при изменении температуры подложки и общего давления газов в процессе осаждения плёнок меняется значение их поверхностного сопротивления вблизи перехода к сверхпроводящему состоянию. |
| Address |
Москва |
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
МИЭМ НИУ ВШЭ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1805 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Мошкова, М. А.; Дивочий, А. В.; Морозов, П. В.; Антипов, А. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В. |
| Title |
Оценка статистики распределения фотонов с использованием многоэлементного сверхпроводникового однофотонного детектора |
Type |
Conference Article |
| Year |
2019 |
Publication |
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
201-202 |
| Keywords |
SSPD |
| Abstract |
Проведен сравнительный анализ топологий сверхпроводниковых однофотонных детекторов с способностью к разрешению до четырёх фотонов в коротком импульсе ИК излучения. Получен детектор, с системной квантовой эффективностью ~85% на λ=1550 нм. Продемонстрирована возможность его использования для распределения числа фотонов импульсного источника излучения. |
| Address |
Москва |
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
МИЭМ НИУ ВШЭ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1804 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Райтович, А. А.; Пентин, И. В.; Золотов, Ф. И.; Селезнев, В. А.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В. |
| Title |
Время энергетической релаксации электронов в сверхпроводниковых VN наноструктурах |
Type |
Conference Article |
| Year |
2018 |
Publication |
Сборник трудов 13 Всероссийской конференции молодых ученых |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
236-238 |
| Keywords |
VN films |
| Abstract |
|
| Address |
Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН |
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
Техно-Декор |
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика |
| Notes |
http://nnnph.ru/data/documents/Sborni-trudov-NNNF-2018.pdf |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1807 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Гершензон, Е. М.; Птицина, Н. Г.; Смирнов, К. В.; Чулкова, Г. М. |
| Title |
Исследования процессов неупругой релаксации и примесная спектроскопия-релаксометрия в двумерном электронном газе в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами |
Type |
Report |
| Year |
1995 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
| Keywords |
|
| Abstract |
В гетероструктурах GaAs/AlGaAs впервые прямым методом измерена температурная зависимость вpемени энеpгетической pелаксации двумерного электронного газа te(T) в широком диапазоне температур Т=1,5 – 50 К в квазиравновесных условиях. Для измерений использовался высокочувствительный спектрометр миллиметрового диапазона волн с высоким временным разрешением, который позволял измерять релаксационные времена до 150 пс с погрешностью не более 20%. Верхний предел температуры определялся временным разрешением спектрометра. Исследования проводились на высококачественных образцах с поверхностной концентрацией носителей ns = 4,2 1011 см-2 и подвижностью m = 7 105 см2В-1с-1 (при Т = 4,2К). В квазиравновесных условиях из температурной зависимости tе определен предел подвижности при низких температурах (T<4.2 K), связанный с рассеянием на пьезоакустическом потенциале, получено время неупругой релаксации, связанное с рассеянием на деформационном потенциале (15 K25 K), получено характерное время испускания оптического фонона (tLO>4,5пс), которое существенно превышает время сронтанного излучения оптического фонона (примерно в 30 раз), что связано с большой ролью процессов перепоглащения фононов электронами.При низких температурах проведены измерения tе в условиях сильного разогрева. Полученные значения tе и зависимость tе от температуры электронов Те совпадают с tе(Т) в квазиравновесных условиях при Т=Те. Из полученных значений tе(Те) построена зависимость мощности энергетических потерь от Те, которая хорошо согласуется с литературными данными.Начаты измерения в магнитном поле, которые показывают переспективность использованного нами метода измерений как в области слабых магнитных полей при факторе заполнения >10, так и в области сильных магнитных полей при факторе заполнения >1-2. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
Отчет о НИР/НИОКР; РФФИ: 95-02-06409-а; |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1831 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В. |
| Title |
Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе |
Type |
Book Whole |
| Year |
2012 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
| Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors |
| Abstract |
Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники. |
| Address |
Москва |
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
Прометей, МПГУ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
978-5-4263-0118-4 |
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
УДК: 537.311 |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1818 |
| Permanent link to this record |
