| Home | << 1 2 3 4 5 >> |
|
| Records | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Author | Verevkin, A.; Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Ptitsina, N. G.; Chulkova, G. M.; Smirnov, K. S.; Sobolewski, R. | ||||
| Title | Direct measurements of energy relaxation times in two-dimensional structures under quasi-equilibrium conditions | Type | Conference Article | ||
| Year | 2002 | Publication | Mater. Sci. Forum | Abbreviated Journal | Mater. Sci. Forum |
| Volume | 384-3 | Issue | Pages | 107-116 | |
| Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs | ||||
| Abstract | A new microwave technique was successfully applied for direct studies of energy relaxation times in two-dimensional AlGaAs/GaAs structures under quasi-equilibrium conditions in the nanosecond and picosecond time scale. We report our results of energy relaxation time measurements in the temperature range 1.6-50 K, in quantum Hall effect regime in magnetic fields up to 4 T. | ||||
| Address | |||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Place of Publication | Editor | |||
| Language | Summary Language | Original Title | |||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | Materials Science Forum | ||
| Notes | Approved | no | |||
| Call Number | Serial | 1536 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Смирнов, К. В. | ||||
| Title | AlGaAs/GaAs смеситель на эффекте разогрева двумерных электронов для тепловизора субмиллиметрового диапазона | Type | Abstract | ||
| Year | 2003 | Publication | Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников | Abbreviated Journal | |
| Volume | Issue | Pages | 181 | ||
| Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, mixer | ||||
| Abstract | |||||
| Address | ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санк-Петербург | ||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Place of Publication | Editor | |||
| Language | Summary Language | Original Title | |||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | VI Российской конференции по физике полупроводников (27-31 октября) | ||
| Notes | Unconfirmed; Сама конференция, однако, была -- её упоминают: [http://www.nsc.ru/HBC/article.phtml?nid=271&id=17], [https://www.isp.nsc.ru/institut/nauchnye-podrazdeleniya/lab-20/publikatsii/2003], [http://www.ioffe.ru/sem_tech/sem%5Fteh%5Fmovpe%5Fpublications%5Fru.htm#R2003], [https://istina.ips.ac.ru/collections/828771/] | Approved | no | ||
| Call Number | Serial | 1837 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Verevkin, A. A.; Ptitsina, N. G.; Chulcova, G. M.; Gol'tsman, G. N.; Gershenzon, E. M.; Yngvesson, K. S. | ||||
| Title | Direct measurements of energy relaxation time of electrons in AlGaAs/GaAs heterostructures under quasi-equilibrium conditions | Type | Journal Article | ||
| Year | 1996 | Publication | Surface Science | Abbreviated Journal | Surface Science |
| Volume | 361-362 | Issue | Pages | 569-573 | |
| Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures | ||||
| Abstract | For the first time, results are presented of a direct measurement of the energy relaxation time τε of 2D electrons in an AlGaAs/GaAs heterojunction at T = 1 and 5–20 K. A weak temperature dependence of τε for the T > 4K range and a linear temperature dependence of the reciprocal of τε for T < 4K have been observed. The linear dependence τε−1 ≈ T in the Bloch-Gruneisen regime is direct evidence of the predominance of the piezo-electric mechanism of electron-phonon interaction in non-elastic electron scattering processes. The values of τε in this regime are in very good agreement with the results of the Karpus theory. At higher temperatures, where the deformation-potential scattering becomes noticeable, a substantial disagreement between the experimental data and the theoretical results is observed. | ||||
| Address | |||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Place of Publication | Editor | |||
| Language | Summary Language | Original Title | |||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | 0039-6028 | ISBN | Medium | ||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | Approved | no | |||
| Call Number | Serial | 1609 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. | ||||
| Title | Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов | Type | Journal Article | ||
| Year | 2010 | Publication | Физика и техника полупроводников | Abbreviated Journal | |
| Volume | 44 | Issue | 11 | Pages | 1475-1478 |
| Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers | ||||
| Abstract | Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K. | ||||
| Address | |||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Place of Publication | Editor | |||
| Language | Summary Language | Original Title | |||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | Duplicated as 1216 | Approved | no | ||
| Call Number | RPLAB @ gujma @ | Serial | 702 | ||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Смирнов, Константин Владимирович; Чулкова, Галина Меркурьевна; Вахтомин, Юрий Борисович; Корнеев, Александр Александрович; Окунев, Олег Валерьевич; Дивочий, Александр Валерьевич; Семенов, Александр Владимирович; Гольцман, Григорий Наумович | ||||
| Title | Особенности разогрева и релаксации горячих электронов О-754 в тонкопленочных cверхпроводниковых наноструктурах и 2D полупроводниковых гетероструктурах при поглощении излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов | Type | Book Whole | ||
| Year | 2014 | Publication | Abbreviated Journal | ||
| Volume | Issue | Pages | |||
| Keywords | 2DEG | ||||
| Abstract | В монографии рассмотрены основные особенности эффекта электронного разогрева в тонких сверхпроводниковых пленках и полупроводниковых гетеропереходах, возникающего при поглощении носителями заряда излучений терагерцового и инфракрасного диапазонов. Значительная часть монографии посвящена представлению современных достижений при использовании указанного эффекта для создания приемных устройств с рекордными характеристиками: терагерцовых гетеродинных и болометрических приемников на основе сверхпроводниковых и полупроводниковых структур; сверхпроводниковых приемников одиночных ИК фотонов. В работе также подробно рассмотрены основы современной сверхпроводниковой тонкопленочной технологии. Монография может быть полезна студентам старших курсов, аспирантам и начинающим исследователям, работающим в области физики твердого тела, оптики, радиофизики. |
||||
| Address | Москва | ||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | МПГУ | Place of Publication | Editor | ||
| Language | Russian | Summary Language | Original Title | ||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | 978-5-4263-0145-0 | Medium | ||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | 240 страниц | Approved | no | ||
| Call Number | Serial | 1814 | |||
| Permanent link to this record | |||||