toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
List View
 |   | 
   print
  Author Title Year Publication Volume Pages Links (down)
Gayduchenko, I.; Fedorov, G.; Titova, N.; Moskotin, M.; Obraztsova, E.; Rybin, M.; Goltsman, G. Towards to the development of THz detectors based on carbon nanostructures 2018 J. Phys.: Conf. Ser. 1092 012039 (1 to 4) details   doi
Gayduchenko, I.; Xu, S. G.; Alymov, G.; Moskotin, M.; Tretyakov, I.; Taniguchi, T.; Watanabe, K.; Goltsman, G.; Geim, A. K.; Fedorov, G.; Svintsov, D.; Bandurin, D. A. Tunnel field-effect transistors for sensitive terahertz detection 2021 Nat. Commun. 12 543 details   doi
Fedorov, G. E.; Gaiduchenko, I. A.; Golikov, A. D.; Rybin, M. G.; Obraztsova, E. D.; Voronov, B. M.; Coquillat, D.; Diakonova, N.; Knap, W.; Goltsman, G. N.; Samartsev, V. V.; Vinogradov, E. A.; Naumov, A. V.; Karimullin, K. R. Response of graphene based gated nanodevices exposed to THz radiation 2015 EPJ Web of Conferences 103 10003 (1 to 2) details   doi
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда 1983 Физика и техника полупроводников 17 1873-1876 details   url
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ 1986 Физика и техника полупроводников 20 99-103 details   url
Select All    Deselect All
List View
 |   | 
   print

Save Citations:
Export Records: