|
Records |
Links ![sorted by URL field, ascending order (up)](img/sort_asc.gif) |
|
Author |
Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Масленников, С. Н.; Смирнов, К. В.; Поляков, С. Л.; Чжан, В.; Свечников, С. И.; Каурова, Н. С.; Гришина, Е. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
![goto web page (via DOI) doi](img/doi.gif)
|
|
Title |
Квазиоптические смесители терагерцового диапазона на основе эффекта разогрева электронов в тонких пленках NbN |
Type |
Conference Article |
|
Year |
2006 |
Publication |
Proc. 16th Int. Crimean Microwave and Telecommunication Technology |
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
2 |
Issue |
|
Pages |
688-689 |
|
|
Keywords |
NbN HEB mixers |
|
|
Abstract |
Представлены результаты измерения рактеристик смесителей на эффекте разогрева электронов в тонких сверхпроводниковых пленках NbN. Смесители были изготовлены на основе пленок NbN толщиной 2-3.5 нм осажденных на кремниевую подложку с буферным подсло- ем MgO. Смесительный элемент согласовывался с планар- ной логопериодической спиральной антенной. Лучшее зна- чение шумовой температуры приемника на основе NbN смесителя составило 1300 К и 3100 К на частотах гетеро- дина 2.5 TГц и 3.8 ТГц, соответственно. Максимальное зна- чение полосы преобразования, измеренной на частоте 900 |Ц, достигло значения 5.2 ГГц для смесителя изготовлен- ного из NbN пленки толщиной 2 нм. Оптимальная мощность Представлены результаты измерения ха- гетеродинного источника составила 1-3 мкВт для смесите- лей с различным объемом смесительного элемента. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Duplicated as 1445 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1446 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В. |
![find book details (via ISBN) isbn](img/isbn.gif)
|
|
Title |
Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе |
Type |
Book Whole |
|
Year |
2012 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
|
|
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors |
|
|
Abstract |
Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники. |
|
|
Address |
Москва |
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
Прометей, МПГУ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
978-5-4263-0118-4 |
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
УДК: 537.311 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1818 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Гершензон, Е. М.; Птицина, Н. Г.; Смирнов, К. В.; Чулкова, Г. М. |
![find record details (via OpenURL) openurl](img/xref.gif)
|
|
Title |
Исследования процессов неупругой релаксации и примесная спектроскопия-релаксометрия в двумерном электронном газе в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами |
Type |
Report |
|
Year |
1995 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
|
|
Keywords |
|
|
|
Abstract |
В гетероструктурах GaAs/AlGaAs впервые прямым методом измерена температурная зависимость вpемени энеpгетической pелаксации двумерного электронного газа te(T) в широком диапазоне температур Т=1,5 – 50 К в квазиравновесных условиях. Для измерений использовался высокочувствительный спектрометр миллиметрового диапазона волн с высоким временным разрешением, который позволял измерять релаксационные времена до 150 пс с погрешностью не более 20%. Верхний предел температуры определялся временным разрешением спектрометра. Исследования проводились на высококачественных образцах с поверхностной концентрацией носителей ns = 4,2 1011 см-2 и подвижностью m = 7 105 см2В-1с-1 (при Т = 4,2К). В квазиравновесных условиях из температурной зависимости tе определен предел подвижности при низких температурах (T<4.2 K), связанный с рассеянием на пьезоакустическом потенциале, получено время неупругой релаксации, связанное с рассеянием на деформационном потенциале (15 K25 K), получено характерное время испускания оптического фонона (tLO>4,5пс), которое существенно превышает время сронтанного излучения оптического фонона (примерно в 30 раз), что связано с большой ролью процессов перепоглащения фононов электронами.При низких температурах проведены измерения tе в условиях сильного разогрева. Полученные значения tе и зависимость tе от температуры электронов Те совпадают с tе(Т) в квазиравновесных условиях при Т=Те. Из полученных значений tе(Те) построена зависимость мощности энергетических потерь от Те, которая хорошо согласуется с литературными данными.Начаты измерения в магнитном поле, которые показывают переспективность использованного нами метода измерений как в области слабых магнитных полей при факторе заполнения >10, так и в области сильных магнитных полей при факторе заполнения >1-2. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Отчет о НИР/НИОКР; РФФИ: 95-02-06409-а; |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1831 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Райтович, А. А.; Пентин, И. В.; Золотов, Ф. И.; Селезнев, В. А.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В. |
![find record details (via OpenURL) openurl](img/xref.gif)
|
|
Title |
Время энергетической релаксации электронов в сверхпроводниковых VN наноструктурах |
Type |
Conference Article |
|
Year |
2018 |
Publication |
Сборник трудов 13 Всероссийской конференции молодых ученых |
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
236-238 |
|
|
Keywords |
VN films |
|
|
Abstract |
|
|
|
Address |
Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН |
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
Техно-Декор |
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика |
|
|
Notes |
http://nnnph.ru/data/documents/Sborni-trudov-NNNF-2018.pdf |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1807 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Мошкова, М. А.; Дивочий, А. В.; Морозов, П. В.; Антипов, А. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В. |
![find record details (via OpenURL) openurl](img/xref.gif)
|
|
Title |
Оценка статистики распределения фотонов с использованием многоэлементного сверхпроводникового однофотонного детектора |
Type |
Conference Article |
|
Year |
2019 |
Publication |
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского |
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
201-202 |
|
|
Keywords |
SSPD |
|
|
Abstract |
Проведен сравнительный анализ топологий сверхпроводниковых однофотонных детекторов с способностью к разрешению до четырёх фотонов в коротком импульсе ИК излучения. Получен детектор, с системной квантовой эффективностью ~85% на λ=1550 нм. Продемонстрирована возможность его использования для распределения числа фотонов импульсного источника излучения. |
|
|
Address |
Москва |
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
МИЭМ НИУ ВШЭ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1804 |
|
Permanent link to this record |