Author |
Title |
Year |
Publication |
DOI |
Гершензон, Е. М.; Мельников, А. П.; Рабинович, Р. И.; Смирнова, В. Б. |
О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
|
Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.; Ригер, Е. Р. |
Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии |
1984 |
Физика и техника полупроводников |
|
Nebosis, R. S.; Heusinger, M. A.; Semenov, A. D.; Lang, P. T.; Schatz, W.; Steinke, R.; Renk, K. F.; Gol'tsman, G. N.; Karasik, B. S.; Gershenzon, E. M. |
Ultrafast photoresponse of an YBa2Cu3O7-δ film to far-infrared radiation pulses |
1993 |
Opt. Lett. |
10.1364/ol.18.000096 |
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G.; Ptitsina, N. G. |
Energy spectrum of free excitons in germanium |
1973 |
JETP Lett. |
|
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. |
О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии |
1984 |
Физика и техника полупроводников |
|
Ryabchun, Sergey; Tong, Cheuk-Yu Edward; Blundell, Raymond; Gol'tsman, Gregory |
Stabilization scheme for hot-electron bolometer receivers using microwave radiation |
2009 |
IEEE Trans. Appl. Supercond. |
10.1109/TASC.2008.2008398 |
Ryabchun, Sergey; Tong, Cheuk-Yu Edward; Paine, Scott; Lobanov, Yury; Blundell, Raymond; Goltsman, Gregory |
Temperature resolution of an HEB receiver at 810 GHz |
2009 |
IEEE Trans. Appl. Supercond. |
10.1109/TASC.2009.2019585 |
Yang, Z. Q.; Hajenius, M.; Baselmans, J. J. A.; Gao, J. R.; Voronov, B.; Gol’tsman, G. N. |
Reduced noise in NbN hot-electron bolometer mixers by annealing |
2006 |
Supercond. Sci. Technol. |
10.1088/0953-2048/19/4/L01 |
Somani, S.; Kasapi, S.; Wilsher, K.; Lo, W.; Sobolewski, R.; Gol’tsman, G. |
New photon detector for device analysis: Superconducting single-photon detector based on a hot electron effect |
2001 |
J. Vac. Sci. Technol. B |
10.1116/1.1412899 |
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. |
Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца |
1985 |
Физика и техника полупроводников |
|