| Author |
Title |
Year  |
Publication |
Volume |
Pages |
| Hesler, J. L.; Hall, W. R.; Crowe, T. W.; Weikle, R. M.; Bradley, R. F.; Pan, Shing-Kuo |
Submm wavelenght waveguide mixers using planar Schottky barier diods |
1996 |
Proc. 7th Int. Symp. Space Terahertz Technol. |
|
462 |
| - |
ГОСТ Р 15.011-96. Патентные исследования. Содержание и порядок проведения |
1996 |
|
|
|
| Kawamura, J.; Blundell, R.; Tong, C.-Y. E.; Golts'man, G.; Gershenzon, E.; Voronov B. |
Superconductive NbN hot-electron bolometric mixer performance at 250 GHz |
1996 |
Proc. 7th Int. Symp. Space Terahertz Technol. |
|
331-336 |
| Kerr, A. R.; Feldman, M. J.; Pan, S.-K. |
Receiver noise temperature, the quantum noise limit, and the role of the zero-point fluctuations |
1996 |
Electronics division internal report NO. 304 |
|
1-10 |
| Kawamura, J.; Blundell, R.; Tong, C.-Y. E.; Gol'tsman, G.; Gershenzon, E.; Voronov, B. |
NbN hot-electron mixer measurements at 200 GHz |
1995 |
Proc. 6th Int. Symp. Space Terahertz Technol. |
|
254-261 |
| Hong, Kyushik; Marsh, P. F.; Geok-Ing Ng; Pavlidis, D.; Hong, Chang-Hee |
Optimization of MOVPE grown InxAl1-xAs/In0.53Ga0.47As planar heteroepitaxial Schottky diodes for terahertz applications |
1994 |
IEEE Trans. Electron Devices |
41 |
1489-1497 |
| Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе |
1991 |
Физика и техника полупроводников |
25 |
1986-1998 |
| Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
2145-2150 |
| Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
3-24 |
| Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. |
Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ |
1986 |
Физика и техника полупроводников |
20 |
99-103 |
