|
|
Hesler, J. L., Hall, W. R., Crowe, T. W., Weikle, R. M., Bradley, R. F., & Pan, S. - K. (1996). Submm wavelenght waveguide mixers using planar Schottky barier diods. In Proc. 7th Int. Symp. Space Terahertz Technol. (462).
|
|
|
|
-. (1996). ГОСТ Р 15.011-96. Патентные исследования. Содержание и порядок проведения.
|
|
|
|
Kawamura, J., Blundell, R., Tong, C. - Y. E., Golts'man, G., Gershenzon, E., & Voronov B. (1996). Superconductive NbN hot-electron bolometric mixer performance at 250 GHz. In Proc. 7th Int. Symp. Space Terahertz Technol. (pp. 331–336).
Abstract: Thin film NbN (<40 A) strips are used as waveguide mixer elements. The electron cooling mechanism for the geometry is the electron-phonon interaction. We report a receiver noise temperature of 750 K at 244 GHz, with / IF = 1.5 GHz, Af= 500 MHz, and Tphysical = 4 K. The instantaneous bandwidth for this mixer is 1.6 GHz. The local oscillator (LO) power is 0.5 1.tW with 3 dB-uncertainty. The mixer is linear to 1 dB up to an input power level 6 dB below the LO power. We report the first detection of a molecular line emission using this class of mixer, and that the receiver noise temperature determined from Y-factor measurements reflects the true heterodyne sensitivity.
|
|
|
|
Kerr, A. R., Feldman, M. J., & Pan, S. - K. (1996). Receiver noise temperature, the quantum noise limit, and the role of the zero-point fluctuations. Electronics division internal report NO. 304, , 1–10.
|
|
|
|
Kawamura, J., Blundell, R., Tong, C. - Y. E., Gol'tsman, G., Gershenzon, E., & Voronov, B. (1995). NbN hot-electron mixer measurements at 200 GHz. In Proc. 6th Int. Symp. Space Terahertz Technol. (pp. 254–261).
Abstract: We present noise and gain measurements of resistively driven NbN hot-electron mixers near 200 GHz. The device geometry is chosen so that the dominant cooling process of the hot-electrons is their interaction with the lattice. Except for a single batch, the intermediate frequency cut-off of these mixer elements is – 3 700 MHz, and has shown little variation among other batches of devices. At 100 MHz we measured intrinsic mixer losses as low as —3 dB. We measured the noise temperatures at several intermediate frequencies, and for the best de- vice at 137 MHz with 20 MHz bandwidth, we measured 2000 K; using a low-noise first- stage amplifier at 1.5 GHz with 200 MHz bandwidth, the receiver noise temperature measured 2800 K. We estimate that the noise contribution from the mixer is 500 K and the total losses are —15 dB at 137 MHz.
|
|
|
|
Hong, K., Marsh, P. F., Geok-Ing Ng, Pavlidis, D., & Hong, C. - H. (1994). Optimization of MOVPE grown InxAl1-xAs/In0.53Ga0.47As planar heteroepitaxial Schottky diodes for terahertz applications. IEEE Trans. Electron Devices, 41(9), 1489–1497.
|
|
|
|
Гершензон, Е. М., Грачев, С. А., & Литвак-Горская, Л. Б. (1991). Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе. Физика и техника полупроводников, 25(11), 1986–1998.
Abstract: Проведено комплексное исследование n-InSb смесителя на λ=2.6 мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при E=0−2 В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне T=1.6−20 K, высокочастотной проводимости при f=0.5−10 МГц и магнитосопротивления при H=0−5 кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном n-InSb (K≥0.8), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам n-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн.
|
|
|
|
Банная, В. Ф., Веселова, Л. И., Гершензон, Е. М., Гусинский, Э. Н., & Литвак-Горская, Л. Б. (1990). Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла. Физика и техника полупроводников, 24(12), 2145–2150.
Abstract: На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая.
|
|
|
|
Гальперин, Ю. М., Гершензон, Е. М., Дричко, И. Л., & Литвак-Горская, Л. Б. (1990). Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах. Физика и техника полупроводников, 24(1), 3–24.
Abstract: Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb.
|
|
|
|
Гершензон, Е. М., Литвак-Горская, Л. Б., Луговая, Г. Я., & Шапиро, Е. З. (1986). Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩. Физика и техника полупроводников, 20(1), 99–103.
Abstract: В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph.
|
|
