| Home | [11–20] << 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 >> [31–40] |
|
| Records | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Author | Смирнов, Константин Владимирович; Чулкова, Галина Меркурьевна; Вахтомин, Юрий Борисович; Корнеев, Александр Александрович; Окунев, Олег Валерьевич; Дивочий, Александр Валерьевич; Семенов, Александр Владимирович; Гольцман, Григорий Наумович | ||||
| Title | Особенности разогрева и релаксации горячих электронов О-754 в тонкопленочных cверхпроводниковых наноструктурах и 2D полупроводниковых гетероструктурах при поглощении излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов | Type | Book Whole | ||
Year  |
2014 | Publication | Abbreviated Journal | ||
| Volume | Issue | Pages | |||
| Keywords | 2DEG | ||||
| Abstract | В монографии рассмотрены основные особенности эффекта электронного разогрева в тонких сверхпроводниковых пленках и полупроводниковых гетеропереходах, возникающего при поглощении носителями заряда излучений терагерцового и инфракрасного диапазонов. Значительная часть монографии посвящена представлению современных достижений при использовании указанного эффекта для создания приемных устройств с рекордными характеристиками: терагерцовых гетеродинных и болометрических приемников на основе сверхпроводниковых и полупроводниковых структур; сверхпроводниковых приемников одиночных ИК фотонов. В работе также подробно рассмотрены основы современной сверхпроводниковой тонкопленочной технологии. Монография может быть полезна студентам старших курсов, аспирантам и начинающим исследователям, работающим в области физики твердого тела, оптики, радиофизики. |
||||
| Address | Москва | ||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | МПГУ | Place of Publication | Editor | ||
| Language | Russian | Summary Language | Original Title | ||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | 978-5-4263-0145-0 | Medium | ||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | 240 страниц | Approved | no | ||
| Call Number | Serial | 1814 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Гольцман, Григорий Наумович; Корнеев, Александр Александрович; Антипов, Андрей Владимирович; Минаева, Ольга Вячеславовна; Дивочий, Александр Валерьевич; Антипов, Сергей Владимирович; Вахтомин, Юрий Борисович; Смирнов, Константин Владимирович | ||||
| Title | Способ фильтрации фонового излучения инфракрасного диапазона | Type | Patent | ||
| Year |
2014 | Publication | Abbreviated Journal | ||
| Volume | Issue | RU 2510056 C1 | Pages | ||
| Keywords | |||||
| Abstract | Изобретение относится к способам уменьшения интенсивности фонового излучения инфракрасного диапазона. Способ фильтрации фонового излучения инфракрасного диапазона, падающего на сверхпроводниковый однофотонный детектор, включает передачу излучения инфракрасного диапазона с длиной волны 0,4-1,8 микрометров на сверхпроводниковый однофотонный детектор при помощи одномодового волокна, частично находящегося при температуре 4,0-4,4 К. При этом длина охлаждаемого участка одномодового волокна составляет 0,2-3,5 м. Технический результат заключается в повышении надежности работы фотонных детекторов. 2 з.п. ф-лы. | ||||
| Address | |||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Place of Publication | Editor | |||
| Language | Summary Language | Original Title | |||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | Approved | no | |||
| Call Number | Serial | 1815 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Антипов, Андрей Владимирович; Дивочий, Александр Валерьевич; Вахтомин, Юрий Борисович; Финкель, Матвей Ильич; Смирнов, Константин Владимирович | ||||
| Title | Способ прецизионного позиционирования чувствительного элемента фотонного детектора | Type | Patent | ||
| Year |
2014 | Publication | Abbreviated Journal | ||
| Volume | Issue | RU 2506664 C1 | Pages | ||
| Keywords | |||||
| Abstract | Изобретение относится к способам, позволяющим производить совмещение фотонных детекторов относительно оптического излучения. Способ прецизионного позиционирования чувствительного элемента фотонного детектора относительно амплитудно-модулированного оптического излучения включает смещение чувствительного элемента фотонного детектора постоянным током с последующей регистрацией электрического сигнала, возникающего на контактах детектора на частоте модуляции излучения. Полученный при этом сигнал используют как параметр, определяющий качество позиционирования. Обеспечивается повышение технико-эксплуатационных характеристик детектора. | ||||
| Address | |||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Place of Publication | Editor | |||
| Language | Summary Language | Original Title | |||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | Approved | no | |||
| Call Number | Serial | 1816 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Селиверстов, С. В.; Финкель, М. И.; Рябчун, С. А.; Воронов, Б. М.; Каурова, Н. С.; Селезнев, В. А.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Пентин, И. В.; Гольцман, Г. Н. | ||||
| Title | Терагерцевый сверхпроводниковый детектор с аттоджоулевым энергетическим разрешением и постоянной времени 25 пс | Type | Conference Article | ||
| Year |
2014 | Publication | Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» | Abbreviated Journal | |
| Volume | 1 | Issue | Pages | 91-92 | |
| Keywords | NbN HEB | ||||
| Abstract | Представлены результаты измерения энергетического разрешения терагерцевого сверхпроводникового NbN-детектора на эффектеэлектронного разогрева, работающего при температуре около 10 К. Использование инновационной in situ технологии производства привело к существенному улучшению чувствительности детектора. Увеличение быстродействия детектора было достигнуто за счет реализации дополнительного диффузионного канала охла-ждения электронной подсистемы. Измеренное значение эквивалентной мощности шума на частоте 2.5 ТГц составило 2.0×10-13Вт•Гц-0.5, постоянной времени 25 пс. Соответствующее расчетное значение энергетического разрешения составило 2.5 аДж. | ||||
| Address | Нижний Новгород, Россия | ||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Place of Publication | Editor | |||
| Language | Russian | Summary Language | Original Title | ||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | Approved | no | |||
| Call Number | Serial | 1833 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Бурмистрова, А. В.; Девятов, И. А. | ||||
| Title | Расчет электронного транспорта в гетероструктурах, содержащих многозонные сверхпроводники | Type | Conference Article | ||
| Year |
2014 | Publication | Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» | Abbreviated Journal | |
| Volume | 1 | Issue | Pages | 21-22 | |
| Keywords | N/I/Sp junctions | ||||
| Abstract | В рамках приближения сильной связи теоретически рассчитаны проводимости контактов вида нормальный металл/изолятор/одноорбитальный сверхпроводник с p-типом сверхпроводящего спаривания (N/I/Sp). Объяснено наблюдаемое экспериментально как появление пика при нулевом напряжении, так и его расщепление в зависимости от толщины слоя изолятора. В рамках этой же микроскопической теории развит вариант техники решеточной функции Грина в мацубаровом представлении. Используя разработанный подход, рассчитаны фазовые и температурные зависимости тока Джозефсона для контакта сверхпроводника s-типа и многозонного железосодержащего сверхпроводника (ферропниктида) для различных ориентаций границы по отношению к кристаллографическим осям пниктида. | ||||
| Address | Нижний Новгород, Россия | ||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Place of Publication | Editor | |||
| Language | Russian | Summary Language | Original Title | ||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | Approved | no | |||
| Call Number | Serial | 1834 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Кардакова, А. И.; Финкель, М. И.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Ан, П. П.; Гольцман, Г. Н. | ||||
| Title | Время электрон-фононного взаимодействия в сверхпроводниковых пленках нитрида титана | Type | Conference Article | ||
| Year |
2014 | Publication | Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» | Abbreviated Journal | |
| Volume | 1 | Issue | Pages | 47-48 | |
| Keywords | TiN films | ||||
| Abstract | Определены времена электрон-фононного взаимодействия в тонких сверхпроводниковых пленках нитрида титана. Измеренные значения τ_eph находятся в диапазоне от 5.5 нс до 88 нс при температурах 4,2 К и 1,7 К, соответственно, и соответствуют температурной зависимости Т^-3. | ||||
| Address | Нижний Новгород, Россия | ||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Place of Publication | Editor | |||
| Language | Russian | Summary Language | Original Title | ||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | Approved | no | |||
| Call Number | Serial | 1835 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Корнеева, Ю. П.; Михайлов, М. М.; Манова, Н. Н.; Дивочий, А. А.; Корнеев, А. А.; Вахтомин, Ю. Б.; Першин, Ю. П.; Гольцман, Г. Н. | ||||
| Title | Сверхпроводниковый однофотонный детектор на основе аморфных пленок MoSi | Type | Conference Article | ||
| Year |
2014 | Publication | Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» | Abbreviated Journal | |
| Volume | 1 | Issue | Pages | 53-54 | |
| Keywords | MoSi SSPD | ||||
| Abstract | Нами были изготовлены и исследованы однофотонные детекторы на основе сверхпроводящих пленок Mo x Si 1-x двух различных стехиометрий: Mo 3 Si и Mo 4 Si. При температуре 1.7 К лучшие детекторы площадью 7 мкм*7 мкм на основе этих пленок продемонстрировали системную квантовую эффективность 18% при скорости темнового счета 10 с -1 на длине волны 1.2 мкм с использованием неполяризованного источника, длительность импульса – 6 нс, джиттер – 120 пс. | ||||
| Address | Нижний Новгород, Россия | ||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Place of Publication | Editor | |||
| Language | Russian | Summary Language | Original Title | ||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | Approved | no | |||
| Call Number | Serial | 1836 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Kardakova, A.; Finkel, M.; Morozov, D.; Kovalyuk, V.; An, P.; Dunscombe, C.; Tarkhov, M.; Mauskopf, P.; Klapwijk, T.M.; Goltsman, G. | ||||
| Title | The electron-phonon relaxation time in thin superconducting titanium nitride films | Type | Journal Article | ||
| Year |
2013 | Publication | Appl. Phys. Lett. | Abbreviated Journal | Appl. Phys. Lett. |
| Volume | 103 | Issue | 25 | Pages | 252602 (1 to 4) |
| Keywords | disordered TiN films, electron-phonon relaxation time | ||||
| Abstract | We report on the direct measurement of the electron-phonon relaxation time, τeph, in disordered TiN films. Measured values of τeph are from 5.5 ns to 88 ns in the 4.2 to 1.7 K temperature range and consistent with a T−3 temperature dependence. The electronic density of states at the Fermi level N0 is estimated from measured material parameters. The presented results confirm that thin TiN films are promising candidate-materials for ultrasensitive superconducting detectors. The work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation, Contract No. 14.B25.31.0007 and by the RFBR Grant No. 13-02-91159. |
||||
| Address | |||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Place of Publication | Editor | |||
| Language | Summary Language | Original Title | |||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | ISBN | Medium | |||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | Approved | no | |||
| Call Number | RPLAB @ kovalyuk @ | Serial | 941 | ||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Kovalyuk, V.; Hartmann, W.; Kahl, O.; Kaurova, N.; Korneev, A.; Goltsman, G.; Pernice, W. H. P. | ||||
| Title | Absorption engineering of NbN nanowires deposited on silicon nitride nanophotonic circuits | Type | Journal Article | ||
| Year |
2013 | Publication | Opt. Express | Abbreviated Journal | Opt. Express |
| Volume | 21 | Issue | 19 | Pages | 22683-22692 |
| Keywords | SSPD, SNSPD, NbN nanoeires, Si3N4 waveguides | ||||
| Abstract | We investigate the absorption properties of U-shaped niobium nitride (NbN) nanowires atop nanophotonic circuits. Nanowires as narrow as 20nm are realized in direct contact with Si3N4 waveguides and their absorption properties are extracted through balanced measurements. We perform a full characterization of the absorption coefficient in dependence of length, width and separation of the fabricated nanowires, as well as for waveguides with different cross-section and etch depth. Our results show excellent agreement with finite-element analysis simulations for all considered parameters. The experimental data thus allows for optimizing absorption properties of emerging single-photon detectors co-integrated with telecom wavelength optical circuits. | ||||
| Address | |||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Place of Publication | Editor | |||
| Language | Summary Language | Original Title | |||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | 1094-4087 | ISBN | Medium | ||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | PMID:24104155 | Approved | no | ||
| Call Number | Serial | 1213 | |||
| Permanent link to this record | |||||
| Author | Schuck, C.; Pernice, W. H. P.; Minaeva, O.; Li, Mo; Gol'tsman, G.; Sergienko, A. V.; Tang, H. X. | ||||
| Title | Matrix of integrated superconducting single-photon detectors with high timing resolution | Type | Journal Article | ||
| Year |
2013 | Publication | IEEE Trans. Appl. Supercond. | Abbreviated Journal | IEEE Trans. Appl. Supercond. |
| Volume | 23 | Issue | 3 | Pages | 2201007-2201007 |
| Keywords | NbN SSPD, SNSPD, array, matrix | ||||
| Abstract | We demonstrate a large grid of individually addressable superconducting single photon detectors on a single chip. Each detector element is fully integrated into an independent waveguide circuit with custom functionality at telecom wavelengths. High device density is achieved by fabricating the nanowire detectors in traveling wave geometry directly on top of silicon-on-insulator waveguides. Our superconducting single photon detector matrix includes detector designs optimized for high detection efficiency, low dark count rate, and high timing accuracy. As an example, we exploit the high timing resolution of a particularly short nanowire design to resolve individual photon round-trips in a cavity ring-down measurement of a silicon ring resonator. | ||||
| Address | |||||
| Corporate Author | Thesis | ||||
| Publisher | Place of Publication | Editor | |||
| Language | Summary Language | Original Title | |||
| Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
| Series Volume | Series Issue | Edition | |||
| ISSN | 1051-8223 | ISBN | Medium | ||
| Area | Expedition | Conference | |||
| Notes | Approved | no | |||
| Call Number | Serial | 1373 | |||
| Permanent link to this record | |||||