|
|
Ожегов РВ, Морозов ДВ, Масленников СН, Смирнов КВ, Окунев ОВ, Гольцман ГН. Тепловизор субмиллиметрового диапазона волн для регистрации теплового излучения тела человека и обнаружения скрытых под одеждой предметов. In: 3-я Международная выставка и конференция Неразрушающий контроль и техническая диагностика в промышленности. Москва; 2004.
|
|
|
|
Ожегов РВ, Масленников СН, Морозов ДВ, Окунев ОВ, Смирнов КВ, Гольцман ГН. Тепловизор субмиллиметрового диапазона длин волн. In: Десятая всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-10). Москва; 2004.
|
|
|
|
Масленников СН, Вахтомин ЮБ, Антипов СВ, Смирнов КВ, Каурова НС, Гришина ЕВ, et al. Смесители на основе электронного разогрева в тонких пленках NbN для частот 2.5 и 3.8 ТГц. In: Десятая всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-10). Москва; 2004.
|
|
|
|
Каурова НС, Финкель МИ, Масленников СН, Вахтомин ЮБ, Антипов СВ, Смирнов КВ, et al. Смеситель субмиллиметрового диапазона длин волн на основе тонкой пленки YBa2Cu3O7-x. In: 1-я международная конференция Фундаментальные проблемы высокотемпературной сверхпроводимости. Москва-Звенигород; 2004. 291.
|
|
|
|
Райтович АА, Пентин ИВ, Золотов ФИ, Селезнев ВА, Вахтомин ЮБ, Смирнов КВ. Время энергетической релаксации электронов в сверхпроводниковых VN наноструктурах. In: Сборник трудов 13 Всероссийской конференции молодых ученых. Техно-Декор; 2018. p. 236–8.
|
|
|
|
Смирнов КВ. AlGaAs/GaAs смеситель на эффекте разогрева двумерных электронов для тепловизора субмиллиметрового диапазона [abstract]. In: Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников.; 2003. 181.
|
|
|
|
Гольцман ГН, Веревкин АА, Гершензон ЕМ, Птицина НГ, Смирнов КВ, Чулкова ГМ. Исследования процессов неупругой релаксации и примесная спектроскопия-релаксометрия в двумерном электронном газе в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами.; 1995.
Abstract: В гетероструктурах GaAs/AlGaAs впервые прямым методом измерена температурная зависимость вpемени энеpгетической pелаксации двумерного электронного газа te(T) в широком диапазоне температур Т=1,5 – 50 К в квазиравновесных условиях. Для измерений использовался высокочувствительный спектрометр миллиметрового диапазона волн с высоким временным разрешением, который позволял измерять релаксационные времена до 150 пс с погрешностью не более 20%. Верхний предел температуры определялся временным разрешением спектрометра. Исследования проводились на высококачественных образцах с поверхностной концентрацией носителей ns = 4,2 1011 см-2 и подвижностью m = 7 105 см2В-1с-1 (при Т = 4,2К). В квазиравновесных условиях из температурной зависимости tе определен предел подвижности при низких температурах (T<4.2 K), связанный с рассеянием на пьезоакустическом потенциале, получено время неупругой релаксации, связанное с рассеянием на деформационном потенциале (15 K25 K), получено характерное время испускания оптического фонона (tLO>4,5пс), которое существенно превышает время сронтанного излучения оптического фонона (примерно в 30 раз), что связано с большой ролью процессов перепоглащения фононов электронами.При низких температурах проведены измерения tе в условиях сильного разогрева. Полученные значения tе и зависимость tе от температуры электронов Те совпадают с tе(Т) в квазиравновесных условиях при Т=Те. Из полученных значений tе(Те) построена зависимость мощности энергетических потерь от Те, которая хорошо согласуется с литературными данными.Начаты измерения в магнитном поле, которые показывают переспективность использованного нами метода измерений как в области слабых магнитных полей при факторе заполнения >10, так и в области сильных магнитных полей при факторе заполнения >1-2.
|
|
|
|
Золотов ФИ, Смирнов КВ. Особенности осаждения разупорядоченных сверхтонких плёнок нитрида ванадия. In: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского. МИЭМ НИУ ВШЭ; 2019. p. 204–5.
Abstract: В работе изучены особенности роста сверхтонких плёнок нитрида ванадия толщиной ~10 нм. Обнаружено, что при изменении температуры подложки и общего давления газов в процессе осаждения плёнок меняется значение их поверхностного сопротивления вблизи перехода к сверхпроводящему состоянию.
|
|
|
|
Казаков АЮ, Селиверстов СВ, Дивочий АВ, Смирнов КВ, Финкель МИ, Вахтомин ЮБ. Возможность применения сверхпроводниковых материалов в качестве отражающего покрытия зеркала телескопа, предназначенного для наблюдений анизотропии реликтового излучения. Преподаватель ХХI век. 2012;(3):221–4.
Abstract: В статье исследуется возможность использования сверхпроводящего материала в качестве отражающего слоя зеркала субмиллиметрового телескопа, охлажденного до криогенных температур и предназначенного для наблюдений реликтового излучения. Для нескольких сверхпроводниковых материалов вычислен диапазон частот, в котором флуктуации теплового излучения покрытия меньше флуктуаций источника. Показана перспективность применения покрытия из Nb3Ge.
|
|
|
|
Корнеева ЮП, Трифонов АВ, Вахтомин ЮБ, Смирнов КВ, Корнеев АА, Рябчун СА, et al. Расчет согласующего оптического резонатора для сверхпроводникового нанополоскового детектора. Преподаватель ХХI век. 2012;(3):225–7.
Abstract: В статье произведен расчет резонатора, предназначенного для согласования сверхпроводникового нанополоскового однофотонного детектора с оптическим сигналом. Показано, что для детектора, выполненного из пленки с типичным сопротивлением квадрата 500 Ом и коэффициентом заполнения 0.5 коэффициент согласования с излучением, поляризованным параллельно полоскам детектора, достигает величины около 60%.
|
|
