|
|
Семенов АВ, Корнеев АА, Лобанов ЮВ, Корнеева ЮП, Рябчун СА, Лаврова ОС, et al. Поляризация электромагнитной волны вблизи фокуса зеркала и системы зеркал в субтерагерцовом диапазоне частот. Современные проблемы науки и образования. 2012;(2).
Abstract: Рассмотрено влияние оптической системы телескопа на поляризацию принимаемого электромагнитного сигнала. Описано изменение поляризации луча при отражении от произвольно ориентированной поверхности зеркала. Учтены искажения поляризации, обусловленные как отклонением лучей от первоначального направления, так и различием в коэффициентах отражения для разных поляризаций в случае неидеального отражения. В рамках метода Френеля получены оценочные формулы, дающие отношение амплитуд поля с исходной поляризацией и с поляризацией, перпендикулярной исходной, вблизи фокальной точки оптической системы. Формулы выведены для нескольких практически важных случаев, в том числе для параболического зеркала и системы двух зеркал. Оценена верхняя граница поляризационных искажений в пределах кружка Эйри. Полученные оценки согласуются с результатами численного расчёта для двухзеркального радиотелескопа субтерагерцового диапазона.
|
|
|
|
Шангина ЕЛ, Смирнов КВ, Морозов ДВ, Ковалюк ВВ, Гольцман ГН, Веревкин АА, et al. Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов. Физика и техника полупроводников. 2010;44(11):1475–8.
Abstract: Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K.
|
|
|
|
Шангина ЕЛ, Смирнов КВ, Морозов ДВ, Ковалюк ВВ, Гольцман ГН, Веревкин АА, et al. Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs. Изв РАН Сер Физ. 2010;74(1):110–2.
Abstract: Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением при Т = 4.2 К измерена концентрационная зависимость полосы преобразования гетеродинного детектирования гетероструктур AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. С увеличением концентрации двумерных электронов ns = (1.6–6.6) · 1011см-2 ширина полосы преобразования f3dB уменьшается от 245 до 145 МГц. В исследованной области концентраций наблюдается зависимость f3dB , обусловленная рассеянием электронов на деформационном потенциале акустических фононов и пьезоэлектрическим рассеянием.
|
|
|
|
Вахтомин ЮБ, Антипов СВ, Масленников СН, Смирнов КВ, Поляков СЛ, Чжан В, et al. Квазиоптические смесители терагерцового диапазона на основе эффекта разогрева электронов в тонких пленках NbN. In: Proc. 16th Int. Crimean Microwave and Telecommunication Technology. Vol 2.; 2006. p. 688–9.
Abstract: Представлены результаты измерения рактеристик смесителей на эффекте разогрева электронов в тонких сверхпроводниковых пленках NbN. Смесители были изготовлены на основе пленок NbN толщиной 2-3.5 нм осажденных на кремниевую подложку с буферным подсло- ем MgO. Смесительный элемент согласовывался с планар- ной логопериодической спиральной антенной. Лучшее зна- чение шумовой температуры приемника на основе NbN смесителя составило 1300 К и 3100 К на частотах гетеро- дина 2.5 TГц и 3.8 ТГц, соответственно. Максимальное зна- чение полосы преобразования, измеренной на частоте 900 |Ц, достигло значения 5.2 ГГц для смесителя изготовлен- ного из NbN пленки толщиной 2 нм. Оптимальная мощность Представлены результаты измерения ха- гетеродинного источника составила 1-3 мкВт для смесите- лей с различным объемом смесительного элемента.
|
|
|
|
Гольцман ГН, Смирнов КВ. По итогам проектов российского фонда фундаментальных исследований. Проект РФФИ # 98-02-16897 Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах. Письма в ЖЭТФ. 2001;74(9):532–8.
Abstract: Рассмотрены теоретические и экспериментальные работы, посвященные изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах в случае сильного разогрева в электрическом поле, в квазиравновесных условиях и в квантующем магнитном поле, перпендикулярном 2D слою.
|
|
|
|
Ожегов РВ, Морозов ДВ, Масленников СН, Смирнов КВ, Окунев ОВ, Гольцман ГН. Тепловизор субмиллиметрового диапазона волн для регистрации теплового излучения тела человека и обнаружения скрытых под одеждой предметов. In: 3-я Международная выставка и конференция Неразрушающий контроль и техническая диагностика в промышленности. Москва; 2004.
|
|
|
|
Ожегов РВ, Масленников СН, Морозов ДВ, Окунев ОВ, Смирнов КВ, Гольцман ГН. Тепловизор субмиллиметрового диапазона длин волн. In: Десятая всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-10). Москва; 2004.
|
|
|
|
Масленников СН, Вахтомин ЮБ, Антипов СВ, Смирнов КВ, Каурова НС, Гришина ЕВ, et al. Смесители на основе электронного разогрева в тонких пленках NbN для частот 2.5 и 3.8 ТГц. In: Десятая всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-10). Москва; 2004.
|
|
|
|
Корнеев АА, Минаева О, Рубцова И, Милостная И, Чулкова Г, Воронов Б, et al. Сверхпроводящий однофотонный детектор на основе ультратонкой пленки NbN. Квантовая электроника. 2005;35(8):698–700.
Abstract: Представлены результаты исследований сверхпроводящих однофотонных детекторов, изготовленных из ультратонкой пленки NbN. Развитие технологического процесса изготовления детекторов, а также снижение рабочей температуры до 2 К позволили существенно увеличить квантовую эффективность: для видимого света (λ = 0.56 мкм) она составила 30%–40%, т.е. достигла предела, определяемого коэффициентом поглощения пленки. С ростом длины волны квантовая эффективность экспоненциально падает, составляя ~20% на λ=1.55 мкм и ~0.02% на λ = 5 мкм. При скорости темнового счета ~10-4s-1 экспериментально измеренная эквивалентная мощность шума составила 1.5 × 10-20 Вт/Гц-1/2; в дальнейшем она может быть уменьшена до рекордно низкого значения 5 × 10-21 Вт/Гц-1/2. Временное разрешение детектора равно 30 пс.
|
|
|
|
Райтович АА, Пентин ИВ, Золотов ФИ, Селезнев ВА, Вахтомин ЮБ, Смирнов КВ. Время энергетической релаксации электронов в сверхпроводниковых VN наноструктурах. In: Сборник трудов 13 Всероссийской конференции молодых ученых. Техно-Декор; 2018. p. 236–8.
|
|
