|
Гершензон ЕМ, Грачев СА, Литвак-Горская ЛБ. Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе. Физика и техника полупроводников. 1991;25(11):1986–98.
Abstract: Проведено комплексное исследование n-InSb смесителя на λ=2.6 мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при E=0−2 В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне T=1.6−20 K, высокочастотной проводимости при f=0.5−10 МГц и магнитосопротивления при H=0−5 кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном n-InSb (K≥0.8), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам n-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн.
|
|
|
Lang PT, Leipold I, Knott WJ, Semenov AD, Gol'tsman GN, Renk KF. New far-infrared laser lines from CH3Cl and CH3Br optically pumped with a continuously tunable high pressure CO2 laser. Appl Phys B. 1991;53(4):207–12.
Abstract: In this paper we report on the detection of new far-infrared laser lines from CH3Cl and CH3Br optically pumped with a continuously tunable high pressure CO2 laser. We found 80 new lines for CH3Cl and 9 new lines for CH3Br in the frequency region between 16 cm−1 and 41 cm−1, all due to stimulated Raman scattering. For the Raman gain regions bandwidths up to about 700 MHz were found. We also observed high intensity short far-infrared laser pulses of durations in the nanosecond regime.
|
|
|
Belitsky VY, Tarasov MA. SIS junction reactance complete compensation. IEEE Trans. Magn.. 1991;27(2):2638–41.
|
|
|
ГОСТ 34.201-89. Виды, комплектность и обозначение документов при создании автоматизированных систем.; 1991.
|
|