Records |
Author |
Смирнов, Константин Владимирович |
Title |
Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе |
Type |
Manuscript |
Year |
2000 |
Publication |
М. МПГУ |
Abbreviated Journal |
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, NbN films |
Abstract |
Диссертация посвящена изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе, образующемся на границе раздела полупроводников AlGaAs и GaAs, а также созданию на основе гетероперехода GaAs/AlGaAs и сверхпроводника NbN гибридных структур сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник и изучению их электрофизических свойств. |
Address |
Москва, МПГУ |
Corporate Author |
|
Thesis |
Ph.D. thesis |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1830 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
Title |
Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов |
Type |
Journal Article |
Year |
2010 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
|
Volume |
44 |
Issue |
11 |
Pages |
1475-1478 |
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers |
Abstract |
Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
Duplicated as 1216 |
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
702 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В. |
Title |
Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе |
Type |
Book Whole |
Year |
2012 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors |
Abstract |
Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники. |
Address |
Москва |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
Прометей, МПГУ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
978-5-4263-0118-4 |
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
УДК: 537.311 |
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1818 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гольцман, Г. Н.; Смирнов, К. В. |
Title |
По итогам проектов российского фонда фундаментальных исследований. Проект РФФИ # 98-02-16897 Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах |
Type |
Journal Article |
Year |
2001 |
Publication |
Письма в ЖЭТФ |
Abbreviated Journal |
Письма в ЖЭТФ |
Volume |
74 |
Issue |
9 |
Pages |
532-538 |
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures |
Abstract |
Рассмотрены теоретические и экспериментальные работы, посвященные изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах в случае сильного разогрева в электрическом поле, в квазиравновесных условиях и в квантующем магнитном поле, перпендикулярном 2D слою. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
Duplicated as 1541: “Electron-phonon interaction in a two-dimensional electron gas of semiconductor heterostructures at low temperatures” |
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1832 |
Permanent link to this record |