Author |
Title |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
Елезов, М. С.; Щербатенко, М. Л.; Сыч, Д. В.; Гольцман, Г. Н. |
Практические особенности работы оптоволоконного квантового приемника Кеннеди |
2019 |
Proc. IWQO |
|
303-305 |
Елманов, И. А.; Елманова, А. В.; Голиков, А. Д.; Комракова, С. А.; Каурова, Н. С.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н. |
Способ определения параметров резистов для электронной литографии фотонных интегральных схем на платформе нитрида кремния |
2019 |
Proc. IWQO |
|
306-308 |
Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Масленников, С. Н.; Смирнов, К. В.; Поляков, С. Л.; Чжан, В.; Свечников, С. И.; Каурова, Н. С.; Гришина, Е. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
Квазиоптические смесители терагерцового диапазона на основе эффекта разогрева электронов в тонких пленках NbN |
2006 |
Proc. 16th Int. Crimean Microwave and Telecommunication Technology |
2 |
688-689 |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
1989 |
Физика и техника полупроводников |
23 |
1356-1361 |
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г. |
Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1430-1437 |