|
|
Гершензон ЕМ, Гольцман ГН, Елантьев АИ, Карасик БС, Потоскуев СЭ. Разогрев электронов в резистивном состоянии сверхпроводника электромагнитным излучением значительной интенсивности. Физика низких температур. 1988;14(7):753–63.
|
|
|
|
Масленникова АВ, Рябчун СА, Финкель МИ, Каурова НС, Исупова АА, Воронов БМ, et al. Широкополосные смесители на горячих электронах на основе NbN наноструктур. Труды МФТИ. 2011;3(2):31–4.
Abstract: Мы приводим данные исследования полосы преобразования смесителей на горячих электронах (hot-electron bolometer, НЕВ), изготовленных на основе тонких пленок NbN. Зависимость полосы преобразования от длины смесительного элемента находится в прекрасном согласии с результатами теоретической модели HEB-смесителя, в котором энергетическая релаксация электронов одновременно происходит по двум каналам: фононному и диффузионному.
|
|
|
|
Рябчун СА, Третьяков ИВ, Пентин ИВ, Каурова НС, Селезнев ВА, Воронов БМ, et al. Малошумящий широкополосный терагерцовый смеситель на эффекте электронного разогрева в плёнке NbN. Известия высших учебных заведений. Радиофизика. 2009;52(8):641–8.
Abstract: Разработан и исследован смеситель на горячих электронах, изготовленный из двуслойной плёнки NbN-Au, осаждённой на кремневую подложку in situ. Двухполосная шумовая температура устройства составила 750 К на частоте 2.5 ТГц. Измерения эффективности преобразования для смесителя длиной 0.112 мкм вблизи температуры сверхпроводящего перехода показали полосу промежуточных частот около 6.5 ГГц. Эти результаты являются рекордными и были получены за счёт улучшения контактов между чувствительным элементом и спиральной антенной при замене технологического маршрута с нанесением слоёв NbN и Au в отдельных процессах на технологический процесс, в котором данные слои наносятся in situ без нарушения вакуума.
|
|
|
|
Гольцман ГН, Лудков ДН. Сверхпроводниковые смесители на горячих электронах терагерцового диапазона и их применение в радиоастрономии. Изв. высших учебных заведений. Радиофизика. 2003;46(8/9).
|
|
|
|
Воеводин ЕИ, Гершензон ЕМ, Гольцман ГН, Птицина НГ. Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge. Физика и техника полупроводников. 1990;24(10):1881–3.
Abstract: Цель настоящей работы — измерение кинетики примесной фотопроводимости в квантующих магнитных полях.
|
|
