|
|
Гершензон ЕМ, Литвак-Горская ЛБ, Рабинович РИ. Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда. Физика и техника полупроводников. 1983;17(10):1873–6.
|
|
|
|
Гершензон ЕМ, Мельников АП, Рабинович РИ, Смирнова ВБ. О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси. Физика и техника полупроводников. 1983;17(3):499–501.
|
|
|
|
Gershenzon EM, Gurvich YA, Orlova SL, Ptitsina NG. Scattering of electrons by charged impurities in Ge under cyclotron resonance conditions. Presumably: Sov Phys Semicond | Физика и техника полупроводников. 1976;10:1379–83.
|
|
|
|
Bondarenko OI, Gershenzon EM, Gurvich YA, Orlova SL, Ptitsina NG. Measurement of the width of the cyclotron resonance line of n-type Ge in quantizing magnetic fields. Presumably: Sov Phys Semicond | Физика и техника полупроводников. 1972;6:362–3.
|
|
|
|
Шангина ЕЛ, Смирнов КВ, Морозов ДВ, Ковалюк ВВ, Гольцман ГН, Веревкин АА, et al. Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов. Физика и техника полупроводников. 2010;44(11):1475–8.
Abstract: Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K.
|
|
