Гольцман ГН, Смирнов КВ. По итогам проектов российского фонда фундаментальных исследований. Проект РФФИ # 98-02-16897 Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах. Письма в ЖЭТФ. 2001;74(9):532–8.
Abstract: Рассмотрены теоретические и экспериментальные работы, посвященные изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах в случае сильного разогрева в электрическом поле, в квазиравновесных условиях и в квантующем магнитном поле, перпендикулярном 2D слою.
|
Селиверстов СВ, Финкель МИ, Рябчун СА, Воронов БМ, Каурова НС, Селезнев ВА, et al. Терагерцевый сверхпроводниковый детектор с аттоджоулевым энергетическим разрешением и постоянной времени 25 пс. In: Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Vol 1.; 2014. p. 91–2.
Abstract: Представлены результаты измерения энергетического разрешения терагерцевого сверхпроводникового NbN-детектора на эффектеэлектронного разогрева, работающего при температуре около 10 К. Использование инновационной in situ технологии производства привело к существенному улучшению чувствительности детектора. Увеличение быстродействия детектора было достигнуто за счет реализации дополнительного диффузионного канала охла-ждения электронной подсистемы. Измеренное значение эквивалентной мощности шума на частоте 2.5 ТГц составило 2.0×10-13Вт•Гц-0.5, постоянной времени 25 пс. Соответствующее расчетное значение энергетического разрешения составило 2.5 аДж.
|
Кардакова АИ, Финкель МИ, Морозов ДВ, Ковалюк ВВ, Ан ПП, Гольцман ГН. Время электрон-фононного взаимодействия в сверхпроводниковых пленках нитрида титана. In: Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Vol 1.; 2014. p. 47–8.
Abstract: Определены времена электрон-фононного взаимодействия в тонких сверхпроводниковых пленках нитрида титана. Измеренные значения τ_eph находятся в диапазоне от 5.5 нс до 88 нс при температурах 4,2 К и 1,7 К, соответственно, и соответствуют температурной зависимости Т^-3.
|
Корнеева ЮП, Михайлов ММ, Манова НН, Дивочий АА, Корнеев АА, Вахтомин ЮБ, et al. Сверхпроводниковый однофотонный детектор на основе аморфных пленок MoSi. In: Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Vol 1.; 2014. p. 53–4.
Abstract: Нами были изготовлены и исследованы однофотонные детекторы на основе сверхпроводящих пленок Mo x Si 1-x двух различных стехиометрий: Mo 3 Si и Mo 4 Si. При температуре 1.7 К лучшие детекторы площадью 7 мкм*7 мкм на основе этих пленок продемонстрировали системную квантовую эффективность 18% при скорости темнового счета 10 с -1 на длине волны 1.2 мкм с использованием неполяризованного источника, длительность импульса – 6 нс, джиттер – 120 пс.
|
|
Ожегов РВ, Морозов ДВ, Масленников СН, Смирнов КВ, Окунев ОВ, Гольцман ГН. Тепловизор субмиллиметрового диапазона волн для регистрации теплового излучения тела человека и обнаружения скрытых под одеждой предметов. In: 3-я Международная выставка и конференция Неразрушающий контроль и техническая диагностика в промышленности. Москва; 2004.
|
