|
Records |
Links |
|
Author |
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
![find record details (via OpenURL) openurl](img/xref.gif)
|
|
Title |
Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов |
Type |
Journal Article |
|
Year |
2010 |
Publication ![sorted by Publication field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
44 |
Issue |
11 |
Pages |
1475-1478 |
|
|
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers |
|
|
Abstract |
Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Duplicated as 1216 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
702 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Shangina, E. L.; Smirnov, K. V.; Morozov, D. V.; Kovalyuk, V. V.; Gol’tsman, G. N.; Verevkin, A. A.; Toropov, A. I. |
![goto web page (via DOI) doi](img/doi.gif)
|
|
Title |
Frequency bandwidth and conversion loss of a semiconductor heterodyne receiver with phonon cooling of two-dimensional electrons |
Type |
Journal Article |
|
Year |
2010 |
Publication ![sorted by Publication field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Semicond. |
Abbreviated Journal |
Semicond. |
|
|
Volume |
44 |
Issue |
11 |
Pages |
1427-1429 |
|
|
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers |
|
|
Abstract |
The temperature and concentration dependences of the frequency bandwidth of terahertz heterodyne AlGaAs/GaAs detectors based on hot electron phenomena with phonon cooling of two-dimensional electrons have been measured by submillimeter spectroscopy with a high time resolution. At a temperature of 4.2 K, the frequency bandwidth at a level of 3 dB (f 3 dB) is varied from 150 to 250 MHz with a change in the concentration n s according to the power law f 3dB ∝ n −0.5 s due to the dominant contribution of piezoelectric phonon scattering. The minimum conversion loss of the semiconductor heterodyne detector is obtained in structures with a high carrier mobility (μ > 3 × 105 cm2 V−1 s−1 at 4.2 K). |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
1063-7826 |
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1216 |
|
Permanent link to this record |