|
Records |
Links |
|
Author |
Voevodin, E. I.; Gershenzon, E. M.; Goltsman, G. N.; Ptitsina, N. G. |
![find record details (via OpenURL) openurl](img/xref.gif)
|
|
Title ![sorted by Title field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Energy-spectrum of shallow acceptors in Ge deformed strongly by a uniaxial pressure |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1989 |
Publication |
Sov. Phys. and Technics of Semiconductors |
Abbreviated Journal |
Sov. Phys. and Technics of Semiconductors |
|
|
Volume |
23 |
Issue |
8 |
Pages |
843-846 |
|
|
Keywords |
Ge, crystallography |
|
|
Abstract |
Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1692 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Voevodin, E. I.; Gershenzon, E. M.; Goltsman, G. N.; Ptitsina, N. G.; Chulkova, G. M. |
![find record details (via OpenURL) openurl](img/xref.gif)
|
|
Title ![sorted by Title field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Capture of free holes by charged acceptors in uniaxially deformed Ge |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1988 |
Publication |
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov |
Abbreviated Journal |
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov |
|
|
Volume |
22 |
Issue |
3 |
Pages |
540-543 |
|
|
Keywords |
Ge, free holes, capture |
|
|
Abstract |
Цель настоящей работы — исследование кинетики примесной фотопроводимости p-Ge при сильном одноосном сжатии в широком диапазоне изменения интенсивности примесного подсвета, создающего свободные дырки, и определение сечения каскадного захвата дырок на мелкие заряженные акцепторы в условиях преобладания электрон-фононного механизма потерь энергии. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Захват свободных дырок заряженными акцепторами в одноосно деформированном Ge |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1698 |
|
Permanent link to this record |