|
Records |
Links ![sorted by URL field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
|
Author |
Verevkin, A.; Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Ptitsina, N. G.; Chulkova, G. M.; Smirnov, K. S.; Sobolewski, R. |
![find record details (via OpenURL) openurl](img/xref.gif)
|
|
Title |
Direct measurements of energy relaxation times in two-dimensional structures under quasi-equilibrium conditions |
Type |
Conference Article |
|
Year |
2002 |
Publication |
Mater. Sci. Forum |
Abbreviated Journal |
Mater. Sci. Forum |
|
|
Volume |
384-3 |
Issue |
|
Pages |
107-116 |
|
|
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs |
|
|
Abstract |
A new microwave technique was successfully applied for direct studies of energy relaxation times in two-dimensional AlGaAs/GaAs structures under quasi-equilibrium conditions in the nanosecond and picosecond time scale. We report our results of energy relaxation time measurements in the temperature range 1.6-50 K, in quantum Hall effect regime in magnetic fields up to 4 T. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
Materials Science Forum |
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1536 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Смирнов, К. В. |
![find record details (via OpenURL) openurl](img/xref.gif)
|
|
Title |
AlGaAs/GaAs смеситель на эффекте разогрева двумерных электронов для тепловизора субмиллиметрового диапазона |
Type |
Abstract |
|
Year |
2003 |
Publication |
Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников |
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
181 |
|
|
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, mixer |
|
|
Abstract |
|
|
|
Address |
ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санк-Петербург |
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
VI Российской конференции по физике полупроводников (27-31 октября) |
|
|
Notes |
Unconfirmed; Сама конференция, однако, была -- её упоминают: [http://www.nsc.ru/HBC/article.phtml?nid=271&id=17], [https://www.isp.nsc.ru/institut/nauchnye-podrazdeleniya/lab-20/publikatsii/2003], [http://www.ioffe.ru/sem_tech/sem%5Fteh%5Fmovpe%5Fpublications%5Fru.htm#R2003], [https://istina.ips.ac.ru/collections/828771/] |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1837 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Verevkin, A. A.; Ptitsina, N. G.; Chulcova, G. M.; Gol'tsman, G. N.; Gershenzon, E. M.; Yngvesson, K. S. |
![goto web page (via DOI) doi](img/doi.gif)
|
|
Title |
Direct measurements of energy relaxation time of electrons in AlGaAs/GaAs heterostructures under quasi-equilibrium conditions |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1996 |
Publication |
Surface Science |
Abbreviated Journal |
Surface Science |
|
|
Volume |
361-362 |
Issue |
|
Pages |
569-573 |
|
|
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures |
|
|
Abstract |
For the first time, results are presented of a direct measurement of the energy relaxation time τε of 2D electrons in an AlGaAs/GaAs heterojunction at T = 1 and 5–20 K. A weak temperature dependence of τε for the T > 4K range and a linear temperature dependence of the reciprocal of τε for T < 4K have been observed. The linear dependence τε−1 ≈ T in the Bloch-Gruneisen regime is direct evidence of the predominance of the piezo-electric mechanism of electron-phonon interaction in non-elastic electron scattering processes. The values of τε in this regime are in very good agreement with the results of the Karpus theory. At higher temperatures, where the deformation-potential scattering becomes noticeable, a substantial disagreement between the experimental data and the theoretical results is observed. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
0039-6028 |
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1609 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
![find record details (via OpenURL) openurl](img/xref.gif)
|
|
Title |
Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов |
Type |
Journal Article |
|
Year |
2010 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
44 |
Issue |
11 |
Pages |
1475-1478 |
|
|
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers |
|
|
Abstract |
Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Duplicated as 1216 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
702 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В. |
![find book details (via ISBN) isbn](img/isbn.gif)
|
|
Title |
Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе |
Type |
Book Whole |
|
Year |
2012 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
|
|
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors |
|
|
Abstract |
Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники. |
|
|
Address |
Москва |
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
Прометей, МПГУ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
978-5-4263-0118-4 |
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
УДК: 537.311 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1818 |
|
Permanent link to this record |