| |
Records |
Links |
|
Author |
Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Гершензон, Е. М.; Птицина, Н. Г.; Смирнов, К. В.; Чулкова, Г. М. |
|
| |
Title |
Исследования процессов неупругой релаксации и примесная спектроскопия-релаксометрия в двумерном электронном газе в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами |
Type |
Report |
| |
Year |
1995 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
|
Issue  |
|
Pages |
|
|
| |
Keywords |
|
|
| |
Abstract |
В гетероструктурах GaAs/AlGaAs впервые прямым методом измерена температурная зависимость вpемени энеpгетической pелаксации двумерного электронного газа te(T) в широком диапазоне температур Т=1,5 – 50 К в квазиравновесных условиях. Для измерений использовался высокочувствительный спектрометр миллиметрового диапазона волн с высоким временным разрешением, который позволял измерять релаксационные времена до 150 пс с погрешностью не более 20%. Верхний предел температуры определялся временным разрешением спектрометра. Исследования проводились на высококачественных образцах с поверхностной концентрацией носителей ns = 4,2 1011 см-2 и подвижностью m = 7 105 см2В-1с-1 (при Т = 4,2К). В квазиравновесных условиях из температурной зависимости tе определен предел подвижности при низких температурах (T<4.2 K), связанный с рассеянием на пьезоакустическом потенциале, получено время неупругой релаксации, связанное с рассеянием на деформационном потенциале (15 K25 K), получено характерное время испускания оптического фонона (tLO>4,5пс), которое существенно превышает время сронтанного излучения оптического фонона (примерно в 30 раз), что связано с большой ролью процессов перепоглащения фононов электронами.При низких температурах проведены измерения tе в условиях сильного разогрева. Полученные значения tе и зависимость tе от температуры электронов Те совпадают с tе(Т) в квазиравновесных условиях при Т=Те. Из полученных значений tе(Те) построена зависимость мощности энергетических потерь от Те, которая хорошо согласуется с литературными данными.Начаты измерения в магнитном поле, которые показывают переспективность использованного нами метода измерений как в области слабых магнитных полей при факторе заполнения >10, так и в области сильных магнитных полей при факторе заполнения >1-2. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
Отчет о НИР/НИОКР; РФФИ: 95-02-06409-а; |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1831 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Селиверстов, С. В.; Финкель, М. И.; Рябчун, С. А.; Воронов, Б. М.; Каурова, Н. С.; Селезнев, В. А.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Пентин, И. В.; Гольцман, Г. Н. |
|
| |
Title |
Терагерцевый сверхпроводниковый детектор с аттоджоулевым энергетическим разрешением и постоянной времени 25 пс |
Type |
Conference Article |
| |
Year |
2014 |
Publication |
Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» |
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
1 |
Issue |
|
Pages |
91-92 |
|
| |
Keywords |
NbN HEB |
|
| |
Abstract |
Представлены результаты измерения энергетического разрешения терагерцевого сверхпроводникового NbN-детектора на эффектеэлектронного разогрева, работающего при температуре около 10 К. Использование инновационной in situ технологии производства привело к существенному улучшению чувствительности детектора. Увеличение быстродействия детектора было достигнуто за счет реализации дополнительного диффузионного канала охла-ждения электронной подсистемы. Измеренное значение эквивалентной мощности шума на частоте 2.5 ТГц составило 2.0×10-13Вт•Гц-0.5, постоянной времени 25 пс. Соответствующее расчетное значение энергетического разрешения составило 2.5 аДж. |
|
| |
Address |
Нижний Новгород, Россия |
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1833 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Кардакова, А. И.; Финкель, М. И.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Ан, П. П.; Гольцман, Г. Н. |
|
| |
Title |
Время электрон-фононного взаимодействия в сверхпроводниковых пленках нитрида титана |
Type |
Conference Article |
| |
Year |
2014 |
Publication |
Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» |
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
1 |
Issue |
|
Pages |
47-48 |
|
| |
Keywords |
TiN films |
|
| |
Abstract |
Определены времена электрон-фононного взаимодействия в тонких сверхпроводниковых пленках нитрида титана. Измеренные значения τ_eph находятся в диапазоне от 5.5 нс до 88 нс при температурах 4,2 К и 1,7 К, соответственно, и соответствуют температурной зависимости Т^-3. |
|
| |
Address |
Нижний Новгород, Россия |
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1835 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Корнеева, Ю. П.; Михайлов, М. М.; Манова, Н. Н.; Дивочий, А. А.; Корнеев, А. А.; Вахтомин, Ю. Б.; Першин, Ю. П.; Гольцман, Г. Н. |
|
| |
Title |
Сверхпроводниковый однофотонный детектор на основе аморфных пленок MoSi |
Type |
Conference Article |
| |
Year |
2014 |
Publication |
Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» |
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
1 |
Issue |
|
Pages |
53-54 |
|
| |
Keywords |
MoSi SSPD |
|
| |
Abstract |
Нами были изготовлены и исследованы однофотонные детекторы на основе сверхпроводящих пленок Mo x Si 1-x двух различных стехиометрий: Mo 3 Si и Mo 4 Si. При температуре 1.7 К лучшие детекторы площадью 7 мкм*7 мкм на основе этих пленок продемонстрировали системную квантовую эффективность 18% при скорости темнового счета 10 с -1 на длине волны 1.2 мкм с использованием неполяризованного источника, длительность импульса – 6 нс, джиттер – 120 пс. |
|
| |
Address |
Нижний Новгород, Россия |
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1836 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
|
| |
Title |
Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
2010 |
Publication |
Изв. РАН Сер. Физ. |
Abbreviated Journal |
Изв. РАН Сер. Физ. |
|
| |
Volume |
74 |
Issue |
1 |
Pages |
110-112 |
|
| |
Keywords |
2DEG AlGaAs/GaAs heterostructures, THz heterodyne detectors, IF bandwidth |
|
| |
Abstract |
Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением при Т = 4.2 К измерена концентрационная зависимость полосы преобразования гетеродинного детектирования гетероструктур AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. С увеличением концентрации двумерных электронов ns = (1.6–6.6) · 1011см-2 ширина полосы преобразования f3dB уменьшается от 245 до 145 МГц. В исследованной области концентраций наблюдается зависимость f3dB , обусловленная рассеянием электронов на деформационном потенциале акустических фононов и пьезоэлектрическим рассеянием. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
Duplicated as 1217 |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
642 |
|
| Permanent link to this record |
