|   | 
Details
   web
Records
Author Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.; Ригер, Е. Р.
Title Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии Type Journal Article
Year 1984 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 18 Issue 9 Pages 1684-1686
Keywords Ge, free carrier recombination
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language (up) Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1710
Permanent link to this record
 

 
Author Проходцов, А. И.; Голиков, А. Д.; Ан, П. П.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.
Title Влияние покрытия из оксида кремния на эффективность фокусирующего решеточного элемента связи из нитрида кремния Type Conference Article
Year 2019 Publication Proc. IWQO Abbreviated Journal Proc. IWQO
Volume Issue Pages 201-203
Keywords integrated optics, silicon nitride, focusing grating coupler
Abstract В работе экспериментально изучена зависимость эффективности фокусирующего решеточного элемента связи от периода и фактора заполнения до и после напыления верхнего слоя из оксида кремния. Полученные данные имеют практическое значение при создании перестраиваемых интегрально-оптических устройств на нитриде кремния.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language (up) Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1188 Approved no
Call Number Serial 1282
Permanent link to this record
 

 
Author Елезов, М. С.; Щербатенко, М. Л.; Сыч, Д. В.; Гольцман, Г. Н.
Title Практические особенности работы оптоволоконного квантового приемника Кеннеди Type Conference Article
Year 2019 Publication Proc. IWQO Abbreviated Journal Proc. IWQO
Volume Issue Pages 303-305
Keywords Kennedy quantum receiver, fiber, quantum optics, standard quantum limit, superconducting nanowire single-photon detector, coherent detection
Abstract Мы рассматриваем практические особенности работы квантового приемника на основе схемы Кеннеди, собранного из стандартных оптоволоконных элементов и сверхпроводникового детектора одиночных фотонов. Приемник разработан для различения двух фазовомодулированных когерентных состояний света на длине волны 1,5 микрона в непрерывном режиме с частотой модуляции 200 КГц и уровнем ошибок различения примерно в два раза ниже стандартного квантового предела.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language (up) Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1288 Approved no
Call Number Serial 1283
Permanent link to this record
 

 
Author Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Масленников, С. Н.; Смирнов, К. В.; Поляков, С. Л.; Чжан, В.; Свечников, С. И.; Каурова, Н. С.; Гришина, Е. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н.
Title Квазиоптические смесители терагерцового диапазона на основе эффекта разогрева электронов в тонких пленках NbN Type Conference Article
Year 2006 Publication Proc. 16th Int. Crimean Microwave and Telecommunication Technology Abbreviated Journal
Volume 2 Issue Pages 688-689
Keywords NbN HEB mixers
Abstract Представлены результаты измерения рактеристик смесителей на эффекте разогрева электронов в тонких сверхпроводниковых пленках NbN. Смесители были изготовлены на основе пленок NbN толщиной 2-3.5 нм осажденных на кремниевую подложку с буферным подсло- ем MgO. Смесительный элемент согласовывался с планар- ной логопериодической спиральной антенной. Лучшее зна- чение шумовой температуры приемника на основе NbN смесителя составило 1300 К и 3100 К на частотах гетеро- дина 2.5 TГц и 3.8 ТГц, соответственно. Максимальное зна- чение полосы преобразования, измеренной на частоте 900 |Ц, достигло значения 5.2 ГГц для смесителя изготовлен- ного из NbN пленки толщиной 2 нм. Оптимальная мощность Представлены результаты измерения ха- гетеродинного источника составила 1-3 мкВт для смесите- лей с различным объемом смесительного элемента.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language (up) Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1445 Approved no
Call Number Serial 1446
Permanent link to this record
 

 
Author Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.
Title Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge Type Journal Article
Year 1989 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 23 Issue 8 Pages 1356-1361
Keywords Ge, crystallography
Abstract Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language (up) Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1692 Approved no
Call Number Serial 1691
Permanent link to this record