toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print
  Records Links
Author Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. url  openurl
  Title Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов Type Journal Article
  Year 2010 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal  
  Volume 44 Issue 11 Pages 1475-1478  
  Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers  
  Abstract Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (up) Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1216 Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 702  
Permanent link to this record
 

 
Author Рябчун, С. А.; Третьяков, И. В.; Пентин, И. В; Каурова, Н. С.; Селезнев, В. А; Воронов, Б. М.; Финкель, М. И.; Масленников, С. Н.; Гольцман, Г. Н. openurl 
  Title Малошумящий широкополосный терагерцовый смеситель на эффекте электронного разогрева в плёнке NbN Type Journal Article
  Year 2009 Publication Известия высших учебных заведений. Радиофизика Abbreviated Journal  
  Volume 52 Issue 8 Pages 641-648  
  Keywords HEB mixer, in-situ contacts, noise temperature, conversion gain bandwidth, diffusion cooling channel  
  Abstract Разработан и исследован смеситель на горячих электронах, изготовленный из двуслойной плёнки NbN-Au, осаждённой на кремневую подложку in situ. Двухполосная шумовая температура устройства составила 750 К на частоте 2.5 ТГц. Измерения эффективности преобразования для смесителя длиной 0.112 мкм вблизи температуры сверхпроводящего перехода показали полосу промежуточных частот около 6.5 ГГц. Эти результаты являются рекордными и были получены за счёт улучшения контактов между чувствительным элементом и спиральной антенной при замене технологического маршрута с нанесением слоёв NbN и Au в отдельных процессах на технологический процесс, в котором данные слои наносятся in situ без нарушения вакуума.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (up) Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 600  
Permanent link to this record
 

 
Author Масленникова, А. В.; Рябчун, С. А.; Финкель, М. И.; Каурова, Н. С.; Исупова, А. А.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. openurl 
  Title Широкополосные смесители на горячих электронах на основе NbN наноструктур Type Journal Article
  Year 2011 Publication Труды Московского физико-технического института Abbreviated Journal Труды МФТИ  
  Volume 3 Issue 2 Pages 31-34  
  Keywords HEB mixer  
  Abstract Мы приводим данные исследования полосы преобразования смесителей на горячих электронах (hot-electron bolometer, НЕВ), изготовленных на основе тонких пленок NbN. Зависимость полосы преобразования от длины смесительного элемента находится в прекрасном согласии с результатами теоретической модели HEB-смесителя, в котором энергетическая релаксация электронов одновременно происходит по двум каналам: фононному и диффузионному.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (up) Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 646  
Permanent link to this record
 

 
Author Пентин, И. В.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, А. В.; Ожегов, Р. В.; Дивочий, А. В.; Гольцман, Г. Н. url  openurl
  Title Быстродействующий терагерцевый приемник и инфракрасный счетчик одиночных фотонов на эффекте разогрева электронов в сверхпроводниковых тонкопленочных наноструктурах Type Journal Article
  Year 2011 Publication Труды МФТИ Abbreviated Journal Труды МФТИ  
  Volume 3 Issue 2 Pages 38-42  
  Keywords SSPD, SNSPD, HEB  
  Abstract Представлены результаты создания приемных систем терагерцевого диапазона (0.3-70 ТГц), обладающих рекордным быстродействием (50 пс) и высокой чувствительностью (до 5x 10^(-14) Вт/Гц^(1/2)), а также однофотонных приемных систем ближнего инфракрасного диапазона с квантовой эффективностью 25 %, уровнем темнового счета 10-1c., максимальной скоростью счета ~ 100 МГц и временным разрешением до 50 пс.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (up) Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 707  
Permanent link to this record
 

 
Author Ожегов, Р. В.; Окунев, О. В.; Гольцман, Г. Н.; Филиппенко, Л. В.; Кошелец, В. П. openurl 
  Title Флуктуационная чувствительность сверхпроводящего интегрального приемника терагерцового диапазона частот Type Journal Article
  Year 2009 Publication Радиотехника и электроника Abbreviated Journal Радиотех. электроник.  
  Volume 54 Issue 6 Pages 750-755  
  Keywords  
  Abstract Исследована зависимость флуктуационной чувствительности сверхпроводящего интегрального приемника (СИП) от шумовой температуры приемника и величины входного сигнала. Измерена рекордная флуктуационная чувствительность приемника (13 ± 2 мК), полученная при шумовой температуре приемника 200 К, ширине полосы промежуточных частот 4 ГГц и постоянной времени 1 с. При уменьшении входного сигнала наблюдалось улучшение флуктуационной чувствительности; предложено обÑŠяснение полученного эффекта: причиной является уменьшение влияния нестабильностей источников питания приемника и усилительного тракта при снижении входного сигнала.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (up) Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 710  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print

Save Citations:
Export Records: