toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print
  Records Links
Author Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. openurl 
  Title Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs Type Journal Article
  Year 2010 Publication Изв. РАН Сер. Физ. Abbreviated Journal Изв. РАН Сер. Физ.  
  Volume (down) 74 Issue 1 Pages 110-112  
  Keywords 2DEG AlGaAs/GaAs heterostructures, THz heterodyne detectors, IF bandwidth  
  Abstract Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением при Т = 4.2 К измерена концентрационная зависимость полосы преобразования гетеродинного детектирования гетероструктур AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. С увеличением концентрации двумерных электронов ns = (1.6–6.6) · 1011см-2 ширина полосы преобразования f3dB уменьшается от 245 до 145 МГц. В исследованной области концентраций наблюдается зависимость f3dB , обусловленная рассеянием электронов на деформационном потенциале акустических фононов и пьезоэлектрическим рассеянием.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1217 Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 642  
Permanent link to this record
 

 
Author Гольцман, Г. Н.; Смирнов, К. В. url  openurl
  Title По итогам проектов российского фонда фундаментальных исследований. Проект РФФИ # 98-02-16897 Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах Type Journal Article
  Year 2001 Publication Письма в ЖЭТФ Abbreviated Journal Письма в ЖЭТФ  
  Volume (down) 74 Issue 9 Pages 532-538  
  Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures  
  Abstract Рассмотрены теоретические и экспериментальные работы, посвященные изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах в случае сильного разогрева в электрическом поле, в квазиравновесных условиях и в квантующем магнитном поле, перпендикулярном 2D слою.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1541: “Electron-phonon interaction in a two-dimensional electron gas of semiconductor heterostructures at low temperatures” Approved no  
  Call Number Serial 1832  
Permanent link to this record
 

 
Author Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Люлькин, А. М.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. url  openurl
  Title О предельных характеристиках быстродействующих серхпроводниковых болометров Type Journal Article
  Year 1989 Publication Журнал технической физики Abbreviated Journal Журнал технической физики  
  Volume (down) 59 Issue 2 Pages 111-120  
  Keywords HEB  
  Abstract Теоретически и экспериментально исследовано физическое ограничение быстродействия сверхпроводящего болометра. Показано, что минимальная постоянная времени реализуется в условиях электронного разогрева и определяется процессом неупругого электрон-фонон- ного взаимодействия. Сформулированы требования кконструкции «электронного болометра» для достижения предельной чувствительности. Проведено сравнение характеристик электронного болометра и обычных болометров различных типов.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 237 Approved no  
  Call Number Serial 238  
Permanent link to this record
 

 
Author Ожегов, Р. В.; Окунев, О. В.; Гольцман, Г. Н.; Филиппенко, Л. В.; Кошелец, В. П. openurl 
  Title Флуктуационная чувствительность сверхпроводящего интегрального приемника терагерцового диапазона частот Type Journal Article
  Year 2009 Publication Радиотехника и электроника Abbreviated Journal Радиотех. электроник.  
  Volume (down) 54 Issue 6 Pages 750-755  
  Keywords  
  Abstract Исследована зависимость флуктуационной чувствительности сверхпроводящего интегрального приемника (СИП) от шумовой температуры приемника и величины входного сигнала. Измерена рекордная флуктуационная чувствительность приемника (13 ± 2 мК), полученная при шумовой температуре приемника 200 К, ширине полосы промежуточных частот 4 ГГц и постоянной времени 1 с. При уменьшении входного сигнала наблюдалось улучшение флуктуационной чувствительности; предложено обÑŠяснение полученного эффекта: причиной является уменьшение влияния нестабильностей источников питания приемника и усилительного тракта при снижении входного сигнала.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 710  
Permanent link to this record
 

 
Author Рябчун, С. А.; Третьяков, И. В.; Пентин, И. В; Каурова, Н. С.; Селезнев, В. А; Воронов, Б. М.; Финкель, М. И.; Масленников, С. Н.; Гольцман, Г. Н. openurl 
  Title Малошумящий широкополосный терагерцовый смеситель на эффекте электронного разогрева в плёнке NbN Type Journal Article
  Year 2009 Publication Известия высших учебных заведений. Радиофизика Abbreviated Journal  
  Volume (down) 52 Issue 8 Pages 641-648  
  Keywords HEB mixer, in-situ contacts, noise temperature, conversion gain bandwidth, diffusion cooling channel  
  Abstract Разработан и исследован смеситель на горячих электронах, изготовленный из двуслойной плёнки NbN-Au, осаждённой на кремневую подложку in situ. Двухполосная шумовая температура устройства составила 750 К на частоте 2.5 ТГц. Измерения эффективности преобразования для смесителя длиной 0.112 мкм вблизи температуры сверхпроводящего перехода показали полосу промежуточных частот около 6.5 ГГц. Эти результаты являются рекордными и были получены за счёт улучшения контактов между чувствительным элементом и спиральной антенной при замене технологического маршрута с нанесением слоёв NbN и Au в отдельных процессах на технологический процесс, в котором данные слои наносятся in situ без нарушения вакуума.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 600  
Permanent link to this record
 

 
Author Финкель, М. И.; Масленников, С. Н.; Гольцман, Г. Н. openurl 
  Title Концепция приёмного комплекса космического радиотелескопа «Миллиметрон» Type Journal Article
  Year 2007 Publication Известия высших учебных заведений. Радиофизика Abbreviated Journal  
  Volume (down) 50 Issue 10-11 Pages 924-934  
  Keywords  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number RPLAB @ s @ mix_review_2007_rus Serial 410  
Permanent link to this record
 

 
Author Финкель, М. И.; Масленников, С. Н.; Гольцман, Г. Н. openurl 
  Title Супергетеродинные терагерцовые приёмники со сверхпроводниковым смесителем на электронном разогреве Type Journal Article
  Year 2005 Publication Известия высших учебных заведений. Радиофизика Abbreviated Journal  
  Volume (down) 48 Issue 10 Pages 964-970  
  Keywords  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 381 Approved no  
  Call Number Serial 380  
Permanent link to this record
 

 
Author Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. url  openurl
  Title Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов Type Journal Article
  Year 2010 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal  
  Volume (down) 44 Issue 11 Pages 1475-1478  
  Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers  
  Abstract Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1216 Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 702  
Permanent link to this record
 

 
Author Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. url  openurl
  Title Неселективное воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую пленку в резистивном состоянии Type Journal Article
  Year 1982 Publication Письма в ЖЭТФ Abbreviated Journal Письма в ЖЭТФ  
  Volume (down) 36 Issue 7 Pages 241-244  
  Keywords  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1717 Approved no  
  Call Number MSPU @ s @ Serial 225  
Permanent link to this record
 

 
Author Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. url  openurl
  Title Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge Type Journal Article
  Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume (down) 24 Issue 10 Pages 1881-1883  
  Keywords impurities, photoconductivity, Ge, capture of free carriers, magnetic field  
  Abstract Цель настоящей работы — измерение кинетики примесной фотопроводи­мости в квантующих магнитных полях.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1755  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print

Save Citations:
Export Records: