| Records |
Author  |
Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Масленников, С. Н.; Смирнов, К. В.; Поляков, С. Л.; Чжан, В.; Свечников, С. И.; Каурова, Н. С.; Гришина, Е. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
| Title |
Квазиоптические смесители терагерцового диапазона на основе эффекта разогрева электронов в тонких пленках NbN |
Type |
Conference Article |
| Year |
2006 |
Publication |
Proc. 16th Int. Crimean Microwave and Telecommunication Technology |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
2 |
Issue |
|
Pages |
688-689 |
| Keywords |
NbN HEB mixers |
| Abstract |
Представлены результаты измерения рактеристик смесителей на эффекте разогрева электронов в тонких сверхпроводниковых пленках NbN. Смесители были изготовлены на основе пленок NbN толщиной 2-3.5 нм осажденных на кремниевую подложку с буферным подсло- ем MgO. Смесительный элемент согласовывался с планар- ной логопериодической спиральной антенной. Лучшее зна- чение шумовой температуры приемника на основе NbN смесителя составило 1300 К и 3100 К на частотах гетеро- дина 2.5 TГц и 3.8 ТГц, соответственно. Максимальное зна- чение полосы преобразования, измеренной на частоте 900 |Ц, достигло значения 5.2 ГГц для смесителя изготовлен- ного из NbN пленки толщиной 2 нм. Оптимальная мощность Представлены результаты измерения ха- гетеродинного источника составила 1-3 мкВт для смесите- лей с различным объемом смесительного элемента. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
Duplicated as 1445 |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1446 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Гершензон, Е. М.; Птицина, Н. Г.; Смирнов, К. В.; Чулкова, Г. М. |
| Title |
Исследования процессов неупругой релаксации и примесная спектроскопия-релаксометрия в двумерном электронном газе в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами |
Type |
Report |
| Year |
1995 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
| Keywords |
|
| Abstract |
В гетероструктурах GaAs/AlGaAs впервые прямым методом измерена температурная зависимость вpемени энеpгетической pелаксации двумерного электронного газа te(T) в широком диапазоне температур Т=1,5 – 50 К в квазиравновесных условиях. Для измерений использовался высокочувствительный спектрометр миллиметрового диапазона волн с высоким временным разрешением, который позволял измерять релаксационные времена до 150 пс с погрешностью не более 20%. Верхний предел температуры определялся временным разрешением спектрометра. Исследования проводились на высококачественных образцах с поверхностной концентрацией носителей ns = 4,2 1011 см-2 и подвижностью m = 7 105 см2В-1с-1 (при Т = 4,2К). В квазиравновесных условиях из температурной зависимости tе определен предел подвижности при низких температурах (T<4.2 K), связанный с рассеянием на пьезоакустическом потенциале, получено время неупругой релаксации, связанное с рассеянием на деформационном потенциале (15 K25 K), получено характерное время испускания оптического фонона (tLO>4,5пс), которое существенно превышает время сронтанного излучения оптического фонона (примерно в 30 раз), что связано с большой ролью процессов перепоглащения фононов электронами.При низких температурах проведены измерения tе в условиях сильного разогрева. Полученные значения tе и зависимость tе от температуры электронов Те совпадают с tе(Т) в квазиравновесных условиях при Т=Те. Из полученных значений tе(Те) построена зависимость мощности энергетических потерь от Те, которая хорошо согласуется с литературными данными.Начаты измерения в магнитном поле, которые показывают переспективность использованного нами метода измерений как в области слабых магнитных полей при факторе заполнения >10, так и в области сильных магнитных полей при факторе заполнения >1-2. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
Отчет о НИР/НИОКР; РФФИ: 95-02-06409-а; |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1831 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Гольцман, Г. Н.; Смирнов, К. В. |
| Title |
По итогам проектов российского фонда фундаментальных исследований. Проект РФФИ # 98-02-16897 Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах |
Type |
Journal Article |
| Year |
2001 |
Publication |
Письма в ЖЭТФ |
Abbreviated Journal |
Письма в ЖЭТФ |
| Volume |
74 |
Issue |
9 |
Pages |
532-538 |
| Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures |
| Abstract |
Рассмотрены теоретические и экспериментальные работы, посвященные изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах в случае сильного разогрева в электрическом поле, в квазиравновесных условиях и в квантующем магнитном поле, перпендикулярном 2D слою. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
Duplicated as 1541: “Electron-phonon interaction in a two-dimensional electron gas of semiconductor heterostructures at low temperatures” |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1832 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Золотов, Ф. И.; Дивочий, А. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Пентин, И. В.; Морозов, П. В.; Селезнев, В. А.; Смирнов, К. В. |
| Title |
Применение тонких сверхпроводниковых пленок нитрида ванадия для изготовления счетчиков одиночных ИК-фотонов |
Type |
Conference Article |
| Year |
2018 |
Publication |
Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. |
Abbreviated Journal |
Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. |
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
60-61 |
| Keywords |
VN SSPD, SNSPD |
| Abstract |
Получены первые результаты по применению сверхпроводниковых пленок нитрида ванадия (VN) для детекторов одиночных фотонов ИК-диапазона. Изучение сверхпроводниковых однофотонных детекторов (SSPD), изготовленных на основе ультратонких (~5 нм) пленок VN, показало возможность создания устройств с близкой к насыщению зависимостью квантовой эффективности от тока смещения детекторов в телекоммуникационном диапазоне длин волн. Также нами были исследованы кинетическая индуктивность изготовленных структур с различной длиной сверхпроводниковой полоски и времена релаксации электронов в тонких сверхпроводниковых пленках VN. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
978-5-7262-2445-9 |
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
УДК 535(06)+004(06) |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1252 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Золотов, Ф. И.; Смирнов, К. В. |
| Title |
Особенности осаждения разупорядоченных сверхтонких плёнок нитрида ванадия |
Type |
Conference Article |
| Year |
2019 |
Publication |
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
204-205 |
| Keywords |
VN films |
| Abstract |
В работе изучены особенности роста сверхтонких плёнок нитрида ванадия толщиной ~10 нм. Обнаружено, что при изменении температуры подложки и общего давления газов в процессе осаждения плёнок меняется значение их поверхностного сопротивления вблизи перехода к сверхпроводящему состоянию. |
| Address |
Москва |
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
МИЭМ НИУ ВШЭ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1805 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Казаков, А. Ю.; Селиверстов, С. В.; Дивочий, А. В.; Смирнов, К. В.; Финкель, М. И.; Вахтомин, Ю. Б. |
| Title |
Возможность применения сверхпроводниковых материалов в качестве отражающего покрытия зеркала телескопа, предназначенного для наблюдений анизотропии реликтового излучения |
Type |
Journal Article |
| Year |
2012 |
Publication |
Преподаватель ХХI век |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
3 |
Pages |
221-224 |
| Keywords |
submillimeter radio telescope |
| Abstract |
В статье исследуется возможность использования сверхпроводящего материала в качестве отражающего слоя зеркала субмиллиметрового телескопа, охлажденного до криогенных температур и предназначенного для наблюдений реликтового излучения. Для нескольких сверхпроводниковых материалов вычислен диапазон частот, в котором флуктуации теплового излучения покрытия меньше флуктуаций источника. Показана перспективность применения покрытия из Nb3Ge. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1820 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Каурова, Н. С.; Финкель, М. И.; Масленников, С. Н.; Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Смирнов, К. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н.; Ильин, К. С. |
| Title |
Смеситель субмиллиметрового диапазона длин волн на основе тонкой пленки YBa2Cu3O7-x |
Type |
Conference Article |
| Year |
2004 |
Publication |
1-я международная конференция Фундаментальные проблемы высокотемпературной сверхпроводимости |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
291 |
| Keywords |
|
| Abstract |
|
| Address |
Москва-Звенигород |
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
Москва-Звенигород |
Editor |
|
| Language |
russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
RPLAB @ s @ htsmix_zvenigorod_2004_rus |
Serial |
356 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Корнеев, А. А.; Окунев, О. В.; Чулкова, Г. М.; Смирнов, К. В.; Милостная, И. И.; Минаева, О. В.; Корнеева, Ю. П.; Каурова, Н. С.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
| Title |
Спонтанные и фотоиндуцированные резистивные состояния в узких сверхпроводящих NbN полосках |
Type |
Book Whole |
| Year |
2015 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
| Keywords |
NbN films |
| Abstract |
Монография посвящена актуальной проблеме современной фотоники: разработке высокочувствительных и быстродействующих сверхпроводниковых однофотонных детекторов на основе тонкой пленки NbN. В работе исследуются неравновесные процессы, протекающие в тонкой сверхпроводящей пленке после поглощения инфракрасного фотона и приводящие к возникновению резистивного состояния. На этих процессах основан механизм фотоотклика исследуемого в работе однофотонного детектора. В частности, исследуются зависимости квантовой эффективности и скорости темнового счета от геометрических параметров детектора: толщины пленки, ширины полоски, а также от величины транспортного тока детектора. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики. |
| Address |
Москва |
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
МПГУ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
978-5-4263-0269-3 |
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
УДК: 535; Число страниц: 108 |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1812 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Корнеева, Ю. П.; Трифонов, А. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В.; Корнеев, А. А.; Рябчун, С. А.; Третьяков, И. В.; Гольцман, Г. Н. |
| Title |
Расчет согласующего оптического резонатора для сверхпроводникового нанополоскового детектора |
Type |
Journal Article |
| Year |
2012 |
Publication |
Преподаватель ХХI век |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
3 |
Pages |
225-227 |
| Keywords |
SSPD, SNSPD |
| Abstract |
В статье произведен расчет резонатора, предназначенного для согласования сверхпроводникового нанополоскового однофотонного детектора с оптическим сигналом. Показано, что для детектора, выполненного из пленки с типичным сопротивлением квадрата 500 Ом и коэффициентом заполнения 0.5 коэффициент согласования с излучением, поляризованным параллельно полоскам детектора, достигает величины около 60%. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1823 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Масленников, С. Н.; Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Смирнов, К. В.; Каурова, Н. С.; Гришина, Е. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
| Title |
Смесители на основе электронного разогрева в тонких пленках NbN для частот 2.5 и 3.8 ТГц |
Type |
Conference Article |
| Year |
2004 |
Publication |
Десятая всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-10) |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
| Keywords |
|
| Abstract |
|
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
Москва |
Editor |
|
| Language |
russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
Duplicated as 349 |
Approved |
no |
| Call Number |
RPLAB @ s @ qoheb_vnksf10_2004_rus |
Serial |
350 |
| Permanent link to this record |
