toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print
  Records Links
Author Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. openurl 
  Title Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs Type Journal Article
  Year 2010 Publication Изв. РАН Сер. Физ. Abbreviated Journal Изв. РАН Сер. Физ.  
  Volume 74 Issue 1 Pages 110-112  
  Keywords 2DEG AlGaAs/GaAs heterostructures, THz heterodyne detectors, IF bandwidth  
  Abstract Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением при Т = 4.2 К измерена концентрационная зависимость полосы преобразования гетеродинного детектирования гетероструктур AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. С увеличением концентрации двумерных электронов ns = (1.6–6.6) · 1011см-2 ширина полосы преобразования f3dB уменьшается от 245 до 145 МГц. В исследованной области концентраций наблюдается зависимость f3dB , обусловленная рассеянием электронов на деформационном потенциале акустических фононов и пьезоэлектрическим рассеянием.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN (up) Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1217 Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 642  
Permanent link to this record
 

 
Author Пентин, И. В.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, А. В.; Ожегов, Р. В.; Дивочий, А. В.; Гольцман, Г. Н. url  openurl
  Title Быстродействующий терагерцевый приемник и инфракрасный счетчик одиночных фотонов на эффекте разогрева электронов в сверхпроводниковых тонкопленочных наноструктурах Type Journal Article
  Year 2011 Publication Труды МФТИ Abbreviated Journal Труды МФТИ  
  Volume 3 Issue 2 Pages 38-42  
  Keywords SSPD, SNSPD, HEB  
  Abstract Представлены результаты создания приемных систем терагерцевого диапазона (0.3-70 ТГц), обладающих рекордным быстродействием (50 пс) и высокой чувствительностью (до 5x 10^(-14) Вт/Гц^(1/2)), а также однофотонных приемных систем ближнего инфракрасного диапазона с квантовой эффективностью 25 %, уровнем темнового счета 10-1c., максимальной скоростью счета ~ 100 МГц и временным разрешением до 50 пс.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN (up) Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 707  
Permanent link to this record
 

 
Author Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Масленников, С. Н.; Смирнов, К. В.; Поляков, С. Л.; Чжан, В.; Свечников, С. И.; Каурова, Н. С.; Гришина, Е. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. url  doi
openurl 
  Title Квазиоптические смесители терагерцового диапазона на основе эффекта разогрева электронов в тонких пленках NbN Type Conference Article
  Year 2006 Publication Proc. 16th Int. Crimean Microwave and Telecommunication Technology Abbreviated Journal  
  Volume 2 Issue Pages 688-689  
  Keywords NbN HEB mixers  
  Abstract Представлены результаты измерения рактеристик смесителей на эффекте разогрева электронов в тонких сверхпроводниковых пленках NbN. Смесители были изготовлены на основе пленок NbN толщиной 2-3.5 нм осажденных на кремниевую подложку с буферным подсло- ем MgO. Смесительный элемент согласовывался с планар- ной логопериодической спиральной антенной. Лучшее зна- чение шумовой температуры приемника на основе NbN смесителя составило 1300 К и 3100 К на частотах гетеро- дина 2.5 TГц и 3.8 ТГц, соответственно. Максимальное зна- чение полосы преобразования, измеренной на частоте 900 |Ц, достигло значения 5.2 ГГц для смесителя изготовлен- ного из NbN пленки толщиной 2 нм. Оптимальная мощность Представлены результаты измерения ха- гетеродинного источника составила 1-3 мкВт для смесите- лей с различным объемом смесительного элемента.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN (up) Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1445 Approved no  
  Call Number Serial 1446  
Permanent link to this record
 

 
Author Мошкова, М. А.; Дивочий, А. В.; Морозов, П. В.; Антипов, А. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В. url  openurl
  Title Оценка статистики распределения фотонов с использованием многоэлементного сверхпроводникового однофотонного детектора Type Conference Article
  Year 2019 Publication Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages 201-202  
  Keywords SSPD  
  Abstract Проведен сравнительный анализ топологий сверхпроводниковых однофотонных детекторов с способностью к разрешению до четырёх фотонов в коротком импульсе ИК излучения. Получен детектор, с системной квантовой эффективностью ~85% на λ=1550 нм. Продемонстрирована возможность его использования для распределения числа фотонов импульсного источника излучения.  
  Address Москва  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher МИЭМ НИУ ВШЭ Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN (up) Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1804  
Permanent link to this record
 

 
Author Золотов, Ф. И.; Смирнов, К. В. url  openurl
  Title Особенности осаждения разупорядоченных сверхтонких плёнок нитрида ванадия Type Conference Article
  Year 2019 Publication Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages 204-205  
  Keywords VN films  
  Abstract В работе изучены особенности роста сверхтонких плёнок нитрида ванадия толщиной ~10 нм. Обнаружено, что при изменении температуры подложки и общего давления газов в процессе осаждения плёнок меняется значение их поверхностного сопротивления вблизи перехода к сверхпроводящему состоянию.  
  Address Москва  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher МИЭМ НИУ ВШЭ Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN (up) Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1805  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print

Save Citations:
Export Records: