Home << 1 2 3 4 5 >>
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Records
Author Мошкова, М. А.; Дивочий, А. В.; Морозов, П. В.; Антипов, А. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В.
Title Оценка статистики распределения фотонов с использованием многоэлементного сверхпроводникового однофотонного детектора Type (up) Conference Article
Year 2019 Publication Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского Abbreviated Journal
Volume Issue Pages 201-202
Keywords SSPD
Abstract Проведен сравнительный анализ топологий сверхпроводниковых однофотонных детекторов с способностью к разрешению до четырёх фотонов в коротком импульсе ИК излучения. Получен детектор, с системной квантовой эффективностью ~85% на λ=1550 нм. Продемонстрирована возможность его использования для распределения числа фотонов импульсного источника излучения.
Address Москва
Corporate Author Thesis
Publisher МИЭМ НИУ ВШЭ Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1804
Permanent link to this record
 
 
Author Золотов, Ф. И.; Смирнов, К. В.
Title Особенности осаждения разупорядоченных сверхтонких плёнок нитрида ванадия Type (up) Conference Article
Year 2019 Publication Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского Abbreviated Journal
Volume Issue Pages 204-205
Keywords VN films
Abstract В работе изучены особенности роста сверхтонких плёнок нитрида ванадия толщиной ~10 нм. Обнаружено, что при изменении температуры подложки и общего давления газов в процессе осаждения плёнок меняется значение их поверхностного сопротивления вблизи перехода к сверхпроводящему состоянию.
Address Москва
Corporate Author Thesis
Publisher МИЭМ НИУ ВШЭ Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1805
Permanent link to this record
 
 
Author Райтович, А. А.; Пентин, И. В.; Золотов, Ф. И.; Селезнев, В. А.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В.
Title Время энергетической релаксации электронов в сверхпроводниковых VN наноструктурах Type (up) Conference Article
Year 2018 Publication Сборник трудов 13 Всероссийской конференции молодых ученых Abbreviated Journal
Volume Issue Pages 236-238
Keywords VN films
Abstract
Address Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Corporate Author Thesis
Publisher Техно-Декор Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика
Notes http://nnnph.ru/data/documents/Sborni-trudov-NNNF-2018.pdf Approved no
Call Number Serial 1807
Permanent link to this record
 
 
Author Селиверстов, С. В.; Финкель, М. И.; Рябчун, С. А.; Воронов, Б. М.; Каурова, Н. С.; Селезнев, В. А.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Пентин, И. В.; Гольцман, Г. Н.
Title Терагерцевый сверхпроводниковый детектор с аттоджоулевым энергетическим разрешением и постоянной времени 25 пс Type (up) Conference Article
Year 2014 Publication Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» Abbreviated Journal
Volume 1 Issue Pages 91-92
Keywords NbN HEB
Abstract Представлены результаты измерения энергетического разрешения терагерцевого сверхпроводникового NbN-детектора на эффектеэлектронного разогрева, работающего при температуре около 10 К. Использование инновационной in situ технологии производства привело к существенному улучшению чувствительности детектора. Увеличение быстродействия детектора было достигнуто за счет реализации дополнительного диффузионного канала охла-ждения электронной подсистемы. Измеренное значение эквивалентной мощности шума на частоте 2.5 ТГц составило 2.0×10-13Вт•Гц-0.5, постоянной времени 25 пс. Соответствующее расчетное значение энергетического разрешения составило 2.5 аДж.
Address Нижний Новгород, Россия
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1833
Permanent link to this record
 
 
Author Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И.
Title Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов Type (up) Journal Article
Year 2010 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal
Volume 44 Issue 11 Pages 1475-1478
Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers
Abstract Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1216 Approved no
Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 702
Permanent link to this record