toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print
  Records Links
Author Масленников, С. Н.; Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Смирнов, К. В.; Каурова, Н. С.; Гришина, Е. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. openurl 
  Title Смесители на основе электронного разогрева в тонких пленках NbN для частот 2.5 и 3.8 ТГц Type Conference Article
  Year (up) 2004 Publication Десятая всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-10) Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages  
  Keywords  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Москва Editor  
  Language russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 349 Approved no  
  Call Number RPLAB @ s @ qoheb_vnksf10_2004_rus Serial 350  
Permanent link to this record
 

 
Author Каурова, Н. С.; Финкель, М. И.; Масленников, С. Н.; Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Смирнов, К. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н.; Ильин, К. С. openurl 
  Title Смеситель субмиллиметрового диапазона длин волн на основе тонкой пленки YBa2Cu3O7-x Type Conference Article
  Year (up) 2004 Publication 1-я международная конференция Фундаментальные проблемы высокотемпературной сверхпроводимости Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages 291  
  Keywords  
  Abstract  
  Address Москва-Звенигород  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Москва-Звенигород Editor  
  Language russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number RPLAB @ s @ htsmix_zvenigorod_2004_rus Serial 356  
Permanent link to this record
 

 
Author Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Масленников, С. Н.; Смирнов, К. В.; Поляков, С. Л.; Чжан, В.; Свечников, С. И.; Каурова, Н. С.; Гришина, Е. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. url  doi
openurl 
  Title Квазиоптические смесители терагерцового диапазона на основе эффекта разогрева электронов в тонких пленках NbN Type Conference Article
  Year (up) 2006 Publication Proc. 16th Int. Crimean Microwave and Telecommunication Technology Abbreviated Journal  
  Volume 2 Issue Pages 688-689  
  Keywords NbN HEB mixers  
  Abstract Представлены результаты измерения рактеристик смесителей на эффекте разогрева электронов в тонких сверхпроводниковых пленках NbN. Смесители были изготовлены на основе пленок NbN толщиной 2-3.5 нм осажденных на кремниевую подложку с буферным подсло- ем MgO. Смесительный элемент согласовывался с планар- ной логопериодической спиральной антенной. Лучшее зна- чение шумовой температуры приемника на основе NbN смесителя составило 1300 К и 3100 К на частотах гетеро- дина 2.5 TГц и 3.8 ТГц, соответственно. Максимальное зна- чение полосы преобразования, измеренной на частоте 900 |Ц, достигло значения 5.2 ГГц для смесителя изготовлен- ного из NbN пленки толщиной 2 нм. Оптимальная мощность Представлены результаты измерения ха- гетеродинного источника составила 1-3 мкВт для смесите- лей с различным объемом смесительного элемента.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1445 Approved no  
  Call Number Serial 1446  
Permanent link to this record
 

 
Author Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. url  openurl
  Title Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов Type Journal Article
  Year (up) 2010 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal  
  Volume 44 Issue 11 Pages 1475-1478  
  Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers  
  Abstract Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1216 Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 702  
Permanent link to this record
 

 
Author Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. openurl 
  Title Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs Type Journal Article
  Year (up) 2010 Publication Изв. РАН Сер. Физ. Abbreviated Journal Изв. РАН Сер. Физ.  
  Volume 74 Issue 1 Pages 110-112  
  Keywords 2DEG AlGaAs/GaAs heterostructures, THz heterodyne detectors, IF bandwidth  
  Abstract Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением при Т = 4.2 К измерена концентрационная зависимость полосы преобразования гетеродинного детектирования гетероструктур AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. С увеличением концентрации двумерных электронов ns = (1.6–6.6) · 1011см-2 ширина полосы преобразования f3dB уменьшается от 245 до 145 МГц. В исследованной области концентраций наблюдается зависимость f3dB , обусловленная рассеянием электронов на деформационном потенциале акустических фононов и пьезоэлектрическим рассеянием.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1217 Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 642  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print

Save Citations:
Export Records: