Home << 1 2 >>
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Records
Author Гольцман, Г. Н.; Разумовская, И. В.; Окунев, О. В; Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Финкель, М. И.; Масленников, С. Н.; Семенов, А. В.; Александров, В. Н.
Title Сборник программ учебных дисциплин профессионального цикла подготовки магистров и бакалавров по направлению «Физика» Type Journal Article
Year 2011 Publication Прометей Abbreviated Journal Прометей
Volume Issue Pages 67
Keywords (up)
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Учебное пособие Approved no
Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 717
Permanent link to this record
 
 
Author Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Гершензон, Е. М.; Птицина, Н. Г.; Смирнов, К. В.; Чулкова, Г. М.
Title Исследования процессов неупругой релаксации и примесная спектроскопия-релаксометрия в двумерном электронном газе в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами Type Report
Year 1995 Publication Abbreviated Journal
Volume Issue Pages
Keywords (up)
Abstract В гетероструктурах GaAs/AlGaAs впервые прямым методом измерена температурная зависимость вpемени энеpгетической pелаксации двумерного электронного газа te(T) в широком диапазоне температур Т=1,5 – 50 К в квазиравновесных условиях. Для измерений использовался высокочувствительный спектрометр миллиметрового диапазона волн с высоким временным разрешением, который позволял измерять релаксационные времена до 150 пс с погрешностью не более 20%. Верхний предел температуры определялся временным разрешением спектрометра. Исследования проводились на высококачественных образцах с поверхностной концентрацией носителей ns = 4,2 1011 см-2 и подвижностью m = 7 105 см2В-1с-1 (при Т = 4,2К). В квазиравновесных условиях из температурной зависимости tе определен предел подвижности при низких температурах (T<4.2 K), связанный с рассеянием на пьезоакустическом потенциале, получено время неупругой релаксации, связанное с рассеянием на деформационном потенциале (15 K25 K), получено характерное время испускания оптического фонона (tLO>4,5пс), которое существенно превышает время сронтанного излучения оптического фонона (примерно в 30 раз), что связано с большой ролью процессов перепоглащения фононов электронами.При низких температурах проведены измерения tе в условиях сильного разогрева. Полученные значения tе и зависимость tе от температуры электронов Те совпадают с tе(Т) в квазиравновесных условиях при Т=Те. Из полученных значений tе(Те) построена зависимость мощности энергетических потерь от Те, которая хорошо согласуется с литературными данными.Начаты измерения в магнитном поле, которые показывают переспективность использованного нами метода измерений как в области слабых магнитных полей при факторе заполнения >10, так и в области сильных магнитных полей при факторе заполнения >1-2.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Отчет о НИР/НИОКР; РФФИ: 95-02-06409-а; Approved no
Call Number Serial 1831
Permanent link to this record
 
 
Author Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В.
Title Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе Type Book Whole
Year 2012 Publication Abbreviated Journal
Volume Issue Pages
Keywords (up) 2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors
Abstract Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники.
Address Москва
Corporate Author Thesis
Publisher Прометей, МПГУ Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN 978-5-4263-0118-4 Medium
Area Expedition Conference
Notes УДК: 537.311 Approved no
Call Number Serial 1818
Permanent link to this record
 
 
Author Корнеев, А. А.; Окунев, О. В.; Чулкова, Г. М.; Смирнов, К. В.; Милостная, И. И.; Минаева, О. В.; Корнеева, Ю. П.; Каурова, Н. С.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н.
Title Спонтанные и фотоиндуцированные резистивные состояния в узких сверхпроводящих NbN полосках Type Book Whole
Year 2015 Publication Abbreviated Journal
Volume Issue Pages
Keywords (up) NbN films
Abstract Монография посвящена актуальной проблеме современной фотоники: разработке высокочувствительных и быстродействующих сверхпроводниковых однофотонных детекторов на основе тонкой пленки NbN. В работе исследуются неравновесные процессы, протекающие в тонкой сверхпроводящей пленке после поглощения инфракрасного фотона и приводящие к возникновению резистивного состояния. На этих процессах основан механизм фотоотклика исследуемого в работе однофотонного детектора. В частности, исследуются зависимости квантовой эффективности и скорости темнового счета от геометрических параметров детектора: толщины пленки, ширины полоски, а также от величины транспортного тока детектора. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики.
Address Москва
Corporate Author Thesis
Publisher МПГУ Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN 978-5-4263-0269-3 Medium
Area Expedition Conference
Notes УДК: 535; Число страниц: 108 Approved no
Call Number Serial 1812
Permanent link to this record
 
 
Author Чулкова, Г. М.; Семёнов, А. В.; Дивочий, А. В.; Тархов, М. А.
Title Сверхпроводниковый однофотонный детектор с разрешением числа фотонов для систем дальней телекоммуникационной связи Type Journal Article
Year 2011 Publication Ж. радиоэлектрон. Abbreviated Journal Ж. радиоэлектрон.
Volume Issue 12 Pages 1-6
Keywords (up) PNR SSPD, SNSPD
Abstract Рассмотрена возможность применения сверхпроводникового однофотонного детектора, разрешающего число фотонов, в качестве датчика приёмных модулей телекоммуникационных линий. Показано, что для достижения доли ошибочных битов на уровне 10-11 достаточно на два порядка меньшей мощности в оптическом импульсе, чем при использовании существующих приёмных модулей.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number RPLAB @ sasha @ чулковасверхпроводниковый Serial 1031
Permanent link to this record