| |
Records |
Links |
|
Author |
Gershenzon, E. M.; Gershenzon, M. E.; Goltsman, G. N.; Lulkin, A.; Semenov, A. D.; Sergeev, A. V. |
|
| |
Title |
Electron-phonon interaction in ultrathin Nb films |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
1990 |
Publication |
Sov. Phys. JETP |
Abbreviated Journal |
Sov. Phys. JETP |
|
| |
Volume |
70 |
Issue |
3 |
Pages |
505-511 |
|
| |
Keywords |
Nb films |
|
| |
Abstract |
A study was made of the heating of electrons in normal resistive states of superconducting thin Nb films. The directly determined relaxation time of the resistance of a sample and the rise of the electron temperature were used to find the electron-phonon interaction time rep,, The dependence of rep, on the mean free path of electrons re,, a 1-'demonstrated, in agreement with the theoretical predictions, that the contribution of the inelastic scattering of electrons by impurities to the energy relaxation process decreased at low temperatures and the observed temperature dependence rep, a T 2 was due to a modification of the phonon spectrum in thin fllms.
1. Much new information on the electron-phonon interaction time?;,, in thin films of normal metals and superconductors has been published recently. This information has been obtained mainly as a result of two types of measurement. One includes experiments on weak electron localization investigated by the method of quantum interference corrections to the conductivity of disordered conductors, which can be used to find the relaxation time T, of the phase of the electron wave function. In the absence of the scattering of electrons by paramagnetic impurities the relaxation time T, is associated with the most effective process of energy relaxation: T;= TL+ rep;, where T,, is the electronelectron relaxation time. At low temperatures, when the dependence T; a T is exhibited by thin disordered films, the dominant channel is that of the electron-electron relaxation and there is a lower limit to the temperature range in which rep, can be investigated. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
241 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Gershenson, M. E.; Gong, D.; Sato, T.; Karasik, B. S.; Sergeev, A. V. |
|
| |
Title |
Millisecond electron-phonon relaxation in ultrathin disordered metal films at millikelvin temperatures |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
2001 |
Publication |
Appl. Phys. Lett. |
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
79 |
Issue |
|
Pages |
2049-2051 |
|
| |
Keywords |
HEB detector, FIR, far infrared |
|
| |
Abstract |
|
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
RPLAB @ s @ heb_eph_interaction_Gershenzon |
Serial |
315 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Ferrari, S.; Kovalyuk, V.; Hartmann, W.; Vetter, A.; Kahl, O.; Lee, C.; Korneev, A.; Rockstuhl, C.; Gol'tsman, G.; Pernice, W. |
|
| |
Title |
Hot-spot relaxation time current dependence in niobium nitride waveguide-integrated superconducting nanowire single-photon detectors |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
2017 |
Publication |
Opt. Express |
Abbreviated Journal |
Opt. Express |
|
| |
Volume |
25 |
Issue |
8 |
Pages |
8739-8750 |
|
| |
Keywords |
SSPD, SNSPD, photon counting; Infrared; Quantum detectors; Integrated optics; Multiphoton processes; Photon statistics |
|
| |
Abstract |
We investigate how the bias current affects the hot-spot relaxation dynamics in niobium nitride. We use for this purpose a near-infrared pump-probe technique on a waveguide-integrated superconducting nanowire single-photon detector driven in the two-photon regime. We observe a strong increase in the picosecond relaxation time for higher bias currents. A minimum relaxation time of (22 +/- 1)ps is obtained when applying a bias current of 50% of the switching current at 1.7 K bath temperature. We also propose a practical approach to accurately estimate the photon detection regimes based on the reconstruction of the measured detector tomography at different bias currents and for different illumination conditions. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
RPLAB @ kovalyuk @ |
Serial |
1118 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Гольцман, Г.Н.; Лудков, Д.Н. |
|
| |
Title |
Сверхпроводниковые смесители на горячих электронах терагерцового диапазона и их применение в радиоастрономии |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
2003 |
Publication |
Изв. высших учебных заведений. Радиофизика |
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
46 |
Issue |
8/9 |
Pages |
|
|
| |
Keywords |
HEB, mixers |
|
| |
Abstract |
|
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
RPLAB @ s @ |
Serial |
473 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
|
| |
Title |
Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
2010 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
44 |
Issue |
11 |
Pages |
1475-1478 |
|
| |
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers |
|
| |
Abstract |
Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
Duplicated as 1216 |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
702 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Рябчун, С. А.; Третьяков, И. В.; Пентин, И. В; Каурова, Н. С.; Селезнев, В. А; Воронов, Б. М.; Финкель, М. И.; Масленников, С. Н.; Гольцман, Г. Н. |
|
| |
Title |
Малошумящий широкополосный терагерцовый смеситель на эффекте электронного разогрева в плёнке NbN |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
2009 |
Publication |
Известия высших учебных заведений. Радиофизика |
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
52 |
Issue |
8 |
Pages |
641-648 |
|
| |
Keywords |
HEB mixer, in-situ contacts, noise temperature, conversion gain bandwidth, diffusion cooling channel |
|
| |
Abstract |
Разработан и исследован смеситель на горячих электронах, изготовленный из двуслойной плёнки NbN-Au, осаждённой на кремневую подложку in situ. Двухполосная шумовая температура устройства составила 750 К на частоте 2.5 ТГц. Измерения эффективности преобразования для смесителя длиной 0.112 мкм вблизи температуры сверхпроводящего перехода показали полосу промежуточных частот около 6.5 ГГц. Эти результаты являются рекордными и были получены за счёт улучшения контактов между чувствительным элементом и спиральной антенной при замене технологического маршрута с нанесением слоёв NbN и Au в отдельных процессах на технологический процесс, в котором данные слои наносятся in situ без нарушения вакуума. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
600 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Манова, Н.Н.; Корнеева, Ю.П.; Корнеев, А.А.; Слыш, В.; Воронов, Б.М.; Гольцман, Г.Н. |
|
| |
Title |
Сверхпроводниковый NbN однофотонный детектор, интегрированный с четвертьволновым резонатором |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
2011 |
Publication |
Письма в Журнал технической физики |
Abbreviated Journal |
ПЖТФ |
|
| |
Volume |
37 |
Issue |
10 |
Pages |
7 |
|
| |
Keywords |
SSPD |
|
| |
Abstract |
Исследована спектральная зависимость квантовой эффективности сверхпроводниковых NbN однофотонных детекторов, интегрированных с оптическими четвертьволновыми резонаторами с использованием диэлектриков Si3N4, SiO2, SiO. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
637 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
|
| |
Title |
Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
2010 |
Publication |
Изв. РАН Сер. Физ. |
Abbreviated Journal |
Изв. РАН Сер. Физ. |
|
| |
Volume |
74 |
Issue |
1 |
Pages |
110-112 |
|
| |
Keywords |
2DEG AlGaAs/GaAs heterostructures, THz heterodyne detectors, IF bandwidth |
|
| |
Abstract |
Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением при Т = 4.2 К измерена концентрационная зависимость полосы преобразования гетеродинного детектирования гетероструктур AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. С увеличением концентрации двумерных электронов ns = (1.6–6.6) · 1011см-2 ширина полосы преобразования f3dB уменьшается от 245 до 145 МГц. В исследованной области концентраций наблюдается зависимость f3dB , обусловленная рассеянием электронов на деформационном потенциале акустических фононов и пьезоэлектрическим рассеянием. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
Duplicated as 1217 |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
642 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Ларионов, П.А.; Рябчун, С.А.; Финкель, М.И.; Гольцман, Г.Н. |
|
| |
Title |
Вывешенный сверхпроводящий детектор терагерцового диапазона |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
2011 |
Publication |
Труды Московского физико-технического института |
Abbreviated Journal |
Труды МФТИ |
|
| |
Volume |
3 |
Issue |
2 |
Pages |
29-30 |
|
| |
Keywords |
вывешенный болометр, терагерцовый диапазон, сверхпроводящие пленки |
|
| |
Abstract |
Рассматриваются технологические особенности создания чувствительного вывешен- ного детектора терагерцевого диапазона на основе плёнки MoRe. Предлагается воз- можный маршрут создания такого детектора и поясняется выбор материалов, ис- пользуемых для создания детектора. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
645 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Масленникова, А. В.; Рябчун, С. А.; Финкель, М. И.; Каурова, Н. С.; Исупова, А. А.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
|
| |
Title |
Широкополосные смесители на горячих электронах на основе NbN наноструктур |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
2011 |
Publication |
Труды Московского физико-технического института |
Abbreviated Journal |
Труды МФТИ |
|
| |
Volume |
3 |
Issue |
2 |
Pages |
31-34 |
|
| |
Keywords |
HEB mixer |
|
| |
Abstract |
Мы приводим данные исследования полосы преобразования смесителей на горячих электронах (hot-electron bolometer, НЕВ), изготовленных на основе тонких пленок NbN. Зависимость полосы преобразования от длины смесительного элемента находится в прекрасном согласии с результатами теоретической модели HEB-смесителя, в котором энергетическая релаксация электронов одновременно происходит по двум каналам: фононному и диффузионному. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
646 |
|
| Permanent link to this record |
