| Records |
| Author |
Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В. |
| Title |
Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе |
Type |
Book Whole |
| Year |
2012 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
| Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors |
Abstract  |
Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники. |
| Address |
Москва |
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
Прометей, МПГУ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
978-5-4263-0118-4 |
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
УДК: 537.311 |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1818 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Корнеев, А. А.; Окунев, О. В.; Чулкова, Г. М.; Смирнов, К. В.; Милостная, И. И.; Минаева, О. В.; Корнеева, Ю. П.; Каурова, Н. С.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
| Title |
Спонтанные и фотоиндуцированные резистивные состояния в узких сверхпроводящих NbN полосках |
Type |
Book Whole |
| Year |
2015 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
| Keywords |
NbN films |
| Abstract |
Монография посвящена актуальной проблеме современной фотоники: разработке высокочувствительных и быстродействующих сверхпроводниковых однофотонных детекторов на основе тонкой пленки NbN. В работе исследуются неравновесные процессы, протекающие в тонкой сверхпроводящей пленке после поглощения инфракрасного фотона и приводящие к возникновению резистивного состояния. На этих процессах основан механизм фотоотклика исследуемого в работе однофотонного детектора. В частности, исследуются зависимости квантовой эффективности и скорости темнового счета от геометрических параметров детектора: толщины пленки, ширины полоски, а также от величины транспортного тока детектора. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики. |
| Address |
Москва |
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
МПГУ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
978-5-4263-0269-3 |
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
УДК: 535; Число страниц: 108 |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1812 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Антипов, Андрей Владимирович; Дивочий, Александр Валерьевич; Вахтомин, Юрий Борисович; Финкель, Матвей Ильич; Смирнов, Константин Владимирович |
| Title |
Способ прецизионного позиционирования чувствительного элемента фотонного детектора |
Type |
Patent |
| Year |
2014 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
RU 2506664 C1 |
Pages |
|
| Keywords |
|
| Abstract |
Изобретение относится к способам, позволяющим производить совмещение фотонных детекторов относительно оптического излучения. Способ прецизионного позиционирования чувствительного элемента фотонного детектора относительно амплитудно-модулированного оптического излучения включает смещение чувствительного элемента фотонного детектора постоянным током с последующей регистрацией электрического сигнала, возникающего на контактах детектора на частоте модуляции излучения. Полученный при этом сигнал используют как параметр, определяющий качество позиционирования. Обеспечивается повышение технико-эксплуатационных характеристик детектора. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1816 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Гольцман, Григорий Наумович; Корнеев, Александр Александрович; Антипов, Андрей Владимирович; Минаева, Ольга Вячеславовна; Дивочий, Александр Валерьевич; Антипов, Сергей Владимирович; Вахтомин, Юрий Борисович; Смирнов, Константин Владимирович |
| Title |
Способ фильтрации фонового излучения инфракрасного диапазона |
Type |
Patent |
| Year |
2014 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
RU 2510056 C1 |
Pages |
|
| Keywords |
|
| Abstract |
Изобретение относится к способам уменьшения интенсивности фонового излучения инфракрасного диапазона. Способ фильтрации фонового излучения инфракрасного диапазона, падающего на сверхпроводниковый однофотонный детектор, включает передачу излучения инфракрасного диапазона с длиной волны 0,4-1,8 микрометров на сверхпроводниковый однофотонный детектор при помощи одномодового волокна, частично находящегося при температуре 4,0-4,4 К. При этом длина охлаждаемого участка одномодового волокна составляет 0,2-3,5 м. Технический результат заключается в повышении надежности работы фотонных детекторов. 2 з.п. ф-лы. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1815 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Смирнов, Константин Владимирович |
| Title |
Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе |
Type |
Manuscript |
| Year |
2000 |
Publication |
М. МПГУ |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
| Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, NbN films |
| Abstract |
Диссертация посвящена изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе, образующемся на границе раздела полупроводников AlGaAs и GaAs, а также созданию на основе гетероперехода GaAs/AlGaAs и сверхпроводника NbN гибридных структур сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник и изучению их электрофизических свойств. |
| Address |
Москва, МПГУ |
| Corporate Author |
|
Thesis |
Ph.D. thesis |
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1830 |
| Permanent link to this record |
