| Records |
| Author |
Voevodin, E. I.; Gershenzon, E. M.; Goltsman, G. N.; Ptitsina, N. G. |
| Title |
Energy-spectrum of shallow acceptors in Ge deformed strongly by a uniaxial pressure |
Type |
Journal Article |
| Year |
1989 |
Publication |
Sov. Phys. and Technics of Semiconductors |
Abbreviated Journal |
Sov. Phys. and Technics of Semiconductors |
| Volume |
23 |
Issue |
8 |
Pages |
843-846 |
| Keywords |
Ge, crystallography |
| Abstract |
Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes  |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1692 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В. |
| Title |
Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе |
Type |
Book Whole |
| Year |
2012 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
| Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors |
| Abstract |
Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники. |
| Address |
Москва |
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
Прометей, МПГУ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
978-5-4263-0118-4 |
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
УДК: 537.311 |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1818 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Корнеев, А. А.; Окунев, О. В.; Чулкова, Г. М.; Смирнов, К. В.; Милостная, И. И.; Минаева, О. В.; Корнеева, Ю. П.; Каурова, Н. С.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
| Title |
Спонтанные и фотоиндуцированные резистивные состояния в узких сверхпроводящих NbN полосках |
Type |
Book Whole |
| Year |
2015 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
| Keywords |
NbN films |
| Abstract |
Монография посвящена актуальной проблеме современной фотоники: разработке высокочувствительных и быстродействующих сверхпроводниковых однофотонных детекторов на основе тонкой пленки NbN. В работе исследуются неравновесные процессы, протекающие в тонкой сверхпроводящей пленке после поглощения инфракрасного фотона и приводящие к возникновению резистивного состояния. На этих процессах основан механизм фотоотклика исследуемого в работе однофотонного детектора. В частности, исследуются зависимости квантовой эффективности и скорости темнового счета от геометрических параметров детектора: толщины пленки, ширины полоски, а также от величины транспортного тока детектора. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики. |
| Address |
Москва |
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
МПГУ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
978-5-4263-0269-3 |
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
УДК: 535; Число страниц: 108 |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1812 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Мошкова, М. А.; Дивочий, А. В.; Морозов, П. В.; Золотов, Ф. И.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В. |
| Title |
Высокоэффективные NBN однофотонные детекторы с разрешением числа фотонов |
Type |
Conference Article |
| Year |
2018 |
Publication |
Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. |
Abbreviated Journal |
Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. |
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
400-401 |
| Keywords |
SSPD, SNSPD |
| Abstract |
Разработаны и исследованы сверхпроводниковые однофотонные детекторы, способные к разрешению до 3-х фотонов в коротком импульсе излучения и имеющие квантовую эффективность детектирования одиночных фотонов ~60% на длине волны lambda=1.55 мкм. Проведенная модернизация технологии изготовления детекторов, позволила получить приемные устройства с мультифотонной квантовой эффективностью, приближающейся к расчетным значениям. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
978-5-7262-2445-9 |
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
УДК 535(06)+004(06) |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1250 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Симонов, Н. О.; Флоря, И. Н.; Корнеева, Ю. П.; Корнеев, А. А.; Гольцман, Г. Н. |
| Title |
Однофотонный отклик в тонких сверхпроводящих MoNx пленках |
Type |
Conference Article |
| Year |
2018 |
Publication |
Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. |
Abbreviated Journal |
Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. |
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
408-409 |
| Keywords |
SSPD, SNSPD |
| Abstract |
Продемонстрирован однофотонный отклик, при токе близком к критическому, в MoNx сверхпроводящих полосках шириной 70-104 нм. MoNx детекторы, имеющие коэффициент диффузии D≈0.32 см2/с и время электрон-фононного взаимодействия ηe-ph≈300 пс, достигают квантовой эффективности QE≈20% на длине волны λ=1550 нм. Возможность реализации однофотонного детектора в данном материале, подтверждает существующую теорию вихревого механизма возникновения фотоотклика в узких сверхпроводящих полосках. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
978-5-7262-2445-9 |
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
УДК 535(06)+004(06) |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1251 |
| Permanent link to this record |
