| Records |
Author  |
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
| Title |
Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов |
Type |
Journal Article |
| Year |
2010 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
44 |
Issue |
11 |
Pages |
1475-1478 |
| Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers |
| Abstract |
Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
Duplicated as 1216 |
Approved |
no |
| Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
702 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Смирнов, Константин Владимирович |
| Title |
Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе |
Type |
Manuscript |
| Year |
2000 |
Publication |
М. МПГУ |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
| Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, NbN films |
| Abstract |
Диссертация посвящена изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе, образующемся на границе раздела полупроводников AlGaAs и GaAs, а также созданию на основе гетероперехода GaAs/AlGaAs и сверхпроводника NbN гибридных структур сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник и изучению их электрофизических свойств. |
| Address |
Москва, МПГУ |
| Corporate Author |
|
Thesis |
Ph.D. thesis |
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1830 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Смирнов, К. В. |
| Title |
AlGaAs/GaAs смеситель на эффекте разогрева двумерных электронов для тепловизора субмиллиметрового диапазона |
Type |
Abstract |
| Year |
2003 |
Publication |
Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
181 |
| Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, mixer |
| Abstract |
|
| Address |
ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санк-Петербург |
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
VI Российской конференции по физике полупроводников (27-31 октября) |
| Notes |
Unconfirmed; Сама конференция, однако, была -- её упоминают: [http://www.nsc.ru/HBC/article.phtml?nid=271&id=17], [https://www.isp.nsc.ru/institut/nauchnye-podrazdeleniya/lab-20/publikatsii/2003], [http://www.ioffe.ru/sem_tech/sem%5Fteh%5Fmovpe%5Fpublications%5Fru.htm#R2003], [https://istina.ips.ac.ru/collections/828771/] |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1837 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Гольцман, Г. Н.; Смирнов, К. В. |
| Title |
По итогам проектов российского фонда фундаментальных исследований. Проект РФФИ # 98-02-16897 Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах |
Type |
Journal Article |
| Year |
2001 |
Publication |
Письма в ЖЭТФ |
Abbreviated Journal |
Письма в ЖЭТФ |
| Volume |
74 |
Issue |
9 |
Pages |
532-538 |
| Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures |
| Abstract |
Рассмотрены теоретические и экспериментальные работы, посвященные изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах в случае сильного разогрева в электрическом поле, в квазиравновесных условиях и в квантующем магнитном поле, перпендикулярном 2D слою. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
Duplicated as 1541: “Electron-phonon interaction in a two-dimensional electron gas of semiconductor heterostructures at low temperatures” |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1832 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Verevkin, A. I.; Ptitsina, N. G.; Chulkova, G. M.; Gol'tsman, G. N.; Gershenzon, E. M.; Yngvesson, K. S. |
| Title |
Electron energy relaxation in a 2D channel in AlGaAs-GaAs heterostructures under quasiequilibrium conditions at low temperatures |
Type |
Journal Article |
| Year |
1995 |
Publication |
JETP Lett. |
Abbreviated Journal |
JETP Lett. |
| Volume |
61 |
Issue |
7 |
Pages |
591-595 |
| Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures |
| Abstract |
The energy relaxation time of 2D electrons, Te, has been measured under quasiequilibrium conditions in AlGaAs—GaAs heterojunctions over the temperature range T= 1.5—20 K. At T> 4 K, Te depends only weakly on the temperature, while at T< 4 K 7;'(T) there is a dependence fr; lNT. A linear dependence 7: 1 (T) in the Bloch—-Grfineisen temperature region (T< 5 K) is unambiguous evidence that a piezoacoustic mechanism of an electron—phonon interaction is predominant in the inelastic scattering of electrons. The values of T6 in this temperature range agree very accurately with theoretical results reported by Karpus [Sov. Phys. Semicond. 22 (1988)]. At higher temperatures, where scat—tering by deformation acoustic phonons becomes substantial, there is a significant discrepancy between the experimental and theoretical re-sults. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1624 |
| Permanent link to this record |
