toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print
  Records Links
Author Henrich, D.; Dorner,S.; Hofherr, M.; Il'in, K.; Semenov, A.; Heintze, E.; Scheffler, M.; Dressel, M.; Siegel, M. openurl 
  Title Broadening of hot-spot response spectrum of superconducting NbN nanowire single-photon detector with reduced nitrogen content Type Journal Article
  Year 2012 Publication (up) Abbreviated Journal J. Appl. Phys.  
  Volume 112 Issue Pages  
  Keywords SSPD, SNSPD, magnetron sputtering, spectrum, NbN film, nitrogen concentration  
  Abstract The spectral detection efficiency and the dark count rate of superconducting nanowire

single-photon detectors (SNSPD) have been studied systematically on detectors made from thin

NbN films with different chemical compositions. Reduction of the nitrogen content in the 4 nm

thick NbN films results in a decrease of the dark count rates more than two orders of magnitude

and in a red shift of the cut-off wavelength of the hot-spot SNSPD response. The observed

phenomena are explained by an improvement of uniformity of NbN films that has been confirmed

by a decrease of resistivity and an increase of the ratio of the measured critical current to the

depairing current. The latter factor is considered as the most crucial for both the cut-off

wavelength and the dark count rates of SNSPD. Based on our results we propose a set of criteria

for material properties to optimize SNSPD in the infrared spectral region. VC 2012 American

Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4757625]
 
  Address  
  Corporate Author D. Henrich, S. Dorner, M. Hofherr, K. Il'in, A. Semenov, E. Heintze, M. Scheffler, M. Dressel, M. Siegel Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language English Summary Language Original Title Broadening of hot-spot response spectrum of superconducting NbN nanowire single-photon detector with reduced nitrogen content  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number RPLAB @ seleznev @ Serial 877  
Permanent link to this record
 

 
Author Смирнов, Константин Владимирович url  openurl
  Title Создание приборов на сверхпроводниковых счетчиках фотонов и методов диагностики КМОП микросхем, гетероструктур и лазеров на квантовых точках Type Report
  Year 2009 Publication (up) Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages  
  Keywords NbN SSPD  
  Abstract Этап №1 (дата окончания: 30.09.2009)

Разработана методика изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов (SSPD) с монокристаллической структурой пленки сверхмалой толщины. Изготовлены экспериментальные образцы сверхпроводниковых однофотонных детекторов (SSPD). Разработана методика пакетирования сверхпроводникового однофотонного детектора в оптический узел с одномодовым оптоволокном. Изготовлены экспериментальные образцы приемных модулей на основе однофотонных сверхпроводниковых детекторов из NbN-нанопленок.

Этап №2 (дата окончания: 28.10.2009)

Разработаны методы диагностики КМОП микросхем, гетероструктур и лазеров на квантовых точках и методика измерения мощности излучения полупроводниковых лазеров на квантовых точках с использованием сверхпроводниковых однофотонных детекторов (SSPD). Проведена технико-экономическая оценка рыночного потенциала полученных результатов.
 
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Министерство образования и науки РФ Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Отчет о НИР/НИОКР; Министерство образования и науки РФ; Номер гранта (контракта): 02.513.11.3446; Дата гранта (контракта): 03.06.2009 Approved no  
  Call Number Serial 1828  
Permanent link to this record
 

 
Author Корнеев, А. А.; Окунев, О. В.; Чулкова, Г. М.; Смирнов, К. В.; Милостная, И. И.; Минаева, О. В.; Корнеева, Ю. П.; Каурова, Н. С.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. isbn  openurl
  Title Спонтанные и фотоиндуцированные резистивные состояния в узких сверхпроводящих NbN полосках Type Book Whole
  Year 2015 Publication (up) Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages  
  Keywords NbN films  
  Abstract Монография посвящена актуальной проблеме современной фотоники: разработке высокочувствительных и быстродействующих сверхпроводниковых однофотонных детекторов на основе тонкой пленки NbN. В работе исследуются неравновесные процессы, протекающие в тонкой сверхпроводящей пленке после поглощения инфракрасного фотона и приводящие к возникновению резистивного состояния. На этих процессах основан механизм фотоотклика исследуемого в работе однофотонного детектора. В частности, исследуются зависимости квантовой эффективности и скорости темнового счета от геометрических параметров детектора: толщины пленки, ширины полоски, а также от величины транспортного тока детектора. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики.  
  Address Москва  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher МПГУ Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN 978-5-4263-0269-3 Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes УДК: 535; Число страниц: 108 Approved no  
  Call Number Serial 1812  
Permanent link to this record
 

 
Author Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В. url  isbn
openurl 
  Title Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе Type Book Whole
  Year 2012 Publication (up) Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages  
  Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors  
  Abstract Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники.  
  Address Москва  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Прометей, МПГУ Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN 978-5-4263-0118-4 Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes УДК: 537.311 Approved no  
  Call Number Serial 1818  
Permanent link to this record
 

 
Author Okunev, O.; Smirnov, K.; Chulkova, G.; Korneev, A.; Lipatov, A.; Gol'tsman, G.; Zhang, J.; Slysz, W.; Verevkin, A.; Sobolewski, Roman url  openurl
  Title Ultrafast NBN hot-electron single-photon detectors for electronic applications Type Abstract
  Year 2002 Publication (up) Abstracts 8-th IUMRS-ICEM Abbreviated Journal Abstracts 8-th IUMRS-ICEM  
  Volume Issue Pages  
  Keywords NbN SSPD, SNSPD  
  Abstract We present a new, simple to manufacture, single-photon detector (SPD), which can work from ultraviolet to near-infrared wavelengths of optical radiation and combines high speed of operation, high quantum efficiency (QE), and very low dark counts. The devices are superconducting and operate at temperature below 5 K. The physics of operation of our SPD is based on formation of a photon-induced resistive hotspot and subsequent appearance of a transient resistive barrier across an ultrathin and submicron-wide superconductor.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference 8th IUMRS International Conference on Electronic Materials  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1532  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print

Save Citations:
Export Records: