| |
Records |
Links |
|
Author |
Elmanov, Ilia; Elmanova, Anna; Kovalyuk, Vadim; An, Pavel; Goltsman, Gregory |
|
| |
Title |
Silicon nitride photonic crystal cavity coupled with NV-centers in nanodiamonds |
Type |
Conference Article |
| |
Year |
2020 |
Publication |
Proc. 32-nd EMSS |
Abbreviated Journal |
Proc. 32-nd EMSS |
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
344-348 |
|
| |
Keywords  |
|
|
| |
Abstract |
The development of integrated quantum photonics requires a high efficient excitation and coupling of a single photon source with on-chip devices. In this paper, we show our results of modelling for high-Q photonic crystal cavity, optimized for zero phonon line emission of NV-centers in nanodiamonds. Modelling was performed for the silicon nitride platform and obtained a quality factor equals to 6136 at 637 nm wavelength. |
|
| |
Address |
NV-centers, nanodiamonds |
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
2724-0029 |
ISBN |
978-88-85741-44-7 |
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
32nd European Modeling & Simulation Symposium |
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1840 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Гольцман, Григорий Наумович; Корнеев, Александр Александрович; Антипов, Андрей Владимирович; Минаева, Ольга Вячеславовна; Дивочий, Александр Валерьевич; Антипов, Сергей Владимирович; Вахтомин, Юрий Борисович; Смирнов, Константин Владимирович |
|
| |
Title |
Способ фильтрации фонового излучения инфракрасного диапазона |
Type |
Patent |
| |
Year |
2014 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
|
Issue |
RU 2510056 C1 |
Pages |
|
|
| |
Keywords |
|
|
| |
Abstract |
Изобретение относится к способам уменьшения интенсивности фонового излучения инфракрасного диапазона. Способ фильтрации фонового излучения инфракрасного диапазона, падающего на сверхпроводниковый однофотонный детектор, включает передачу излучения инфракрасного диапазона с длиной волны 0,4-1,8 микрометров на сверхпроводниковый однофотонный детектор при помощи одномодового волокна, частично находящегося при температуре 4,0-4,4 К. При этом длина охлаждаемого участка одномодового волокна составляет 0,2-3,5 м. Технический результат заключается в повышении надежности работы фотонных детекторов. 2 з.п. ф-лы. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1815 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Антипов, Андрей Владимирович; Дивочий, Александр Валерьевич; Вахтомин, Юрий Борисович; Финкель, Матвей Ильич; Смирнов, Константин Владимирович |
|
| |
Title |
Способ прецизионного позиционирования чувствительного элемента фотонного детектора |
Type |
Patent |
| |
Year |
2014 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
|
Issue |
RU 2506664 C1 |
Pages |
|
|
| |
Keywords |
|
|
| |
Abstract |
Изобретение относится к способам, позволяющим производить совмещение фотонных детекторов относительно оптического излучения. Способ прецизионного позиционирования чувствительного элемента фотонного детектора относительно амплитудно-модулированного оптического излучения включает смещение чувствительного элемента фотонного детектора постоянным током с последующей регистрацией электрического сигнала, возникающего на контактах детектора на частоте модуляции излучения. Полученный при этом сигнал используют как параметр, определяющий качество позиционирования. Обеспечивается повышение технико-эксплуатационных характеристик детектора. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1816 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Гершензон, Е. М.; Птицина, Н. Г.; Смирнов, К. В.; Чулкова, Г. М. |
|
| |
Title |
Исследования процессов неупругой релаксации и примесная спектроскопия-релаксометрия в двумерном электронном газе в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами |
Type |
Report |
| |
Year |
1995 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
|
| |
Keywords |
|
|
| |
Abstract |
В гетероструктурах GaAs/AlGaAs впервые прямым методом измерена температурная зависимость вpемени энеpгетической pелаксации двумерного электронного газа te(T) в широком диапазоне температур Т=1,5 – 50 К в квазиравновесных условиях. Для измерений использовался высокочувствительный спектрометр миллиметрового диапазона волн с высоким временным разрешением, который позволял измерять релаксационные времена до 150 пс с погрешностью не более 20%. Верхний предел температуры определялся временным разрешением спектрометра. Исследования проводились на высококачественных образцах с поверхностной концентрацией носителей ns = 4,2 1011 см-2 и подвижностью m = 7 105 см2В-1с-1 (при Т = 4,2К). В квазиравновесных условиях из температурной зависимости tе определен предел подвижности при низких температурах (T<4.2 K), связанный с рассеянием на пьезоакустическом потенциале, получено время неупругой релаксации, связанное с рассеянием на деформационном потенциале (15 K25 K), получено характерное время испускания оптического фонона (tLO>4,5пс), которое существенно превышает время сронтанного излучения оптического фонона (примерно в 30 раз), что связано с большой ролью процессов перепоглащения фононов электронами.При низких температурах проведены измерения tе в условиях сильного разогрева. Полученные значения tе и зависимость tе от температуры электронов Те совпадают с tе(Т) в квазиравновесных условиях при Т=Те. Из полученных значений tе(Те) построена зависимость мощности энергетических потерь от Те, которая хорошо согласуется с литературными данными.Начаты измерения в магнитном поле, которые показывают переспективность использованного нами метода измерений как в области слабых магнитных полей при факторе заполнения >10, так и в области сильных магнитных полей при факторе заполнения >1-2. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
Отчет о НИР/НИОКР; РФФИ: 95-02-06409-а; |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1831 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Morozov, D. V.; Smirnov, K. V.; Smirnov, A. V.; Lyakhov, V. A.; Goltsman, G. N. |
|
| |
Title |
A millimeter-submillimeter phonon-cooled hot-electron bolometer mixer based on two-dimensional electron gas in an AlGaAs/GaAs heterostructure |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
2005 |
Publication |
Semicond. |
Abbreviated Journal |
Semicond. |
|
| |
Volume |
39 |
Issue |
9 |
Pages |
1082-1086 |
|
| |
Keywords |
2D electron gas, AlGaAs/GaAs heterostructures, mixers |
|
| |
Abstract |
Experimental results obtained by studying the main characteristics of a millimeter-submillimeter wave mixer based on the hot-electron effect in a two-dimensional electron gas in a AlGaAs/GaAs heterostructure with a phonon-scattering cooling mechanism for charge carriers are reported. The gain bandwidth of the mixer is 4 GHz, the internal conversion losses are 13 dB, and the optimum local-oscillator power is 0.5 μW (for a mixer area of 1 μm2). It is shown that a millimeter-submillimeter-wave receiver with a noise temperature of 1900 K can be developed on the basis of a AlGaAs/GaAs mixer. This mixer also appears to be promising for use in array receiver elements. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
1063-7826 |
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1463 |
|
| Permanent link to this record |
