RpLab Home

Bibliography database of Radiophysics Laboratory (RpLab)

Home |  Show All |  Simple Search |  Advanced Search
Quick Search:
1-5 of 17 records found matching your query:
toggle visibility Search & Display Options
Select All    Deselect All << 1 2 3 4 >>
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   print
  Records Links
Author Gershenzon, E. M.; Gurvich, Y. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G. url  openurl
  Title Scattering of electrons by charged impurities in Ge under cyclotron resonance conditions Type Journal Article
  Year 1976 Publication Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников  
  Volume 10 Issue (up) Pages 1379-1383  
  Keywords Ge, cyclotron resonance, charged impurities,  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1772  
Permanent link to this record
 
 
Author Bondarenko, O. I.; Gershenzon, E. M.; Gurvich, Y. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G. url  openurl
  Title Measurement of the width of the cyclotron resonance line of n-type Ge in quantizing magnetic fields Type Journal Article
  Year 1972 Publication Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников  
  Volume 6 Issue (up) Pages 362-363  
  Keywords Ge, cyclotron resonance, quantizing magnetic fields  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1774  
Permanent link to this record
 
 
Author Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. url  openurl
  Title Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах Type Journal Article
  Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 24 Issue (up) 1 Pages 3-24  
  Keywords compensated n-InSb, impurities  
  Abstract Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1756  
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. url  openurl
  Title Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ Type Journal Article
  Year 1986 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 20 Issue (up) 1 Pages 99-103  
  Keywords n-Ge, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance  
  Abstract В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1759  
Permanent link to this record
 
 
Author Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. url  openurl
  Title Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge Type Journal Article
  Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 24 Issue (up) 10 Pages 1881-1883  
  Keywords impurities, photoconductivity, Ge, capture of free carriers, magnetic field  
  Abstract Цель настоящей работы — измерение кинетики примесной фотопроводи­мости в квантующих магнитных полях.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1755  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All << 1 2 3 4 >>
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   print
toggle visibility
Save Citations:
Export Records:
Home CQL Search  |  Library Search  |  Show Record  |  Extract Citations Help