toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print
  Records Links
Author Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. url  openurl
  Title Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge Type Journal Article
  Year 1989 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 23 Issue 8 Pages (down) 1356-1361  
  Keywords Ge, crystallography  
  Abstract Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1692 Approved no  
  Call Number Serial 1691  
Permanent link to this record
 

 
Author Voevodin, E. I.; Gershenzon, E. M.; Goltsman, G. N.; Ptitsina, N. G. url  openurl
  Title Energy-spectrum of shallow acceptors in Ge deformed strongly by a uniaxial pressure Type Journal Article
  Year 1989 Publication Sov. Phys. and Technics of Semiconductors Abbreviated Journal Sov. Phys. and Technics of Semiconductors  
  Volume 23 Issue 8 Pages (down) 843-846  
  Keywords Ge, crystallography  
  Abstract Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge Approved no  
  Call Number Serial 1692  
Permanent link to this record
 

 
Author Elant'ev, A. I.; Karasik, B. S. openurl 
  Title Effect of high-frequency current on Nb superconductive film in resistive state Type Journal Article
  Year 1989 Publication Sov. J. Low Temp. Phys. Abbreviated Journal Sov. J. Low Temp. Phys.  
  Volume 15 Issue 7 Pages (down) 379-383  
  Keywords Nb HEB  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 882  
Permanent link to this record
 

 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. url  openurl
  Title Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках Type Journal Article
  Year 1989 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 23 Issue 2 Pages (down) 338-345  
  Keywords weakly compensated Si, Ge, doped, Hall mobility  
  Abstract На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1758  
Permanent link to this record
 

 
Author Aksaev, E. E.; Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Semenov, A. D.; Sergeev, A. V. url  openurl
  Title Interaction of electrons with thermal phonons in YBa2Cu3O7-δ films at low temperatures Type Journal Article
  Year 1989 Publication JETP Lett. Abbreviated Journal JETP Lett.  
  Volume 50 Issue 5 Pages (down) 283-286  
  Keywords YBCO HTS films  
  Abstract The time of electron-phonon interaction tau(eph) in YBaCuO films at low temperatures is studied. This is measured as the time of resistance relaxation in the resistive state of the superconducter, and is also determined from the increase in resistance under the action of radiation. Consistent results of these methods show that resistance relaxation in the resistive state is caused by cooling of the electron subsystem with respect to the phonon subsystem. The time tau(eph) is found to be inversely proportional to the temperature and comes to 80 ps when T = 1.6 K and 5 ps when T = 30 K. 6 refs.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1690  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print

Save Citations:
Export Records: