| |
Records |
Links |
|
Author |
Voevodin, E. I.; Gershenzon, E. M.; Goltsman, G. N.; Ptitsina, N. G. |
|
| |
Title |
Energy-spectrum of shallow acceptors in Ge deformed strongly by a uniaxial pressure |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
1989 |
Publication  |
Sov. Phys. and Technics of Semiconductors |
Abbreviated Journal |
Sov. Phys. and Technics of Semiconductors |
|
| |
Volume |
23 |
Issue |
8 |
Pages |
843-846 |
|
| |
Keywords |
Ge, crystallography |
|
| |
Abstract |
Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1692 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Gershenzon, E. M.; Goltsman, G. N.; Semenov, A. D.; Sergeev, A. V. |
|
| |
Title |
Limiting characteristic of fast superconducting bolometers |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
1989 |
Publication |
Sov. Phys.-Tech. Phys. |
Abbreviated Journal |
Sov. Phys.-Tech. Phys. |
|
| |
Volume |
34 |
Issue |
|
Pages |
195-199 |
|
| |
Keywords |
HEB |
|
| |
Abstract |
Теоретически и экспериментально исследовано физическое ограничение быстродействия сверхпроводящего болометра. Показано, что минимальная постоянная времени реализуется в условиях электронного разогрева и определяется процессом неупругого электрон-фонон- ного взаимодействия. Сформулированы требования кконструкции «электронного болометра» для достижения предельной чувствительности. Проведено сравнение характеристик электронного болометра и обычных болометров различных типов. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
О предельных характеристиках быстродействующих серхпроводниковых болометров |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
237 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Gershenzon, E. M.; Gershenson, M. E.; Goltsman, G. N.; Lyulkin, A. M.; Semenov, A. D.; Sergeev, A. V. |
|
| |
Title |
Limiting characteristics of fast-response superconducting bolometers |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
1989 |
Publication |
Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki |
Abbreviated Journal |
Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki |
|
| |
Volume |
59 |
Issue |
2 |
Pages |
11-120 |
|
| |
Keywords |
HEB |
|
| |
Abstract |
Теоретически и экспериментально исследовано физическое ограничение быстродействия сверхпроводящего болометра. Показано, что минимальная постоянная времени реализуется в условиях электронного разогрева и определяется процессом неупругого электрон-фонон-ного взаимодействия. Сформулированы требования к конструкции «электронного болометра» для достижения предельной чувствительности. Проведено сравнение характеристик электронного болометра и обычных болометров различных типов. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1696 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Люлькин, А. М.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. |
|
| |
Title |
О предельных характеристиках быстродействующих серхпроводниковых болометров |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
1989 |
Publication |
Журнал технической физики |
Abbreviated Journal |
Журнал технической физики |
|
| |
Volume |
59 |
Issue |
2 |
Pages |
111-120 |
|
| |
Keywords |
HEB |
|
| |
Abstract |
Теоретически и экспериментально исследовано физическое ограничение быстродействия сверхпроводящего болометра. Показано, что минимальная постоянная времени реализуется в условиях электронного разогрева и определяется процессом неупругого электрон-фонон- ного взаимодействия. Сформулированы требования кконструкции «электронного болометра» для достижения предельной чувствительности. Проведено сравнение характеристик электронного болометра и обычных болометров различных типов. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
Duplicated as 237 |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
238 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
|
| |
Title |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
1989 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
| |
Volume |
23 |
Issue |
8 |
Pages |
1356-1361 |
|
| |
Keywords |
Ge, crystallography |
|
| |
Abstract |
Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
Duplicated as 1692 |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1691 |
|
| Permanent link to this record |
