|
Records |
Links |
|
Author |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
|
|
Title |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1990 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
|
Volume |
24 |
Issue |
10 |
Pages |
1881-1883 |
|
|
Keywords |
impurities, photoconductivity, Ge, capture of free carriers, magnetic field |
|
|
Abstract |
Цель настоящей работы — измерение кинетики примесной фотопроводимости в квантующих магнитных полях. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1755 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. |
|
|
Title |
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1990 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
|
Volume |
24 |
Issue |
1 |
Pages |
3-24 |
|
|
Keywords |
compensated n-InSb, impurities |
|
|
Abstract |
Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1756 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. |
|
|
Title |
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1990 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
|
Volume |
24 |
Issue |
12 |
Pages |
2145-2150 |
|
|
Keywords |
Hall constant, concentration of impurities, p-Si |
|
|
Abstract |
На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1754 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Potapov, V. D.; Sergeev, A. V. |
|
|
Title |
Restriction of microwave enhancement of superconductivity in impure superconductors due to electron-electron interaction |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1990 |
Publication |
Solid State Communications |
Abbreviated Journal |
Solid State Communications |
|
|
Volume |
75 |
Issue |
8 |
Pages |
639-641 |
|
|
Keywords |
impure superconductors |
|
|
Abstract |
Transition from microwave enhancement of supercurrent to superconductivity suppression is investigated in impure superconductors. It is demonstrated that the frequency range of the enhancement effect narrows with the decrease of the electron mean free path, l, and at l ⩽ 1 nm electron heating is observed in the whole frequency range. Dependences of frequency boundaries on l are explained by taking into account strong electron-electron interaction in impure metals. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
0038-1098 |
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1687 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Semenov, A. D.; Sergeev, A. V. |
|
|
Title |
Mechanism of picosecond response of granular YBaCuO films to electromagnetic radiation |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1990 |
Publication |
Solid State Communications |
Abbreviated Journal |
Solid State Communications |
|
|
Volume |
76 |
Issue |
4 |
Pages |
493-497 |
|
|
Keywords |
YBCO HTS detectors |
|
|
Abstract |
The ultrafast mechanisms of radiation detection in granular YBaCuO films are studied in the wide wavelength range from millimeter to near infrared. With the rise of radiation frequency the Josephson detection at the grain boundary weak links is replaced by electron heating into the grains. This change occurs in the submillimeter wavelength range. Electron-phonon relaxation time τeph is determined by direct measurements and analyses quasistationary electron heating. Temperature dependence of τeph at T ≤ 40 K was found to be τeph ∼ T−1. The results show that detectors with the response time of few picoseconds at nitrogen temperature are attainable. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
0038-1098 |
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1685 |
|
Permanent link to this record |