toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print
  Records Links
Author Золотов, Ф. И.; Дивочий, А. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Пентин, И. В.; Морозов, П. В.; Селезнев, В. А.; Смирнов, К. В. url  isbn
openurl 
  Title (down) Применение тонких сверхпроводниковых пленок нитрида ванадия для изготовления счетчиков одиночных ИК-фотонов Type Conference Article
  Year 2018 Publication Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. Abbreviated Journal Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт.  
  Volume Issue Pages 60-61  
  Keywords VN SSPD, SNSPD  
  Abstract Получены первые результаты по применению сверхпроводниковых пленок нитрида ванадия (VN) для детекторов одиночных фотонов ИК-диапазона. Изучение сверхпроводниковых однофотонных детекторов (SSPD), изготовленных на основе ультратонких (~5 нм) пленок VN, показало возможность создания устройств с близкой к насыщению зависимостью квантовой эффективности от тока смещения детекторов в телекоммуникационном диапазоне длин волн. Также нами были исследованы кинетическая индуктивность изготовленных структур с различной длиной сверхпроводниковой полоски и времена релаксации электронов в тонких сверхпроводниковых пленках VN.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN 978-5-7262-2445-9 Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes УДК 535(06)+004(06) Approved no  
  Call Number Serial 1252  
Permanent link to this record
 

 
Author Симонов, Н. О.; Флоря, И. Н.; Корнеева, Ю. П.; Корнеев, А. А.; Гольцман, Г. Н. url  isbn
openurl 
  Title (down) Однофотонный отклик в тонких сверхпроводящих MoNx пленках Type Conference Article
  Year 2018 Publication Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. Abbreviated Journal Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт.  
  Volume Issue Pages 408-409  
  Keywords SSPD, SNSPD  
  Abstract Продемонстрирован однофотонный отклик, при токе близком к критическому, в MoNx сверхпроводящих полосках шириной 70-104 нм. MoNx детекторы, имеющие коэффициент диффузии D≈0.32 см2/с и время электрон-фононного взаимодействия ηe-ph≈300 пс, достигают квантовой эффективности QE≈20% на длине волны λ=1550 нм. Возможность реализации однофотонного детектора в данном материале, подтверждает существующую теорию вихревого механизма возникновения фотоотклика в узких сверхпроводящих полосках.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN 978-5-7262-2445-9 Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes УДК 535(06)+004(06) Approved no  
  Call Number Serial 1251  
Permanent link to this record
 

 
Author Мошкова, М. А.; Дивочий, А. В.; Морозов, П. В.; Золотов, Ф. И.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В. url  isbn
openurl 
  Title (down) Высокоэффективные NBN однофотонные детекторы с разрешением числа фотонов Type Conference Article
  Year 2018 Publication Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. Abbreviated Journal Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт.  
  Volume Issue Pages 400-401  
  Keywords SSPD, SNSPD  
  Abstract Разработаны и исследованы сверхпроводниковые однофотонные детекторы, способные к разрешению до 3-х фотонов в коротком импульсе излучения и имеющие квантовую эффективность детектирования одиночных фотонов ~60% на длине волны lambda=1.55 мкм. Проведенная модернизация технологии изготовления детекторов, позволила получить приемные устройства с мультифотонной квантовой эффективностью, приближающейся к расчетным значениям.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN 978-5-7262-2445-9 Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes УДК 535(06)+004(06) Approved no  
  Call Number Serial 1250  
Permanent link to this record
 

 
Author Райтович, А. А.; Пентин, И. В.; Золотов, Ф. И.; Селезнев, В. А.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В. url  openurl
  Title (down) Время энергетической релаксации электронов в сверхпроводниковых VN наноструктурах Type Conference Article
  Year 2018 Publication Сборник трудов 13 Всероссийской конференции молодых ученых Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages 236-238  
  Keywords VN films  
  Abstract  
  Address Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Техно-Декор Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика  
  Notes http://nnnph.ru/data/documents/Sborni-trudov-NNNF-2018.pdf Approved no  
  Call Number Serial 1807  
Permanent link to this record
 

 
Author Gayduchenko, I.; Fedorov, G.; Titova, N.; Moskotin, M.; Obraztsova, E.; Rybin, M.; Goltsman, G. url  doi
openurl 
  Title (down) Towards to the development of THz detectors based on carbon nanostructures Type Conference Article
  Year 2018 Publication J. Phys.: Conf. Ser. Abbreviated Journal J. Phys.: Conf. Ser.  
  Volume 1092 Issue Pages 012039 (1 to 4)  
  Keywords CVD graphene, carbon nanotubes, CNT, field effect transistors, FET, THz detectors  
  Abstract Demand for efficient terahertz radiation detectors resulted in intensive study of the carbon nanostructures as possible solution for that problem. In this work we investigate the response to sub-terahertz radiation of detectors with sensor elements based on CVD graphene as well as its derivatives – carbon nanotubes (CNTs). The devices are made in configuration of field effect transistors (FET) with asymmetric source and drain (vanadium and gold) contacts and operate as lateral Schottky diodes. We show that at 300K semiconducting CNTs show better performance up to 300GHz with responsivity up to 100V/W, while quasi-metallic CNTs are shown to operate up to 2.5THz. At 300 K graphene detector exhibit the room-temperature responsivity from R = 15 V/W at f = 129 GHz to R = 3 V/W at f = 450 GHz. We find that at low temperatures (77K) the graphene lateral Schottky diodes responsivity rises with the increasing frequency of the incident sub-THz radiation. We interpret this result as a manifestation of a plasmonic effect in the devices with the relatively long plasmonic wavelengths. The obtained data allows for determination of the most promising directions of development of the technology of nanocarbon structures for the detection of THz radiation.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN 1742-6588 ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1302  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print

Save Citations:
Export Records: