|
|
Elant'ev, A. I., & Karasik, B. S. (1989). Effect of high-frequency current on Nb superconductive film in resistive state. Sov. J. Low Temp. Phys., 15(7), 379–383.
|
|
|
|
Aksaev, E. E., Gershenzon, E. M., Gershenson, M. E., Goltsman, G. N., Semenov, A. D., & Sergeev, A. V. (1989). Prospects for using high-temperature superconductors to create electron bolometers. Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15(14), 88–93.
|
|
|
|
Gershenzon, E. M., Gershenson, M. E., Goltsman, G. N., Karasik, B. S., Lyulkin, A. M., & Semenov, A. D. (1989). Fast-response superconducting electron bolometer. Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15(3), 88–92.
Abstract: The general design, operation, and performance characteristics of fast-response electronic bolometers using a thin superconducting Nb film on a leucosapphire substrate are briefly reviewed. The volt-watt sensitivity of the bolometrs is 2,000-200,000 V/W, the operating temperature is 1.6 K, and the time constant is 4-4.5 ns.
|
|
|
|
Воеводин, Е. И., Гершензон, Е. М., Гольцман, Г. Н., & Птицина, Н. Г. (1989). Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge. Физика и техника полупроводников, 23(8), 1356–1361.
Abstract: Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.
|
|
|
|
Voevodin, E. I., Gershenzon, E. M., Goltsman, G. N., & Ptitsina, N. G. (1989). Energy-spectrum of shallow acceptors in Ge deformed strongly by a uniaxial pressure. Sov. Phys. and Technics of Semiconductors, 23(8), 843–846.
Abstract: Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.
|
|
