Gershenzon, E. M., Gol’tsman, G. N., Sergeev, A., & Semenov, A. D. (1990). Picosecond response of YBaCuO films to electromagnetic radiation. In W. Gorzkowski, M. Gutowski, A. Reich, & H. Szymczak (Eds.), Proc. European Conf. High-Tc Thin Films and Single Crystals (pp. 457–462).
Abstract: Radiation-induced change of the resistance was studied in the resistive state of YBaCuO films. Electron-phonon relaxation time T h was determmed from direct ep measurements and analysis of quasistationary electron heating. Temperature dependence of That TS 40 K was found to – ep be T h.. T'. The resul ts show that ep detectors with the response time of few picosecond at nitrogen temperature can be realized.
|
Gershenzon, E. M., Gol'tsman, G. N., Potapov, V. D., & Sergeev, A. V. (1990). Restriction of microwave enhancement of superconductivity in impure superconductors due to electron-electron interaction. Solid State Communications, 75(8), 639–641.
Abstract: Transition from microwave enhancement of supercurrent to superconductivity suppression is investigated in impure superconductors. It is demonstrated that the frequency range of the enhancement effect narrows with the decrease of the electron mean free path, l, and at l ⩽ 1 nm electron heating is observed in the whole frequency range. Dependences of frequency boundaries on l are explained by taking into account strong electron-electron interaction in impure metals.
|
Воеводин, Е. И., Гершензон, Е. М., Гольцман, Г. Н., & Птицина, Н. Г. (1990). Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge. Физика и техника полупроводников, 24(10), 1881–1883.
Abstract: Цель настоящей работы — измерение кинетики примесной фотопроводимости в квантующих магнитных полях.
|
Гальперин, Ю. М., Гершензон, Е. М., Дричко, И. Л., & Литвак-Горская, Л. Б. (1990). Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах. Физика и техника полупроводников, 24(1), 3–24.
Abstract: Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb.
|
Банная, В. Ф., Веселова, Л. И., Гершензон, Е. М., Гусинский, Э. Н., & Литвак-Горская, Л. Б. (1990). Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла. Физика и техника полупроводников, 24(12), 2145–2150.
Abstract: На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая.
|
