|
Минаева, О. В. (2009). Быстродействующий однофотонный детектор на основе тонкой сверхпроводниковой пленки NbN. Ph.D. thesis, , .
|
Ожегов, Р. В., Окунев, О. В., Гольцман, Г. Н., Филиппенко, Л. В., & Кошелец, В. П. (2009). Флуктуационная чувствительность сверхпроводящего интегрального приемника терагерцового диапазона частот. Радиотех. электроник., 54(6), 750–755.
Abstract: Исследована зависимость флуктуационной чувствительности сверхпроводящего интегрального приемника (СИП) от шумовой температуры приемника и величины входного сигнала. Измерена рекордная флуктуационная чувствительность приемника (13 ± 2 мК), полученная при шумовой температуре приемника 200 К, ширине полосы промежуточных частот 4 ГГц и постоянной времени 1 с. При уменьшении входного сигнала наблюдалось улучшение флуктуационной чувствительности; предложено обÑŠяснение полученного эффекта: причиной является уменьшение влияния нестабильностей источников питания приемника и усилительного тракта при снижении входного сигнала.
|
Ожегов, Р. В., Окунев, О. В., & Гольцман, Г. Н. (2009). Флуктуационная чувствительность сверхпроводящего болометрического смесителя на эффекте разогрева электронного газа. Радиотехника, (3), 120–124.
Abstract: Interest in research in the terahertz range is driven by a great number of various applications, where terahertz instruments may play a leading role. To name just a few, such applications include study of the cosmic microwave background radiation and the distribution of the dark matter, medicine, navigation, fire alarm, security systems and environmental monitoring. The paper discusses the possibility of using a receiver based on the hot-electron effect in superconducting films as an imaging system. We present the results of the noise equivalent temperature difference (NETD) measurements performed with a hot-electron bolometer mixer made from a thin superconducting film. The receiver with a noise temperature of ~ 3800 K at a local oscillator frequency of 300 GHz a bandwidth of 500 MHz and an integration time of 1 s has offered an NETD of 0.5 K. We have also developed a technique that enabled us to reduce the contribution of the mixer gain fluctuations to the overall system instability. As of this writing, the above value of the NETD is the lowest value offered for this type of receiver, which indicates the possibility to use such receivers in real-time imaging systems. The technique offered in the paper for achieving the limiting value of the NETD offers an alternative to the phase-locking scheme.
Представены результаты измерения флуктуационной чувствительности (NETD – noise equivalent temperature difference) болометрического смесителя на эффекте разогрева электронного газа в тонких сверхпроводящих пленках. Получено предельное значение NETD, равное 0,5 К, при шумовой температуре приемника 3800 К, ширине полосы преобразования 500 МГц, постоянной времени 1 с и частоте гетеродина 300 ГГц. Разработана методика достижения предельной флуктуационной чувствительности, позволяющая избежать влияния нестабильности коэффициента преобразования смесителя.
|
|
Рябчун, С. А. (2009). Широкополосные высокостабильные терагерцовые смесители на горячих электронах из тонких сверхпроводниковых пленок NbN. Ph.D. thesis, , .
|
Рябчун, С. А., Третьяков, И. В., Пентин, И. В., Каурова, Н. С., Селезнев, В. А., Воронов, Б. М., et al. (2009). Малошумящий широкополосный терагерцовый смеситель на эффекте электронного разогрева в плёнке NbN. Известия высших учебных заведений. Радиофизика, 52(8), 641–648.
Abstract: Разработан и исследован смеситель на горячих электронах, изготовленный из двуслойной плёнки NbN-Au, осаждённой на кремневую подложку in situ. Двухполосная шумовая температура устройства составила 750 К на частоте 2.5 ТГц. Измерения эффективности преобразования для смесителя длиной 0.112 мкм вблизи температуры сверхпроводящего перехода показали полосу промежуточных частот около 6.5 ГГц. Эти результаты являются рекордными и были получены за счёт улучшения контактов между чувствительным элементом и спиральной антенной при замене технологического маршрута с нанесением слоёв NbN и Au в отдельных процессах на технологический процесс, в котором данные слои наносятся in situ без нарушения вакуума.
|
